河北穩(wěn)控科技多功能手持VH501TC采集儀如何設(shè)置振弦傳感器的激勵(lì)方法和激勵(lì)電壓
VH501TC 提供多種振弦傳感器激勵(lì)方法，以最大限度兼容所有廠家和型號的振弦傳感器。 振弦傳感器激勵(lì)方法參數(shù)位于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)窗口右側(cè)，共有 5 種方法可選，分別用
MODTH0~MODTH4 表示。各方法說明如下：

激勵(lì)電壓數(shù)據(jù)在屏幕上顯示為 xxx/xxx 的形式，其中前面的數(shù)字表示實(shí)際的激勵(lì)電壓，后面的數(shù)字表示激勵(lì)電壓源電壓 VSEN。 高壓脈沖激勵(lì)和低壓掃頻激勵(lì)方法所使用的電源均來自于 VSEN，相對來說，使用比較高的 VSEN 時(shí)能得到更好的傳感器信號，但有些傳感器必須使用比較低的 VSEN 電壓才會(huì)得到穩(wěn)定的頻率數(shù)據(jù)。
VH501TC 有兩個(gè)版本， 當(dāng)需要修改激勵(lì)方法或者激勵(lì)電壓源時(shí)， 若設(shè)備背面有兩個(gè)旋轉(zhuǎn)開關(guān)， 則直接旋轉(zhuǎn)開關(guān)即可； 若沒有旋轉(zhuǎn)開關(guān)時(shí)需要用上述操作按鍵的方法進(jìn)行參數(shù)修改。 激勵(lì)方法旋轉(zhuǎn)開關(guān)的檔位含義與上表相同， 激勵(lì)電壓旋轉(zhuǎn)開關(guān)的檔位 0~15 表示設(shè)置 VSEN 為 0~15V（前 5 檔固定為 5V）。
注意： 建議 VSEN 的電壓不要超過 12V， 推薦設(shè)置為 5~8V。 如果 VSEN 電壓設(shè)置太高， 測量某些小阻值（小于 200 歐姆） 傳感器時(shí)會(huì)有傳感器或者設(shè)備損壞的危險(xiǎn)。在使用過程中，應(yīng)注意觀察顯示于屏幕中的振弦信號質(zhì)量值，針對某類或者某些傳感器，不同的激勵(lì)方法對信號質(zhì)量影響會(huì)很大，激勵(lì)方法的切換和使用應(yīng)以信號質(zhì)量最高為選取標(biāo)準(zhǔn)。

溫度傳感器類型
VH501TC 可測量數(shù)字式溫度傳感器 DS18B20 和電阻式 NTC 熱敏電阻，根據(jù)實(shí)際連接的傳感器類型切換參數(shù)。溫度傳感器類型圖標(biāo)和文字位于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)窗口右側(cè)，參數(shù)說明如下：

日期、時(shí)間設(shè)置
日期和時(shí)間的修改必須進(jìn)入?yún)?shù)修改模式或者使用修改指令進(jìn)行修改。
在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)窗口，長按【換頁/設(shè)置】按鍵直到右側(cè)參數(shù)顏色改變，短按【換頁/設(shè)置】按鍵切換參數(shù)項(xiàng)，直到選中日期或者時(shí)間的文字，短按【上一個(gè)】或者【下一個(gè)】按鍵修改日期和時(shí)間值，繼續(xù)短按【換頁/設(shè)置】按鍵選中其它參數(shù)項(xiàng)，直到全部修改完成，長按【換頁/設(shè)置】按鍵直到紅色文字消失。
注：修改參數(shù)時(shí)，若長按【上一個(gè)】或者【下一個(gè)】按鍵，可實(shí)現(xiàn)參數(shù)值的快速修改。

10． 恢復(fù)出廠參數(shù)
關(guān)機(jī)狀態(tài)下，按住第二個(gè)按鍵不放，再按開機(jī)鍵開機(jī)，當(dāng)屏幕出現(xiàn)“Parameterreset” 提示時(shí)松開按鍵即可。