高通轉(zhuǎn)移高端芯片訂單的原因，也正是因?yàn)槿堑墓に囘^于拉跨，而且不良率非常高。從目前來看，三星的3納米制程似乎僅有兩家企業(yè)簽訂，而臺(tái)積電的3納米制程仍有多家企業(yè)簽訂。

如果不出意外的話，在今年9月份左右，臺(tái)積電的N3制程將開啟量產(chǎn)模式，在芯片良率方面，預(yù)計(jì)將優(yōu)于5納米制程的初期，此外，臺(tái)積電的NE3，也就是3納米制程的升級(jí)版將于一年后進(jìn)行量產(chǎn)。

關(guān)于3納米制程的首款產(chǎn)品會(huì)花落誰家呢?在此前有報(bào)道顯示，首款采用臺(tái)積電3納米制程的產(chǎn)品可能會(huì)是蘋果的M2Pro芯片。

高調(diào)召開記者會(huì)的三星卻迎來了失敗，而低調(diào)宣布3納米工藝的臺(tái)積電穩(wěn)獲多家訂單。這些企業(yè)選擇臺(tái)積電的原因，也正是因?yàn)榕_(tái)積電的良率制程要比三星更好。

隨著三星公司在這個(gè)月的最后一天完成了自己即將率先全球量產(chǎn)三納米芯片的承諾，并宣稱將第1批芯片銷售給中國的客戶，臺(tái)積電公司這一次宣布落伍了，那么，在已經(jīng)有著制成和生產(chǎn)進(jìn)度優(yōu)勢(shì)的前提下，相親公司為什么不把這些芯片賣給高通。而是選擇找一個(gè)全新的中國客戶?

嚴(yán)格來說，三星對(duì)外公開三納米芯片和GAA生產(chǎn)制程的普及，并不會(huì)為這家企業(yè)未來的發(fā)展帶來太多的利好之處：在三星最主要的客戶高通明確表示他們并不需要使用新制程來為自己的芯片研發(fā)提供助力的前提下，3納米芯片的研發(fā)成功并不能為三星的芯片生產(chǎn)帶來太高的助力，反倒更像是三星進(jìn)行試驗(yàn)性生產(chǎn)以逐步提升自己的良品率，所以他們才會(huì)選擇接下中國礦機(jī)企業(yè)的單子，從而實(shí)驗(yàn)自己最新一代的GAA架構(gòu)三納米芯片能夠順利進(jìn)行生產(chǎn)。

哪怕三星對(duì)外明確表示借助于GAA晶體管結(jié)構(gòu)和三納米的生產(chǎn)制程，他們能夠讓3納米芯片相比于5納米芯片降低至少45%的能耗、提升23%的性能以及降低16%的表面積，倘若第二代的3納米芯片被研發(fā)出來，那么這些芯片相比于5納米的上一代產(chǎn)品來說，其能耗會(huì)降低至少50%，以及有著30%的性能提升。

但問題在于，為什么三星不是為他們最主要的客戶溝通提供三納米芯片，而是專門為磐矽半導(dǎo)體這一專門生產(chǎn)礦機(jī)的企業(yè)代工芯片呢?很顯然，三星公司為磐矽半導(dǎo)體生產(chǎn)3納米芯片，實(shí)際上是在對(duì)他們的最新一代生產(chǎn)線進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，通過磐矽半導(dǎo)體的產(chǎn)品效能去確認(rèn)他們的三納米芯片性能和良品率究竟能夠達(dá)到什么程度，倘若這一次他們賣給磐矽半導(dǎo)體的芯片性能良好，那將意味著三星這次研發(fā)的三納米芯片生產(chǎn)技術(shù)，其生產(chǎn)效能達(dá)到了他們預(yù)定的要求，到了那個(gè)時(shí)候三星就可以給高通以及其他高級(jí)客戶提供最為先進(jìn)的三納米芯片了。

倘若三星自己的三納米芯片在這一次生產(chǎn)中表現(xiàn)尚不可靠，那他們起碼也有至少半年的時(shí)間去給自己的生產(chǎn)線進(jìn)行調(diào)整，從而在臺(tái)積電開始展開3納米芯片的生產(chǎn)之前，確保自己的芯片生產(chǎn)技術(shù)不落于人后，也只有這樣，三星公司才能確保他們依舊能夠確保自己的高精密度芯片市場(chǎng)不會(huì)再被臺(tái)積電，或者單純依靠生產(chǎn)CPU已經(jīng)無法滿足自身需求的英特爾再下一城。

難怪這一次就算客戶并非有名之輩，這單子三星公司也同樣會(huì)接，因?yàn)檫@一批產(chǎn)品對(duì)于三星公司來說實(shí)際上是試驗(yàn)品，如果他們能夠生產(chǎn)出優(yōu)秀的產(chǎn)品，那不管是上海磐矽還是三星電子都是皆大歡喜，但這一次三星產(chǎn)品的良品率就算不夠高，不管是對(duì)上海磐矽又或者是三星電子雙方的損失都不會(huì)大到什么地方去。

三星電子宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。

三星稱，與前幾代工藝使用FinFET技術(shù)不同，三星使用的全環(huán)繞柵極(gate-all-around, GAA)晶體管技術(shù)，使新開發(fā)的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，并減少16%的面積。

納米為一米的十億分之一，是處理芯片時(shí)常用的晶體管寬度單位。這個(gè)數(shù)字越小，芯片制程就越先進(jìn)，也越容易提高性能。三星預(yù)計(jì)，在下一階段芯片性能會(huì)提高，功耗和產(chǎn)品尺寸還將進(jìn)一步下降。

三星并未公布首發(fā)客戶名單，也沒有詳細(xì)說明新芯片的產(chǎn)量，但市場(chǎng)傳出三星3納米制程最初客戶有上海磐矽半導(dǎo)體和高通等公司。

在晶圓代工市場(chǎng)，主要為臺(tái)積電和三星兩家公司競(jìng)爭(zhēng)，而臺(tái)積電仍居于主導(dǎo)地位，占全球晶圓代工營收的一半以上，也是iPhone、iPad等產(chǎn)品處理器的獨(dú)家供貨商。

至于臺(tái)積電3納米制程進(jìn)展，臺(tái)積電董事長劉德音曾在本月初的股東會(huì)上提及，先進(jìn)制程的進(jìn)展都按照計(jì)劃發(fā)展中，預(yù)計(jì)下半年將量產(chǎn)3納米芯片。

與三星不同的是，臺(tái)積電將采用較為成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor，F(xiàn)inFET)工藝，一直到2025年量產(chǎn)2納米芯片時(shí)，才會(huì)采用GAA技術(shù)。另有報(bào)道稱，蘋果和英特爾正在測(cè)試臺(tái)積電的3納米制程工藝。這也意味著，三星、臺(tái)積電將用不同架構(gòu)設(shè)計(jì)的3納米制程進(jìn)行對(duì)決。

目前三星也在開發(fā)3納米乃至2納米所需的第二代技術(shù)，聲稱相關(guān)技術(shù)能使晶片效能較7納米時(shí)提高35%、面積減少45%，功耗降低五成。

去年，受疫情期間智能手機(jī)、汽車和游戲機(jī)的需求拉升，半導(dǎo)體板塊一路飆升，雖然今年以來半導(dǎo)體類股遭遇重創(chuàng)，但摩根士丹利分析團(tuán)隊(duì)指出，隨著晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)格局的不斷演變，臺(tái)積電、三星和英特爾這三大巨頭依然值得關(guān)注。

7月25日周一，三星電子生產(chǎn)的全球首批3納米芯片產(chǎn)品出廠，這是自上月末開始批量生產(chǎn)以來，三星電子首次向客戶交貨。

三星電子在韓國京畿道華城廠區(qū)極紫外光刻(EUV)專用V1生產(chǎn)線舉行了適用新一代全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)的3納米芯片產(chǎn)品出廠紀(jì)念活動(dòng)。三星電子上月30日宣布全球首款基于GAA技術(shù)的3納米工藝半導(dǎo)體產(chǎn)品投入量產(chǎn)。

其計(jì)劃將GAA工藝的3納米芯片應(yīng)用于高性能計(jì)算(HPC)，并與主要客戶公司合作，擴(kuò)大到移動(dòng)系統(tǒng)芯片(SoC)等多種產(chǎn)品群。另外，繼華城廠區(qū)之后，三星電子平澤廠區(qū)也將擴(kuò)大GAA工藝3納米芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。

不久前，華爾街見聞稍早文章還提及，三星正考慮未來二十年在美國得克薩斯州建立11家芯片工廠，投資總額可能接近2000億美元，并創(chuàng)造超過1萬個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

“芯片三國殺”中的英特爾也不甘示弱，英特爾與聯(lián)發(fā)科宣布建立戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，英特爾將通過其晶圓代工事業(yè)部(IFS)向聯(lián)發(fā)科供應(yīng)芯片。