近日美系外資投行發(fā)布最新研究報(bào)告指出，2021 年到2025 全球晶圓代工的復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)到16%。主要原因在于，全球半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)快速、美元強(qiáng)勁推動(dòng)終端設(shè)備的內(nèi)容增長(zhǎng)、加上新一輪晶圓代工價(jià)格調(diào)漲，這為晶圓代工產(chǎn)業(yè)帶來(lái)令人期待的遠(yuǎn)景。報(bào)告預(yù)測(cè)稱(chēng)，2025 年的全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將達(dá)到1,810 億美元，使得2021 年到2025 全球晶圓代工的復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)到16%。而當(dāng)中的先進(jìn)制程年復(fù)合成長(zhǎng)率預(yù)期將達(dá)到23%，成熟制程則是達(dá)到10% 的水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)先進(jìn)制程龍頭大廠臺(tái)積電將受益。

自2020年下半年以來(lái)，晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)緊張，在驅(qū)動(dòng)IC和功率器件等需求刺激下，主要晶圓代工產(chǎn)能利用率均超過(guò)95%，維持較高位置。一方面是因?yàn)樾袠I(yè)一直處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，而且已經(jīng)持續(xù)了約一年時(shí)間。另一方面，華為禁令效應(yīng)也在客觀上起到了促進(jìn)作用。近期，全球幾大晶圓代工廠將今年二季度代工價(jià)較上一季度再次上調(diào)10-20%，整體漲幅與第一季度相似。但從個(gè)別合同來(lái)看，部分代工價(jià)漲幅高達(dá)50%。即便是所有晶圓代工廠的產(chǎn)線都處于滿載狀態(tài)，也加大了付運(yùn)晶圓的數(shù)量，當(dāng)下的產(chǎn)能緊缺情況依舊難以緩解，而其中8英寸晶圓代工廠產(chǎn)能最為緊張。

晶圓代工是典型的寡頭壟斷型行業(yè)，技術(shù)、人才、資本缺一不可。且代工技術(shù)迭代快，馬太效應(yīng)明顯。從市場(chǎng)格局來(lái)看，2020年全球市場(chǎng)前五的晶圓代工市占率達(dá)90%，臺(tái)積電以56%的市場(chǎng)占有率處于絕對(duì)領(lǐng)先的地位，三星和聯(lián)電分列第二、第三，大陸廠商中芯國(guó)際暫列第五。在目前臺(tái)積電的邏輯技術(shù)中，最先進(jìn)制程已從7nm交棒給5nm，很快將由3nm繼承。相較于5nm制程，3nm制程速度增快15%，功耗降低30%，邏輯密度增加70%。3nm將持續(xù)采用FinFET結(jié)構(gòu)，計(jì)劃于2022年下半年在晶圓18廠量產(chǎn)，“將成為世界上最先進(jìn)的技術(shù)”。

根據(jù)ICInsights公布的2021年純晶圓代工行業(yè)全球市場(chǎng)銷(xiāo)售額排名，中芯國(guó)際位居全球第四位，在中國(guó)大陸企業(yè)中排名第一;華虹集團(tuán)排名第五，緊隨其后。滬上某公募基金科技研究總監(jiān)對(duì)第一財(cái)經(jīng)表示，華虹走的不是摩爾定律的方向，而是往特色工藝上做，比如說(shuō)PMIC電源管理芯片，功率、IGBT;中芯國(guó)際的方向則是朝著先進(jìn)市場(chǎng)、往國(guó)際市場(chǎng)走。雖然拿華虹和中芯做比較有點(diǎn)“關(guān)公戰(zhàn)秦瓊”的感覺(jué)，但在國(guó)內(nèi)，“他們?cè)诟髯灶I(lǐng)域里，都是國(guó)產(chǎn)公司里面最厲害的。” 除了先進(jìn)制程，中芯國(guó)際也在發(fā)展特色工藝。55納米BCD平臺(tái)進(jìn)入產(chǎn)品導(dǎo)入，55納米及40納米高壓顯示驅(qū)動(dòng)平臺(tái)進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，0.15微米高壓顯示驅(qū)動(dòng)進(jìn)入批量生產(chǎn)。多種特色工藝平臺(tái)研發(fā)也在穩(wěn)步進(jìn)行中，將按照既定研發(fā)節(jié)奏陸續(xù)交付。

早在2021年6月，就傳出采用GAAFET(全環(huán)繞柵極晶體管)技術(shù)的三星3nm工藝已成功流片，距離量產(chǎn)又更近了一步。但流片成功是一回事，但實(shí)際量產(chǎn)又是另一個(gè)緯度。有韓國(guó)媒體報(bào)道顯示，三星電子3nm制程工藝的良品率僅有10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙扎。臺(tái)積電3nm工藝預(yù)計(jì)2022年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并繼續(xù)采用相對(duì)成熟的FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)。相信除去蘋(píng)果與NVIDIA這兩位有實(shí)力的客戶(hù)外，英特爾與AMD也在爭(zhēng)取臺(tái)積電3nm先進(jìn)工藝的產(chǎn)能。

晶圓代工市場(chǎng)本就存在激烈的競(jìng)爭(zhēng)。臺(tái)積電與三星本就“打”的不可開(kāi)交，英特爾也試圖通過(guò)宣布重新進(jìn)入晶圓代工來(lái)撼動(dòng)競(jìng)爭(zhēng)局面。三星和臺(tái)積電目前正在準(zhǔn)備量產(chǎn)3nm工藝。

據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電3nm制程今年8月將導(dǎo)入量產(chǎn)，但臺(tái)積電為取得更強(qiáng)的主動(dòng)權(quán)，決定讓3nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)轉(zhuǎn)戰(zhàn)1.4nm，并預(yù)定下個(gè)月鳴槍起跑，投入確認(rèn)技術(shù)規(guī)格的第一階段開(kāi)發(fā)，這也為臺(tái)積電準(zhǔn)備跨足1nm世代。在3nm尚未開(kāi)始量產(chǎn)的情況下，運(yùn)營(yíng)一支將在遙遠(yuǎn)的未來(lái)商業(yè)化的1.4nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，臺(tái)積電有意識(shí)地追逐競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。