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[導(dǎo)讀]芯片的發(fā)展越來越迅速,先進(jìn)制程芯片量產(chǎn)的速度也是越來越快,從28納米,就這么幾年的時間,如今已經(jīng)成功挺進(jìn)到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進(jìn)制程已經(jīng)即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

芯片的發(fā)展越來越迅速,先進(jìn)制程芯片量產(chǎn)的速度也是越來越快,從28納米,就這么幾年的時間,如今已經(jīng)成功挺進(jìn)到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進(jìn)制程已經(jīng)即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

當(dāng)然,如今全球企業(yè)在芯片先進(jìn)制程上依舊還在不斷努力中,三星,這個國際性的全能企業(yè),在3納米芯片方面也傳來了新進(jìn)展,據(jù)說三星準(zhǔn)備在3納米方面采用新工藝。那么,這次三星是否真能實現(xiàn)3納米的量產(chǎn)嗎?畢竟三星叫嚷3納米也已經(jīng)有很多年了,但是連影子都沒見到。

三星如今研發(fā)出這樣一個更加先進(jìn)的3納米制程工藝,那么究竟有沒有希望能挽回有點(diǎn)要跑掉的高通呢?

根據(jù)韓國媒體報道,三星今年準(zhǔn)備在韓國平澤市開工建設(shè)3納米晶圓廠,目前預(yù)計可能會在6月份還7月份動工,并且還準(zhǔn)備一并將相應(yīng)的設(shè)備落實到位。在3納米芯片的制程工藝上,三星大有破釜沉舟的樣子。

我國的臺積電也確實有向3納米芯片進(jìn)軍,但是,目前臺積電使用的可是比較傳統(tǒng)的FinFET工藝。而三星偏不,三星這次準(zhǔn)備用什么呢?準(zhǔn)備使用新工藝,準(zhǔn)備成為第一個吃螃蟹的人。這個新工藝就是GAA晶體管工藝。

三星的晶圓代工部門最近負(fù)面不斷,此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率,以致于高通這樣的VIP客戶都要出走,重新使用臺積電生產(chǎn)驍龍8處理器。

不過從技術(shù)上來說,三星現(xiàn)在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠,雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點(diǎn)上落后了一些,但在接下來的3nm節(jié)點(diǎn)三星更激進(jìn),要全球首發(fā)GAA晶體管工藝,放棄FinFET晶體管技術(shù),而臺積電的3nm工藝依然會基于FinFET工藝。

三星之前表示,GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管,通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應(yīng)管),該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說法,與7nm制造工藝相比,3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

當(dāng)然,這些還是紙面上的,三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少,光是量產(chǎn)就是個問題,之前三星宣傳2021年就量產(chǎn),實際上并沒有,最快也是今年,而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝,高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

據(jù)韓國媒體報道,三星已經(jīng)準(zhǔn)備在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠了,6、7月份動工,并及時導(dǎo)入設(shè)備。

按照這個進(jìn)度,今年的3GAE工藝應(yīng)該也只會是小規(guī)模試產(chǎn),大規(guī)模量產(chǎn)也要到明年了,跟臺積電的3nm工藝差不多,兩家都因為種種問題延期量產(chǎn)3nm工藝了。

3月9日消息,此前三星就曾宣布,其3nm工藝已經(jīng)研發(fā)完成,預(yù)計會在今年第二季度開始試產(chǎn),比臺積電的進(jìn)度更快。近日,韓國媒體報道稱,三星已經(jīng)準(zhǔn)備在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠,預(yù)計6月份前后動工,屆時就能導(dǎo)入設(shè)備并開始試產(chǎn)調(diào)試了。

顯然,這個進(jìn)度比三星公布的時間要慢不少,預(yù)計到年底也只能進(jìn)行小規(guī)模的量產(chǎn)。而臺積電的3nm工藝應(yīng)該也能在今年第四季度之前開始量產(chǎn),這樣一來兩家的時間就相差不多了,大規(guī)模量產(chǎn)都要拖到明年了。

不過,按照三星公布的消息,其3nm工藝采用的是更為先進(jìn)的GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),相比與臺積電的FinFET晶體管技術(shù)會更為先進(jìn)。在性能、功耗、芯片面積等各個方面,紙面參數(shù)都是要比臺積電3nm工藝更優(yōu)秀的。

相比與7nm工藝,三星3nm GAA工藝的芯片邏輯面積提高45%以上,功耗降低50%,性能提高約35%。如果真的能達(dá)到這樣的水準(zhǔn),那確實有機(jī)會在3nm技術(shù)上實現(xiàn)彎道超車,一舉追上臺積電。之前,三星的7nm、5nm工藝表現(xiàn)都不如臺積電,三星也是把寶都壓在了3nm工藝上,并且在技術(shù)上還領(lǐng)先了一步,希望這一次能有大幅提升

之前有傳言稱,臺積電的3nm工藝產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果、英特爾提前預(yù)定,高通、AMD等其他廠商分不到多少,所以準(zhǔn)備轉(zhuǎn)頭三星3nm。高通這邊想要第一時間用上先進(jìn)工藝,也就只能找三星了。如果三星3nm工藝能達(dá)到理論性能,那高通旗艦芯片也有機(jī)會迎來一波大的性能提升。


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