在先進芯片工藝上，美國廠商也落后于臺積電、三星了，這兩家量產或者即將量產的7nm、5nm及3nm遙遙領先，然而美國還有更多的計劃，并不一定要在先進工藝上超越它們，甚至準備逆行，復活90nm工藝，制造出來的芯片性能是7nm芯片的50倍。

美國晶圓廠SkyWater日前宣布獲得美國國防部下屬的DARPA的進一步資助，后者將給予2700萬美元以推動開發(fā)90nm戰(zhàn)略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術平臺，總的投資計劃高達1.7億美元。

相比臺積電、三星、Intel等半導體公司，SkyWater不僅規(guī)模小，而且資歷也淺，2017年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導體公司的芯片制造部門，工藝并不先進，主要生產130nm及90nm，部分先進芯片才到65nm級別。

然而他們卻得到了美國DARPA的青睞，成立沒多久就開始參與后者的ERI電子復興計劃，該計劃在5年內投資15億美元，推動美國半導體行業(yè)發(fā)展。

ERI計劃中，SkyWater并沒有追求技術更強但更昂貴的先進工藝，而是用90nm工藝制造3D SoC芯片，通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現更強的性能，性能可達7nm芯片的50倍。

當然，這些技術現在還沒有實現完全突破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導體行業(yè)規(guī)則的新技術。

隨著全球科技產業(yè)的快速發(fā)展，芯片制造技術的重要性與日遞增。據相關數據統(tǒng)計：我國每年在集成電路商品的進口額上，就要高達3000多億美元，遠超第二類的不可再生資源——石油。

尤其是在互聯(lián)網產業(yè)高度發(fā)達的今天，軍民兩用市場，對于芯片產品的依賴性仍在不斷增強，芯片產品的國產化刻不容緩。

在前不久，蘋果、谷歌以及臺積電等企業(yè)，紛紛宣布暫停對俄羅斯企業(yè)提供技術服務。這對于芯片本就極度依賴外界供應的俄羅斯而言， 無疑是雪上加霜。

加上ASML不再供應光刻機，俄羅斯企業(yè)生產芯片產品的難度有多高可想而知。在這樣的局面之下，為消除外企撤離所帶來的影響，俄羅斯擬用9000億盧布支持本土企業(yè)發(fā)展ICT行業(yè)，彌補互聯(lián)網產業(yè)的技術短板。

同時，俄羅斯技術學院也傳來了將研發(fā)無掩膜X射線光刻機的消息。據悉，這款光刻機的性能，可以對標EVU光刻機的制程精度，只不過不適合大規(guī)模的芯片量產。

如此一來，俄羅斯的高端芯片產品供應，就會逐步得到解決。但是，相較于高端芯片的供應而言，90nm、52nm等成熟制程工藝的芯片供應，才是其最想要解決的問題。

要知道，芯片性能不夠還可以通過兩顆、三顆來湊，要是沒有與芯片制造相關的產業(yè)鏈，連一顆芯片都生產不出來，又何談去進行替代?

在這樣的局面之下，俄羅斯有傳出來了新的消息，事關90nm等成熟制程工藝芯片的量產。

據外媒爆料，俄羅斯有關部門，已經制定了微電子發(fā)展計劃的初步版本，該計劃預計將在2030年之前投資3.19萬億盧布，用于開發(fā)國產半導體生產技術、國內芯片開發(fā)、數據中心基礎設施開發(fā)、國產人才的聚集以及自制芯片和解決方案的營銷。

并且，俄羅斯還重啟了當地最大的晶圓代工廠，計劃在年底實現90nm制程芯片的量產。

首先，將進一步減少對于外界的芯片產品依賴，從成熟制程工藝下的產品開始，逐步實現本土化的設計、量產和銷售。這對于外界依靠芯片代工業(yè)務為生的企業(yè)而言，并不會是一個好消息，俄羅斯國產芯片的占比增加，就會導致其芯片進口需求減少。

其次，滿足當地科技產業(yè)的需求，芯片產品在科技領域的占比極高。俄羅斯國產芯片的問世，主要也是為了滿足自身的實際需求，并不是一筆沒有回報的投資。

在先輩芯片工藝上，美國廠商也落后于臺積電、三星了，這兩家量產或者即將量產的7nm、5nm及3nm遙遙領先，然而美國還有更多的計劃，并不一定要在先輩工藝上超越它們，甚至準備逆行，回生90nm工藝，制造出來的芯片機能是7nm芯片的50倍。

美國晶圓廠SkyWater日前宣布獲得美國國防手下屬的DARPA的進一步資助，后者將給予2700萬美元以推動開辟90nm計謀抗輻射 (RH90) FDSOI 技巧平臺，總的投資計劃高達1.7億美元。

比擬臺積電、三星、Intel等半導體公司，SkyWater不僅規(guī)模小，而且資歷也淺，2017年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導體公司的芯片制造部門，工藝并不先輩，主要臨盆130nm及90nm，部分先輩芯片才到65nm級別。

然而他們卻獲得了美國DARPA的青睞，成立沒多久就開始介入后者的ERI電子中興計劃，該計劃在5年內投資15億美元，推動美國半導體行業(yè)成長。

ERI計劃中，SkyWater并沒有追求技巧更強但更昂貴的先輩工藝，而是用90nm工藝制造3D SoC芯片，經由過程集成電阻RAM、碳納米管等材料實現更強的機能，機能可達7nm芯片的50倍。

當然，這些技巧現在還沒有實現完全沖破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導體行業(yè)規(guī)則的新技巧。

美國晶圓廠SkyWater日前宣布獲得美國國防部下屬的DARPA的進一步資助，后者將給予2700萬美元以推動開發(fā)90nm戰(zhàn)略抗輻射 (RH90) FDSOI 技術平臺，總的投資計劃高達1.7億美元。

相比臺積電、三星、Intel等半導體公司，SkyWater不僅規(guī)模小，而且資歷也淺，2017年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導體公司的芯片制造部門，工藝并不先進，主要生產130nm及90nm，部分先進芯片才到65nm級別。

然而他們卻得到了美國DARPA的青睞，成立沒多久就開始參與后者的ERI電子復興計劃，該計劃在5年內投資15億美元，推動美國半導體行業(yè)發(fā)展。

ERI計劃中，SkyWater并沒有追求技術更強但更昂貴的先進工藝，而是用90nm工藝制造3D SoC芯片，通過集成電阻RAM、碳納米管等材料實現更強的性能，性能可達7nm芯片的50倍。

當然，這些技術現在還沒有實現完全突破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導體行業(yè)規(guī)則的新技術。