今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產(chǎn)品LTC7050的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。

LTC7050是采用5mm × 8mm LQFN封裝的雙通道SilentMOS智能功率級，LTC7050雙通道單片式功率級在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅(qū)動器和低電阻半橋電源開關(guān)，以及全面的監(jiān)控和保護(hù)電路。借助合適的高頻控制器，該功率級可形成具有先進(jìn)的效率和瞬態(tài)響應(yīng)的緊湊型大電流電壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)。

SilentMOS技術(shù)采用第二代Silent Switcher 2架構(gòu)，可降低EMI和開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓過沖，同時較大限度地提高在高開關(guān)頻率下的效率。

高速電流檢測可提供低延遲開關(guān)電流信息，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的電流平衡和即時過流保護(hù)。熱增強(qiáng)型封裝提供雙路40A額定連續(xù)輸出電流能力。

LTC7050智能功率級各引腳功能如下：

RUN1、RUN2：運(yùn)行引腳。當(dāng)此引腳被驅(qū)動為高電平時，啟用。當(dāng) RUN 為低電平時，SW 節(jié)點(diǎn)處于高阻態(tài)。

PWM1、PWM2：PWM 輸入引腳。 RUN 驅(qū)動為高電平時，SW 名義上將跟隨此引腳為高電平、低電平和高阻態(tài)。標(biāo)稱 3V CMOS 邏輯電平;可以用 3V 至 5V CMOS 信號驅(qū)動。當(dāng)處于高阻態(tài)時，電阻分壓器將電壓保持在 1.7V。

ISNS1、ISNS2：電流檢測引腳。該引腳提供/吸收等于 1/100,000 SW 節(jié)點(diǎn)電流的瞬時電流，正負(fù)。

FLTB1、FLTB2：故障條引腳。當(dāng)芯片/通道遇到 OC 或 OCN 等故障條件時，該開漏引腳會拉低。

TMON/FLT：溫度監(jiān)控器/故障引腳。該引腳提供 0.6V 至 1.8V 的電壓(以 SGND 為參考)，對應(yīng)于 0°C 至 150°C 的芯片溫度，增益為 8mV/°C。高于 150°C，引腳被拉高以指示過熱 (OT) 故障。該引腳具有有限的電流吸收能力，因此可以將多個類似的引腳連接在一起以實(shí)現(xiàn)最高溫度和單次 OT 故障報告。

TDIO：溫度二極管引腳。 該引腳為 SGND 提供參考二極管，用于測量芯片溫度。

PVCC：5V 驅(qū)動器電源。該引腳直接為低壓側(cè)柵極驅(qū)動器供電，并通過一個在 SW 上的內(nèi)部自舉電源為高壓側(cè)柵極驅(qū)動器供電。 使用 10μF 陶瓷電容將此引腳旁路至靠近芯片的 PGND。

VCC：5V 電源。 使用 1μF 陶瓷電容將該引腳旁路至靠近芯片的 SGND。

VIN：功率級電源。 該引腳通過高端 N 溝道 FET 連接到 SW。

SW1、SW2：功率級開關(guān)節(jié)點(diǎn)。功率級的輸出，該節(jié)點(diǎn)通過高端 N 溝道 FET 連接到 VIN，并通過低端 N 溝道 FET 連接到 PGND。

PGND：功率級接地。 該引腳通過低側(cè) N 溝道 FET 連接到 SW。 還為驅(qū)動程序供電。

SGND：電路接地。

在正常操作中，PWMHI 開啟高端 FET，而 PWMLO 開啟低端 FET。 SW 節(jié)點(diǎn)以典型的 10ns 延遲跟隨 PWM 引腳。 在 SW 從 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死區(qū)時間，在 SW 下降之后有一個典型的 3ns 死區(qū)時間。 高端 FET 驅(qū)動器通過內(nèi)部集成開關(guān)和電容器從內(nèi)部 BST 節(jié)點(diǎn)到 SW 供電，與典型二極管相比可實(shí)現(xiàn)更低的壓降以及更高頻率的操作。

實(shí)時電流檢測放大器提供按比例縮小的 SW 電流版本。在 PWMHI 或 PWMLO 期間，ISNS 引腳根據(jù) SW 電流方向提供或吸收等于瞬時 SW 電流的 1/100,000 的電流。 相關(guān)的電流比較器標(biāo)記高側(cè) FET 正過流 (OC) 和低側(cè) FET 負(fù)過流 (OCN) 情況。 兩個 FET 的零電流也由相關(guān)的電流比較器檢測。

TMON 由一個可以提供電流但吸收能力有限的放大器驅(qū)動。 這允許多個 TMON 引腳并聯(lián)，并報告最高溫度。過熱在 150°C(典型值)時觸發(fā)，并導(dǎo)致 TMON 引腳被拉高至 VCC。 一旦內(nèi)部溫度降至閾值以下 20°C(典型值)，過熱故障將被清除。 TDIO 引腳在內(nèi)部連接到 P/N 結(jié)二極管的陽極，而陰極連接到 SGND。 它為 LTC3884-1 等控制器提供了另一種管芯溫度測量方法，以使用直接 VBE 方法或 ΔVBE 方法測量管芯溫度

以上所有內(nèi)容便是小編此次為大家?guī)淼挠嘘P(guān)ADI智能功率級產(chǎn)品LTC7050的所有介紹，如果你想了解更多有關(guān)它的內(nèi)容，不妨在我們網(wǎng)站或者百度、google進(jìn)行探索哦。