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[導讀]11月19日消息,近日,ASML將于明年啟動在臺最大投資案的計劃被曝光。根據(jù)爆料,ASML將在中國臺灣新北市新建廠區(qū),一期投資將達到300億新臺幣(約合人民幣68.8億元),約有2000名員工進駐!據(jù)臺灣媒體的最新報道,隨著ASML人力需求將持續(xù)增加,ASML不僅提供新進碩士工程師年薪新臺幣160萬元(約合人民幣36.6萬元),為培育工程師,每人耗費成本高達新臺幣500萬元(約合人民幣114.3萬元),非理工背景也有機會加入。

11月19日消息,近日,ASML將于明年啟動在臺最大投資案的計劃被曝光。根據(jù)爆料,ASML將在中國臺灣新北市新建廠區(qū),一期投資將達到300億新臺幣(約合人民幣68.8億元),約有2000名員工進駐!據(jù)臺灣媒體的最新報道,隨著ASML人力需求將持續(xù)增加,ASML不僅提供新進碩士工程師年薪新臺幣160萬元(約合人民幣36.6萬元),為培育工程師,每人耗費成本高達新臺幣500萬元(約合人民幣114.3萬元),非理工背景也有機會加入。

作為全球最大的光刻機廠商,ASML目前在16個國家和地區(qū)共設有60個營運據(jù)點。其中,中國臺灣目前是ASML亞洲最大的據(jù)點,ASML在臺設有4個客戶支持中心、2個研發(fā)制造中心及2個訓練中心,預計到今年年底將有4500名員工。

ASML的營運管理師Paige認為,因為ASML的存在,讓手機能有更多進階功能。由于辦公室里提供很多不一樣的設備讓員工自由選擇,因此上班一到辦公室,她要先找尋同事在哪邊。

據(jù)中國臺灣媒體報道,近日,全球最大的光刻機廠商ASML副總裁兼首席營運官Frédéric Schneider-Maunoury帶隊訪臺,與臺灣當局領導人進行了會晤,并宣布將于2023年7月啟動在臺灣新北市的投資案。這也將是ASML有史以來在臺灣最大的投資金額。

在新聞稿中,F(xiàn)rédéric Schneider-Maunoury指出,感謝臺灣持續(xù)提供半導體產(chǎn)業(yè)許多支持。中國臺灣現(xiàn)在是世界半導體產(chǎn)業(yè)中領頭羊的地位,并且是全球先進制程當中不可或缺的領先角色,也是全球采用 EUV 規(guī)模最大的地區(qū)。

去年11月,ASML與韓國華城市簽署了一份備忘錄,宣布投資2400億韓元(2.12億美元),于2024年前在當?shù)卮蛟煲蛔?6,000平方公尺的維修中心和工程師培訓中心,可容納多達1500名員工。

根據(jù)計劃,ASML韓國維修中心和工程師培訓中心項目將于明日(2022年11月16日)舉行開工儀式。為此,ASML CEO溫寧克也親自來到韓國,明日將與韓國政府官員及半導體行業(yè)人士共同參與開工儀式。在此之前,溫寧克出席了ASML于今日在韓國首爾舉行了一場新聞發(fā)布會,介紹了ASML在韓國的發(fā)展愿景。

在“技術復雜性(芯片制造)上升”之際,與韓國當?shù)乜蛻裘芮泻献鳌爸陵P重要”。ASML CEO 溫寧克補充說,“在這里設立一個培訓中心也非常重要,因為這將有助于讓技術更貼近客戶?!?

ASML正在持續(xù)增加在韓國的研發(fā)投資,目標是在未來 10 年內(nèi)在韓國再雇用1400 名員工。同時,ASML有望在未來幾年在韓國建設研發(fā)中心和制造工廠。溫寧克表示,建立韓國供應基地是ASML進一步發(fā)展的“重要機會”。

基于不同的市場情景,ASML預計會有巨大的增長機會來實現(xiàn)以下目標:

2025年:年收入在約300億歐元至400億歐元之間,毛利率在約54%至56%之間;

2030年:年收入在約440億歐元至600億歐元之間,毛利率在約56%至60%之間。

最后,在股東回報方面,ASML宣布了一項新的股票回購計劃,計劃回購最高 120 億歐元的股票,在 2025 年的 12 月 31 日之前進行。

ASML為半導體生產(chǎn)商提供光刻機及相關服務,TWINSCAN系列是世界上精度最高,生產(chǎn)效率最高,應用最為廣泛的高端光刻機型。全球絕大多數(shù)半導體生產(chǎn)廠商,都向ASML采購TWINSCAN機型,比如英特爾(Intel)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)、臺積電(TSMC)、中芯國際(SMIC)等。

ASML的產(chǎn)品線分為PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列,其中PAS系列現(xiàn)已停產(chǎn);AT系列屬于老型號,多數(shù)已經(jīng)停產(chǎn)。市場上的主力機種是XT系列以及NXT系列,為ArF和KrF激光光源,XT系列是成熟的機型,分為干式和沉浸式兩種,而NXT系列則是主推的高端機型,全部為沉浸式。

ASML下一代半導體設備—High-NA EUV 設備是將集光能力的鏡頭數(shù)值孔徑(NA)從0.33提高到0.55的設備。比現(xiàn)有的EUV設備處理更精細的半導體電路。

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