制造芯片需要很多不同類型的工藝設(shè)備，包括沉積、光刻、刻蝕和清潔等設(shè)備。大規(guī)模生產(chǎn)要求芯片制造商使用大量相同腔室的設(shè)備組來執(zhí)行特定的工藝步驟，例如用于制造3D晶體管的鰭片刻蝕。理想情況下，設(shè)備組中的每個晶圓批次都會得到相同的處理，這意味著每個晶圓腔室的運行過程將與其他所有晶圓腔室完全相同。不過在實際操作中，腔室的性能會因許多控制參數(shù)的極微小差異而有所不同，進而影響到工藝流程是否成功。這些參數(shù)包括壓力、溫度、電力輸送和表面條件，都必須協(xié)同優(yōu)化。

腔室匹配挑戰(zhàn)

使腔室性能更接近的過程稱為“腔室匹配”。隨著芯片器件尺寸的縮小和工藝公差的日益嚴格，腔室匹配所面臨的挑戰(zhàn)也在增加。傳統(tǒng)的方法包括“黃金腔室”方法和子部件匹配?！包S金腔室”方法會將一個腔室定為標準，并試圖調(diào)整所有其他腔室以達成相同的結(jié)果。子部件匹配的重點在于硬件子系統(tǒng)，并定義每個腔室必須滿足的嚴格公差規(guī)格。這種方法的假設(shè)是，如果每個腔室的所有部件完全相同，那么每個腔室也理應(yīng)相同。這兩種傳統(tǒng)方法在處理先進等離子工藝復(fù)雜的物理和化學(xué)相互作用時都有其局限性。

泛林數(shù)據(jù)分析儀：經(jīng)過驗證的解決方案

泛林集團Equipment Intelligence®（設(shè)備智能）數(shù)據(jù)分析儀已被廣泛用于2300®平臺上刻蝕腔室的設(shè)備組匹配和大數(shù)據(jù)分析。世界各地的許多晶圓廠都報告了腔室匹配性能的顯著提升，同時腔室排除故障的速度、正常運行時間及MTBC（清洗之間的平均時間）均得到有效提升與改善。

數(shù)據(jù)分析儀采用的方法是查看晶圓加工過程中設(shè)備傳感器輸出的大型數(shù)據(jù)集，并識別一系列腔室中的自然分布，以檢測不匹配的腔室，然后挖掘根本原因并進行糾正。這是一種大數(shù)據(jù)多元機器學(xué)習(xí)方法，觀察一個腔室內(nèi)或腔室子系統(tǒng)內(nèi)的諸多信號。

圖1. 泛林集團2300®刻蝕系統(tǒng)（每個系統(tǒng)有6個獨立的腔室）及其在Equipment Intelligence?®數(shù)據(jù)分析儀大數(shù)據(jù)機器學(xué)習(xí)分析前后的工藝窗口分布圖示

現(xiàn)可用于多站工藝模塊

為等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 和原子層沉積 (ALD) 腔室設(shè)計的新版Equipment Intelligence®數(shù)據(jù)分析儀目前已被部署在多個晶圓廠。該軟件已經(jīng)過調(diào)整，可適應(yīng)PECVD/ALD腔室與刻蝕腔室（多基座vs.單晶圓腔）中晶圓流動場景的差異。新解析方案的增加，可以對單片晶圓的移動進行跨多站工藝模塊的跟蹤。

該軟件中還應(yīng)用了自動調(diào)和，以處理PECVD/ALD晶圓流特有的配方組、子配方和多次配方迭代。

圖2. 泛林PECVD工藝設(shè)備與4x4（一次四片晶圓）腔室的不同視圖

虛擬傳感器的創(chuàng)新

目前，我們已有多個客戶的晶圓廠開始使用Equipment Intelligence®數(shù)據(jù)分析儀，利用VECTOR® Strata® PECVD設(shè)備組的生產(chǎn)數(shù)據(jù)，并正在加速滿足客戶最關(guān)鍵的需求，如延長預(yù)防性維護周期和正常運行時間。這包括根據(jù)回歸模型創(chuàng)建和部署預(yù)測控制圖，使用分類模型預(yù)測指標，以及向關(guān)鍵人員發(fā)送通知、以便及早發(fā)現(xiàn)問題并迅速解決潛在問題。使用基于虛擬計量的回歸模型可以預(yù)測生產(chǎn)設(shè)備的性能表現(xiàn)，且更容易挖掘生產(chǎn)趨勢的根本原因。數(shù)據(jù)分析儀還被用于快速診斷多種關(guān)鍵設(shè)備的問題，如腔室匹配或計劃外停機。

在半導(dǎo)體制造量產(chǎn)中使用大數(shù)據(jù)機器學(xué)習(xí)方法（如數(shù)據(jù)分析儀）的關(guān)鍵目標之一是使工藝設(shè)備實現(xiàn)比以往任何時候都更高的生產(chǎn)力（以更低的成本生產(chǎn)出更多優(yōu)質(zhì)晶圓），世界各地多個客戶的晶圓廠正在實現(xiàn)這一目標。