2022 年 5 月 27 日，中國——意法半導(dǎo)體發(fā)布了IPS1025H 和IPS1025H-32單通道可編程高邊開關(guān)。這兩款開關(guān)內(nèi)置欠壓保護(hù)、過壓保護(hù)、過載保護(hù)、過熱保護(hù)功能，能夠智能驅(qū)動(dòng)高啟動(dòng)電流的容性負(fù)責(zé)、阻性負(fù)責(zé)或感性負(fù)載。

IPS1025H和IPS1025H-32的不同之處在于內(nèi)部可編程限流大小。IPS1025H的限流值是2.5A，而 IPS1025H-32則限流5.7A。除了主限流之外，每個(gè)開關(guān)還有一個(gè)用戶可編程的輔助限流功能，用于處理初始啟動(dòng)電流很大的容性負(fù)載。限流值和持續(xù)時(shí)間是用外部電阻和電容來設(shè)置具體數(shù)值。

這兩款器件尺寸緊湊，支持8V 到 60V 寬壓電源，輸入引腳最大耐壓 65V，能夠在工業(yè)應(yīng)用中進(jìn)行可靠性工作。IPS1025H 的典型用途包括驅(qū)動(dòng) PLC 模塊控制的負(fù)載，以及用于設(shè)計(jì) I/O 外圍設(shè)備和 CNC 機(jī)器等工廠自動(dòng)化設(shè)備。IPS1025H-32的最大限流值更高，非常適合驅(qū)動(dòng)自動(dòng)售貨機(jī)等設(shè)備的單向電機(jī)。

因?yàn)閷?dǎo)通電阻Rds(on)很低(在TJ = 125 °C時(shí)，≤ 25 mΩ)，這兩款高集成度的MOSFET開關(guān)具有高能效和低熱耗散功率，單脈沖雪崩能量在 2A 時(shí)大于 1J，提高了處理感性負(fù)載時(shí)的可靠性。片上集成的有源鉗位電路具有快速退磁功能。

意法半導(dǎo)體新推出的可編程開關(guān)具有全面的保護(hù)診斷功能，可通過處理欠壓、過壓、過載、短路、接地或電源軌斷開等事件來提高芯片的安全性和可靠性。該開關(guān)用單獨(dú)的故障信號(hào)指示過載和結(jié)過熱事件，還增加了一個(gè)外殼過熱保護(hù)溫度傳感器。這些開關(guān)符合 IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 的 ESD、快速瞬變和浪涌抗擾度規(guī)范。

意法半導(dǎo)體還為開發(fā)者快速評(píng)估開關(guān)功能提供演示板和軟件，其中包括可與 STM32 Nucleo 開發(fā)板配合使用的X-NUCLEO-OUT05A1 和X-NUCLEO-OUT06A1數(shù)字輸出擴(kuò)展板，以及與擴(kuò)展 STM32 功能的X-CUBE-OUT5 軟件包相關(guān)的驅(qū)動(dòng)軟件。意法半導(dǎo)體還提供圖形用戶界面軟件 (STSW-IFAPGUI) 的源代碼，幫助用戶在桌面上實(shí)現(xiàn)完整的工業(yè)自動(dòng)化環(huán)境。