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[導(dǎo)讀]全球知半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)為滿足車(chē)載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種應(yīng)用中保護(hù)電路和開(kāi)關(guān)電路小型化需求,推出了PMDE封裝(2.5mm×1.3mm)產(chǎn)品,此次,又在產(chǎn)品陣容中新增14款機(jī)型。

全球知半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)為滿足車(chē)載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種應(yīng)用中保護(hù)電路和開(kāi)關(guān)電路小型化需求,推出了PMDE封裝(2.5mm×1.3mm)產(chǎn)品,此次,又在產(chǎn)品陣容中新增14款機(jī)型。

從車(chē)載設(shè)備到工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用中,二極管被廣泛用于電路整流、保護(hù)和開(kāi)關(guān)用途,為了削減安裝面積,要求減小二極管的封裝尺寸。此外,在這些應(yīng)用中,還需要使用更高性能的二極管來(lái)降低功耗。而另一方面,當(dāng)減小二極管的封裝尺寸時(shí),背面電極和模塑表面積也會(huì)減小,從而會(huì)導(dǎo)致散熱性變差。對(duì)此,ROHM的PMDE封裝通過(guò)擴(kuò)大背面電極和改善散熱路徑,提高了散熱性能。封裝小型化的同時(shí),實(shí)現(xiàn)與傳統(tǒng)封裝同等的電氣特性。

PMDE封裝是ROHM自有的小型封裝,具有與普通SOD-323封裝相同的焊盤(pán)圖案。通過(guò)改善背面電極和散熱路徑,用更小的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)了與普通SOD-123FL封裝(3.5mm×1.6mm)同等的電氣特性(電流、耐壓等),并且使安裝面積減少約42%,有助于電路板的小型化。此外,安裝強(qiáng)度約為SOD-123FL封裝的1.4倍,降低了電路板承受應(yīng)力時(shí)產(chǎn)生裂紋(產(chǎn)品龜裂)的風(fēng)險(xiǎn),因此安裝可靠性更高。

此次,PMDE封裝產(chǎn)品中,RBxx8系列肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”)新增了10款、RFN系列快恢復(fù)二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“FRD”)新增了2款、VS系列瞬態(tài)電壓抑制二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TVS”)新增了2款機(jī)型。電路中的很多用途均可通過(guò)小尺寸二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。

所有新產(chǎn)品從2022年1月起均已投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格:50日元~/個(gè),不含稅),樣品可通過(guò)Ameya360、Sekorm、RightIC、Oneyac等電商平臺(tái)購(gòu)買(mǎi)。

今后,ROHM將繼續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導(dǎo)體元器件的品質(zhì),并繼續(xù)加強(qiáng)別具特色的產(chǎn)品陣容,為應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻(xiàn)力量。

1. 以小型封裝實(shí)現(xiàn)與傳統(tǒng)封裝同等的性能

通常,半導(dǎo)體元器件將通電時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)到空氣中或電路板上。但是,當(dāng)減小封裝尺寸時(shí),背面電極和模塑表面積也會(huì)隨之減小,從而使散熱性變差。

對(duì)此,PMDE封裝通過(guò)擴(kuò)大背面電極面積,同時(shí)改善了散熱路徑,將經(jīng)由引線框架散熱改為直接散發(fā)到電路板上。這使散熱性能大幅提升,以更小的尺寸(2.5mm×1.3mm)即可實(shí)現(xiàn)與普通SOD-123FL封裝(3.5mm×1.6mm)同等的電氣特性,從而可減少約42%的安裝面積,非常適合元器件安裝密度不斷提高的車(chē)載應(yīng)用。

2. 確保比傳統(tǒng)封裝更高的可靠性

PMDE封裝通過(guò)擴(kuò)大其背面電極面積,增加了金屬部分所占的面積,從而實(shí)現(xiàn)了34.8N的貼裝強(qiáng)度,約為SOD-123FL封裝的1.4倍。該優(yōu)勢(shì)降低了電路板承受應(yīng)力時(shí)產(chǎn)生裂紋(產(chǎn)品龜裂)的風(fēng)險(xiǎn),有助于提高可靠性。此外,通過(guò)采用將芯片直接夾在框架之間的無(wú)線結(jié)構(gòu),還實(shí)現(xiàn)了出色的抗浪涌電流能力(IFSM)。即使在汽車(chē)引擎啟動(dòng)和家電運(yùn)行異常等突發(fā)大電流狀況下,也不易損壞,高可靠性得到保證。

PMDE封裝用更小的尺寸實(shí)現(xiàn)了與SOD-123FL封裝同等的電氣特性,并可確保優(yōu)于SOD-123FL封裝的散熱性能和安裝可靠性。此外,支持車(chē)載應(yīng)用的機(jī)型均符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101”*1。下面介紹采用了PMDE封裝的特色產(chǎn)品陣容。(SBD: 僅RBR系列從2021年6月開(kāi)始量產(chǎn)。)

1. SBD: RBxx8系列的特點(diǎn)(新產(chǎn)品)

SBD是具有低VF(正向電壓)*2和高效率特點(diǎn)的二極管。此次,具有超低IR(反向電流)*3特性、在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行的RBxx8系列中,又新增了10款耐壓為30V~150V的PMDE封裝產(chǎn)品。

?RBxx8系列的產(chǎn)品陣容表

2. SBD: RBR系列的特點(diǎn)(2021年8月發(fā)布)

RBR系列既確保了效率提升的關(guān)鍵要素——低VF特性,又保持了此消彼長(zhǎng)的低IR(反向電流)特性,是在兩個(gè)要素之間取得良好平衡的系列產(chǎn)品,已于2020年6月開(kāi)始量產(chǎn)。該系列的產(chǎn)品陣容中已有6款PMDE封裝的機(jī)型。

?RBR系列(PMDE封裝)的產(chǎn)品陣容表

3. FRD: RFN系列的特點(diǎn)(新產(chǎn)品)

FRD是具有與整流二極管同等的高耐壓(~800V)性能、在高頻工作時(shí)很重要的參數(shù)——trr*4(反向恢復(fù)時(shí)間)表現(xiàn)出色的二極管。RFN系列用小型PMDE封裝實(shí)現(xiàn)了與以往產(chǎn)品同等的電氣特性。

?RFN系列(PMDE封裝)的產(chǎn)品陣容表

4. TVS: VS系列的特點(diǎn)(新產(chǎn)品)

TVS是用來(lái)吸收引擎啟動(dòng)或故障等情況下產(chǎn)生的突發(fā)電壓(浪涌*5)并使其降至一定電壓的二極管。VS系列支持范圍寬達(dá)5V~130V的各種截止電壓(VRWM)。(在5V~130V之間,分32檔設(shè)置各截止電壓)

?VS系列(PMDE封裝)的產(chǎn)品陣容表

<應(yīng)用示例>

<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

*1) 汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫(xiě),是大型汽車(chē)制造商和大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的針對(duì)汽車(chē)電子元器件的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。Q101是有關(guān)分立半導(dǎo)體元器件(晶體管、二極管等)的標(biāo)準(zhǔn)。

*2) 正向電壓: VF(Forward Voltage)

當(dāng)電流沿從+到-的方向流動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的壓降。該值越低,效率越高。

*3) 反向電流: IR(Reverse Current)

施加反向電壓時(shí)產(chǎn)生的反向電流。該值越低,功耗(反向功耗)越小。

*4) 反向恢復(fù)時(shí)間:trr(reverse recovery time)

在進(jìn)行開(kāi)關(guān)時(shí),二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低,開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。

*5) 浪涌

突發(fā)的大電壓或大電流。在不同的應(yīng)用中,會(huì)因靜電、雷擊、引擎啟動(dòng)時(shí)的波動(dòng)等因素而造成浪涌,在設(shè)計(jì)電路時(shí),必須配備即使在這些情況下也不會(huì)發(fā)生故障的保護(hù)電路。

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