JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進程，以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應用于制造先進的DRAM芯片。Inpria擁有廣泛專利的EUV金屬氧化物光刻膠平臺使客戶能夠高效地對先進節(jié)點設備架構進行制版。 

Inpria的材料解決方案提供可大幅降低EUV制版成本所需的性能，并能夠與成熟的工藝和設備配置兼容。Inpria的MOR可通過標準旋涂工藝來使用。 

SK hynix研發(fā)工藝負責人BK Lee表示：“EUV制造工藝很復雜，需要尖端材料。氧化錫抗蝕劑有望為新一代先進DRAM芯片的制造提供所需的高性能，并進一步降低制造成本?！?nbsp;

JSR高級管理人員Tadahiro Suhara表示：“JSR的技術一直以材料創(chuàng)新為基礎。我們致力于通過實現(xiàn)極小特征尺寸的高效印刷技術來加速推進SK hynix的技術路線圖。該科學創(chuàng)造具有開創(chuàng)性，同時也具有經濟性。” 

EUV已經在商業(yè)化生產中使用，用于半導體制造業(yè)極為先進的光刻工藝。而且，隨著業(yè)界在芯片制造中向更小的臨界尺寸發(fā)展，EUV的使用量預計將大幅增加。 

Inpria是金屬氧化物EUV抗蝕劑的領導廠商，已利用EUV光刻曝光系統(tǒng)實現(xiàn)了全球領先的精細分辨率。JSR于2021年收購了Inpria，并且隨著EUV應用的不斷增加，正在投資擴大生產能力，加強客戶支持服務，以實現(xiàn)大批量制造。