4月10日消息，日前，英特爾CEO基辛格(Pat Gelsinger) 到訪臺(tái)灣，除了與ABF 載板大廠欣興電子會(huì)談，保障產(chǎn)能供應(yīng)之外，還再次與臺(tái)積電高層進(jìn)行了會(huì)面。此次英特爾與臺(tái)積電會(huì)面，除了針對(duì)先前的先進(jìn)制程訂單再次進(jìn)行確認(rèn)與了解之外，更大的重點(diǎn)則放在臺(tái)積電的成熟制程上，基辛格希望借由臺(tái)積電成熟制程產(chǎn)能的協(xié)助，以緩解當(dāng)前市場(chǎng)短缺的網(wǎng)絡(luò)芯片生產(chǎn)問題。

據(jù)外媒體報(bào)導(dǎo)指出，當(dāng)前市場(chǎng)上數(shù)據(jù)中心所需的服務(wù)器需求仍舊持續(xù)旺盛，使得相關(guān)網(wǎng)絡(luò)芯片短缺的情況一直沒有好轉(zhuǎn)的跡象，甚至有日趨嚴(yán)重的趨勢(shì)。而根據(jù)供應(yīng)鏈指出，針對(duì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器所需的網(wǎng)絡(luò)芯片，英特爾方面當(dāng)前以10G LAN 區(qū)域網(wǎng)絡(luò)芯片短缺最為嚴(yán)重，甚至已經(jīng)影響到整體服務(wù)器的出貨狀況，在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD 針對(duì)數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)來勢(shì)洶洶的發(fā)展下，英特爾為了鞏固該市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，則不得不請(qǐng)臺(tái)積電協(xié)助。

事實(shí)上，在網(wǎng)絡(luò)芯片領(lǐng)域，英特爾與臺(tái)積電都持續(xù)保持著合作的關(guān)系。不過，在前一段時(shí)間全球車用芯片大缺貨的情況下，臺(tái)積電在當(dāng)前有限的成熟制程產(chǎn)能當(dāng)中，已經(jīng)加入為車用芯片擴(kuò)產(chǎn)的使用。因此，英特爾希望臺(tái)積電能提供從90、65、40/45nm，甚至是當(dāng)前最熱門的28 nm制程成熟制程的較多產(chǎn)能，就是基辛格本次再來拜訪臺(tái)積電的主要重點(diǎn)，用以協(xié)助解決英特爾網(wǎng)絡(luò)芯片短缺的情況。

而從臺(tái)積電先前法說會(huì)中也提到，隨著對(duì)運(yùn)算能力需求的提升，HPC 將成為臺(tái)積電長(zhǎng)期成長(zhǎng)的最強(qiáng)勁動(dòng)力，為臺(tái)積電營(yíng)收的成長(zhǎng)帶來最大貢獻(xiàn)。其中CPU、GPU 和AI accelerators 為高效能運(yùn)算平臺(tái)上的主要成長(zhǎng)動(dòng)能。這使得臺(tái)積電認(rèn)為，長(zhǎng)期毛利率達(dá)53% 以上是可實(shí)現(xiàn)的，并且可以獲得持續(xù)并適當(dāng)?shù)膱?bào)酬，使股東回報(bào)率(ROE) 達(dá)到25% 以上。所以，基于此說法，就證明以數(shù)據(jù)中心為主的高效能運(yùn)算為臺(tái)積電倚重的2022 年?duì)I收成長(zhǎng)主要來源之一，也可印證英特爾為什么如此看中網(wǎng)絡(luò)芯片短缺對(duì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器出貨延宕所造成的壓力，需要再次造訪臺(tái)積電以期望能提供更多成熟制程產(chǎn)能，以幫忙解決問題。只是，即使臺(tái)積電能答應(yīng)出手幫忙，能緩解多少缺芯片的狀況則仍無法確認(rèn)。

隨著全球芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，芯片制造技術(shù)的重要性與日遞增。與常規(guī)的科技產(chǎn)品不同，集成電路產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到制造，往往需要數(shù)十家公司相互之間達(dá)成合作。

越是先進(jìn)的芯片，就越依靠芯片產(chǎn)業(yè)全球化的運(yùn)作模式。但是，在美修改芯片規(guī)則之后，芯片產(chǎn)業(yè)的全球化運(yùn)作模式開始遭受影響，越來越多的國(guó)家開始嘗試自己生產(chǎn)芯片，以擺脫對(duì)于外界芯片產(chǎn)業(yè)鏈的過度依賴。

作為全球最大的晶圓代工機(jī)構(gòu)，臺(tái)積電自然不愿看到自己的客戶出現(xiàn)流失。為此，臺(tái)積電開始從先進(jìn)封裝工藝入手，在不提升芯片制程工藝的情況下，來提升芯片產(chǎn)品的綜合性能。

對(duì)此，就有業(yè)內(nèi)分析人士指出：臺(tái)積電正在試圖擺脫規(guī)則變動(dòng)所帶來的影響，為更多的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)提供代工服務(wù)。

在臺(tái)積電官宣布3D晶圓堆疊技術(shù)之后，蘋果也宣布了基于先進(jìn)封裝工藝設(shè)計(jì)的芯片產(chǎn)品M1 Ultra芯片，這顆通過先進(jìn)封裝技術(shù)連接的芯片，其芯片性能幾乎實(shí)現(xiàn)了“翻倍”。

在這樣的局面之下，臺(tái)積電的好消息也越來越多，據(jù)外媒爆料：芯片巨頭英特爾公司的CEO 帕特·基辛格，在近日低調(diào)反問了臺(tái)積電。雖然，此行的具體時(shí)間并未透漏，但是，帕特·基辛格此行的目的被明確，那就是為了尋求臺(tái)積電的芯片產(chǎn)能支持。

具體來說，帕特·基辛格此行不僅是為了確保他們尚未進(jìn)入量產(chǎn)的7nm及以下的先進(jìn)制程工藝的產(chǎn)能，也希望得到28nm等成熟制程工藝下的產(chǎn)能支持，從而緩解其晶片供應(yīng)的緊缺現(xiàn)狀。

此前，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀，就曾對(duì)美國(guó)本土化制造芯片進(jìn)行表態(tài)，并表示“美本土化制造芯片，由于其產(chǎn)業(yè)鏈的不完整、芯片制造成本過高，幾乎無法取得成功?！?

如今來看，張忠謀果然沒有說錯(cuò)，就連此前對(duì)外界宣布將進(jìn)入芯片代工領(lǐng)域的英特爾，也開始尋求其芯片代工產(chǎn)能的援助。

此外，在1月和3月，英特爾分別宣布進(jìn)一步投資200億美元(每項(xiàng)可能高達(dá)1000億美元)，用于俄亥俄州("硅中心地帶")和德國(guó)("硅交界處")的新晶圓廠。顯然，這些晶圓廠將用于英特爾自身及其代工廠的產(chǎn)能要求。

投資者應(yīng)該注意，代工廠的設(shè)計(jì)周期可能需要數(shù)年時(shí)間才能從設(shè)計(jì)開始到批量增加。這意味著在收入方面，IFS將需要一段時(shí)間才能增加。

但是，正如我之前所討論的那樣，這也意味著英特爾已經(jīng)為其(潛在)客戶提供用于其18A工藝技術(shù)的PDK，英特爾聲稱它將重新獲得半導(dǎo)體工藝領(lǐng)導(dǎo)地位。

換句話說，IFS業(yè)務(wù)絲毫沒有受到英特爾目前缺乏行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)力的影響，因?yàn)楫?dāng)IFS收入開始上升時(shí)(正如英特爾2026年90億美元的非官方目標(biāo)所表明的那樣)，如果它成功執(zhí)行其路線圖，英特爾將重新獲得領(lǐng)導(dǎo)地位。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，英偉達(dá) CEO黃仁勛日前透露，Intel有意讓我們使用他們的制造工廠，我們對(duì)這種合作非常感興趣，但是具體的代工合同需要很長(zhǎng)時(shí)間的討論，因?yàn)檫@涉及到整個(gè)供應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈，不像買瓶牛奶那么簡(jiǎn)單。

考慮到以往的情況，黃仁勛這番表態(tài)可以說石破天驚，這可能是改寫晶圓代工產(chǎn)業(yè)的一個(gè)決策。

對(duì)于NIVIDA與Intel的代工合作，中國(guó)臺(tái)灣著名半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師陸行之表示，黃仁勛表態(tài)考慮Intel工代一事是分散代工風(fēng)險(xiǎn)，但他的主要目的還是利用與Intel的合作來壓制臺(tái)積電先進(jìn)工藝漲價(jià)。

此外，他還提到了Altera、高通及NVIDIA自己轉(zhuǎn)單代工廠的慘痛教訓(xùn)，換一個(gè)代工廠并不是那么容易的。

對(duì)NVIDIA來說，不論目的是分散風(fēng)險(xiǎn)，還是給臺(tái)積電壓價(jià)，選擇Intel代工也不是一句話的事，目前Intel的晶圓廠依然是優(yōu)先滿足自家芯片生產(chǎn)，對(duì)外提供代工的工藝是Intel 3及18A，其中18A工藝對(duì)無晶圓芯片公司比較有吸引力，預(yù)計(jì)在2024年下半年量產(chǎn)。

眾所周知，在半導(dǎo)體制程工藝節(jié)點(diǎn)的命名上，通常是按照晶體管柵極長(zhǎng)度來命名，數(shù)字越小越好。但是在多年前，不少?gòu)S商為了取得市場(chǎng)營(yíng)銷上的優(yōu)勢(shì)，就已經(jīng)脫離了嚴(yán)格按照晶體管柵極長(zhǎng)度來命名制程工藝節(jié)點(diǎn)的方式，所以目前即使在同樣的節(jié)點(diǎn)的命名下，各家在實(shí)際性能上也有著非常大的差異。

目前，單純從節(jié)點(diǎn)命名上來看，臺(tái)積電和三星今年將量產(chǎn)第二代的5nm工藝，相對(duì)于英特爾來說，處于領(lǐng)先的地位。但是從具體的性能來看，臺(tái)積電的5nm性能是領(lǐng)先于三星的，而英特爾公布的數(shù)據(jù)則顯示，其即將推出的7nm工藝性能則與臺(tái)積電5nm相當(dāng)。

此前英特爾在推出10nm工藝之時(shí)，曾極力推動(dòng)以晶體管密度來衡量制程工藝性能，但收效不佳?；蛟S是為了規(guī)避目前混亂的制程工藝節(jié)點(diǎn)命名方式給英特爾帶來的不利的競(jìng)爭(zhēng)影響，此次英特爾公布未來制程工藝路線圖時(shí)，也對(duì)其工藝節(jié)點(diǎn)的命名方式進(jìn)行了重構(gòu)。

英特爾引入了基于關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)——包括性能、功耗和面積等的新命名體系。從上一個(gè)節(jié)點(diǎn)到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)命名的數(shù)字遞減，反映了對(duì)這些關(guān)鍵參數(shù)改進(jìn)的整體評(píng)估。