近日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技宣布,高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比和高可靠性的解決方案。

隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì),給用戶(hù)帶來(lái)更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。

反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片效能不斷提升,對(duì)芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延,以及更短互連等要求。為此,長(zhǎng)電科技通過(guò)各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度性能,滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。芯片2.5D/3D封裝是在三維方向上將多個(gè)芯片堆疊起來(lái),實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗、高速通訊,增加帶寬和器件集成的小型化,使芯片產(chǎn)品在擁有高存儲(chǔ)密度的同時(shí)降低其封裝成本。同時(shí),長(zhǎng)電科技在圓片磨劃、封裝工藝、潔凈度控制等環(huán)節(jié)擁有一整套成熟的技術(shù)和先進(jìn)的設(shè)備支持,多芯片堆疊技術(shù)管控能力達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平;在測(cè)試環(huán)節(jié)擁有先進(jìn)的測(cè)試系統(tǒng)和能力,可向客戶(hù)提供全套測(cè)試平臺(tái)和工程服務(wù)。

目前,長(zhǎng)電科技的工藝能力可以實(shí)現(xiàn)16層芯片的堆疊,單層芯片厚度為35um,封裝厚度為1mm左右。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體微系統(tǒng)集成和芯片成品制造服務(wù)提供商,長(zhǎng)電科技在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域已積累近20年的成品制造和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),與國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)類(lèi)產(chǎn)品廠商之間形成廣泛的合作,包括DDR在內(nèi)各類(lèi)存儲(chǔ)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),穩(wěn)定的制程能力和產(chǎn)品品質(zhì)贏得了國(guó)內(nèi)外客戶(hù)的一致好評(píng)。

長(zhǎng)電科技表示,隨著PC端、服務(wù)器端、以及消費(fèi)端等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,市場(chǎng)對(duì)DDR5的需求有望加速釋放,為集成電路封測(cè)帶來(lái)新機(jī)遇。依托一流的工藝能力、品質(zhì)管控能力和成熟的供應(yīng)鏈體系,長(zhǎng)電科技可為客戶(hù)確保高成品率的同時(shí)縮短產(chǎn)品交期,幫助客戶(hù)以更低的成本實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的解決方案。未來(lái),長(zhǎng)電科技將保持對(duì)領(lǐng)先技術(shù)的不懈追求,不斷加強(qiáng)與客戶(hù)協(xié)同合作實(shí)現(xiàn)與客戶(hù)的共同成長(zhǎng)。