ADI LTC7050-1雙通道單片式功率級將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。

LTC7050-1雙通道單片式功率級在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅動器和低電阻半橋電源開關，以及全面的監(jiān)控和保護電路。借助合適的高頻控制器，該功率級可形成具有先進的效率和瞬態(tài)響應的緊湊型大電流穩(wěn)壓器系統(tǒng)。

SilentMOS技術采用第二代Silent Switcher 2架構，可降低EMI和開關節(jié)點電壓過沖，同時盡可能提升高開關頻率下的效率。

高速電流檢測可提供低延遲開關電流信息，從而實現(xiàn)嚴格的電流平衡和即時過流保護。

熱增強型封裝提供雙路35A額定輸出電流能力。

當高端 FET 開啟時，>93A 的瞬時 SW 電流(流出 SW 的凈電流)將使過流 (OC) 比較器跳閘并設置內部 OC 狀態(tài)。 發(fā)生這種情況時，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，高端 FET 都將關閉，而低端 FET 將打開，直到 SW 電流降至 5A，此時 OC 狀態(tài)將被復位。恢復正常的 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作。 當?shù)蛡?FET 開啟時，<–45A 的瞬時 SW 電流(流入 SW 的凈電流)將使 OCN 比較器跳閘。發(fā)生這種情況時，無論 PWM 引腳狀態(tài)如何，低端 FET 將關閉，高端 FET 將打開，直到 SW 電流增加到 –8A，此時 OCN 狀態(tài)將被復位。 正常 PWMHI 到高端 FET 和 PWMLO 到低端 FET 操作恢復。 在 OC 或 OCN 條件下，F(xiàn)LTB 被拉低。

如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>5A) 電流仍從 VIN 流經頂部 FET 到 SW，則頂部 FET 將關閉，底部 FET 將打開以續(xù)流電流，直到它已經 斜降。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥8A) 電流仍從 SW 流經頂部 FET 到 VIN，則頂部 FET 將在電流下降之前不會關閉。同樣，如果 PWM 從低電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (≥8A) 電流仍從 SW 流經底部 FET 到 PGND，則底部 FET 將關閉，而頂部 FET 將打開以續(xù)流電流，直到 它已經降低了。 如果 PWM 從高電平變?yōu)?Hi-Z 狀態(tài)，而大 (>5A) 電流仍從 PGND 流經底部 FET 到 SW，則底部 FET 將在電流下降之前不會關閉。

LTC7050-1 雙通道單片式功率級的 VCC 和 PVCC 應在 VIN 出現(xiàn)之前偏置，并在 VIN 移除后斷電。 不要強制 RUN 引腳電壓高于 VCC 電壓。 在啟用 PWM 控制器之前，確保 LTC7050-1 雙通道單片式功率級已被適當?shù)仄?，并?LTC7050-1 的 RUN 引腳被上拉。

ISNS 提供和吸收 SW 電流的 1/100,000 的電流。根據(jù)控制器的最大電流感應信號范圍，選擇合適的電阻將 ISNS 電流轉換為反映實時 SW 電流的差分電壓信號。電阻器應偏置在具有灌電流和拉電流能力的低阻抗共模電壓。確保在最大正電流和負電流下，ISNS 引腳電壓在規(guī)定范圍內，使增益 ISNS/ISW 保持恒定。該數(shù)據(jù)表的第一頁顯示了一個通用的 LTC7050-1 應用電路。 LTC7050-1 雙通道單片式功率級針對高頻大電流穩(wěn)壓器的應用進行了優(yōu)化。外部元件的選擇很大程度上取決于負載要求，首先是選擇開關頻率 fSW 和電感器 L。一旦選擇了電感器，就可以選擇輸入電容 CIN 和輸出電容 COUT。選擇 ISNS 電阻器來設置電流限制。

開關頻率的選擇是效率和元件尺寸之間的權衡。 低頻操作通過減少 FET 開關損耗來提高效率，但需要更大的電感和/或電容來保持低輸出紋波電壓。在選擇開關頻率時，確保最大輸入電壓下的高端導通時間長于 LTC7050-1 雙通道單片式功率級的最小導通時間 tON(MIN)，這是 LTC7050-1 能夠實現(xiàn)的最小持續(xù)時間 打開頂部 FET。 它由內部時序延遲、功率級時序延遲和開啟頂部 FET 所需的柵極電荷決定。

LTC7050-1 應通過低阻抗電源層連接至 VIN 電源。 陶瓷輸入電容器應放置在物理上盡可能靠近封裝的位置，其尺寸和數(shù)量適合溫升和紋波電流，計算如下。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。