據(jù)外媒報道，三星現(xiàn)在正向晶圓代工先進制程發(fā)起沖鋒，繼在6月底宣布3nm領先業(yè)界量產(chǎn)后，其4nm的良品率也已經(jīng)有了顯著提升。

并且正在準備擴大其產(chǎn)能，預計到今年第四季度每月將會新增2萬片產(chǎn)能，準備在4nm制程上豪擲約50000億韓元(約258億元人民幣)的投資，以此希望能夠從臺積電手上搶下更多高通、AMD、英偉達等大廠的晶圓代工訂單。

業(yè)界指出，三星晶圓代工產(chǎn)能過往約六成提供自家芯片生產(chǎn)，其余承接委外訂單，今年積極擴產(chǎn)，并擴大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產(chǎn)能占比降至五成。研究機構估計，三星在先進制程產(chǎn)能規(guī)模上仍僅約臺積電五分之一。

早在6月份，三星電子就已經(jīng)正式官宣，已于韓國的華城工廠大規(guī)模開始量產(chǎn)3nm芯片，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構，能極大改善芯片的功率以及效率。

與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時減少16%的面積。

三星還宣稱，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發(fā)中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。

此外，三星還在高性能智能手機處理器的半導體芯片中也應用過納米片晶體管，與納米線技術相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調(diào)整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標。

此次三星豪擲重金，不知能否在4nm制程工藝上成功搶單臺積電，看來半導體行業(yè)又將風起云涌了。