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[導(dǎo)讀]本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合,隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。


未來已來,氮化鎵的社會經(jīng)濟(jì)價值加速到來。

本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合,隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。

普通消費者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關(guān)特性,可以高頻工作,實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,氮化鎵PD快充成功實現(xiàn)了小型化和輕量化,消費者易于攜帶,用戶體驗大幅度提升。在過去幾年內(nèi),氮化鎵在PD快充中的滲透率逐步提升,消費者對氮化鎵的認(rèn)知是“氮化鎵=黑科技”,采用氮化鎵的PD快充可以賣到小幾百元,普通的采用硅器件的PD快充售價往往在一百元以內(nèi)。氮化鎵的應(yīng)用,很快從PD快充拓展到其它消費類產(chǎn)品中,輸出功率從30W、65W逐步提升到120W甚至更大功率。

普通消費者,甚至對氮化鎵了解不多的工程師,普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實,因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式,在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。但是,鎵未來氮化鎵采用獨特的緊湊級聯(lián)型技術(shù),封裝形式涵蓋QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多種形式,滿足小功率(30W~300W)、中功率(300W~1kW)和大功率(1kW~6kW)等各種豐富的應(yīng)用場景。

鎵未來在成立之初,聚焦中小功率的應(yīng)用和市場拓展,但是從2022年開始,公司發(fā)力中大功率的應(yīng)用市場,在便攜式儲能雙向逆變器、服務(wù)器電源、算力電源和植物照明電源等應(yīng)用領(lǐng)域取得不少突破。市場對氮化鎵接受程度的穩(wěn)步提升,主要得益于社會對節(jié)能減排和高效率電能轉(zhuǎn)換的普遍共識。

80+能效標(biāo)準(zhǔn)

嵌入式電源能效分級認(rèn)證技術(shù)規(guī)范

EU lot9存儲電源效率要求

實現(xiàn)80+ 96%鈦金效率,或者CQC嵌入式電源輸出40V以內(nèi)能效VI級96%峰值效率和VII級97%峰值效率,最具性價比的解決方案是氮化鎵圖騰柱無橋PFC拓?fù)浼又C振軟開關(guān)LLC拓?fù)涞姆桨浮?

第一部分:氮化鎵實現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率,賦能節(jié)能減排

氮化鎵憑借卓越的開關(guān)特性,具有“零”反向恢復(fù)電荷Qrr,特別適用于CCMBTPPFC (Continuous Current Mode Bridgeless Totem-PolePowerFactorCorrection) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),相較于其它普遍采用的傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要優(yōu)點包括:

元器件最少,成本最低,性價比最高

效率最高,損耗大幅度下降,熱管理簡單,可以實現(xiàn)自然散熱

單機功率大,功率密度高,重量輕

控制簡單,能量可雙向流動,整流和逆變一機兩用

基于GaN的CCMBTPPFC拓?fù)?

第二部分:氮化鎵在中大功率應(yīng)用中的挑戰(zhàn)及應(yīng)對措施

鎵未來作為緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件國內(nèi)領(lǐng)先的供應(yīng)商,其氮化鎵晶圓良率超過95%,結(jié)合本地化供應(yīng)鏈和資源整合優(yōu)勢,性價比突出。相對于增強型氮化鎵來說,鎵未來緊湊級聯(lián)型氮化鎵的主要優(yōu)勢包括:

Vgs閾值電壓下限高達(dá)3.5V,抗干擾性能強,特別適用于高頻、硬開關(guān)和大功率應(yīng)用

Vgs閾值電壓上限高達(dá)20V(靜態(tài)),30V(動態(tài)),驅(qū)動兼容SiMOSFET驅(qū)動器

不需要負(fù)壓關(guān)斷,外圍電路簡單

有半個體二極管,不需要反并聯(lián)SBD以降低續(xù)流損耗并提升效率

封裝種類齊全,包括貼片QFN/DFN/TOLL和插件TO-220/TO-247等封裝形式,覆蓋全功率范圍應(yīng)用場景

有直接替代料,持續(xù)大批量供貨無憂

但是,氮化鎵普遍存在一些局限,包括雪崩能力偏弱,漏源需要提升過電壓能力;還有電流抗沖擊能力有待提升,在半橋電路中要預(yù)防上下管直通。針對前者,鎵未來氮化鎵過壓能力突出,比如標(biāo)定耐壓650V器件,其Vds在800V下非可重復(fù)和750V下可重復(fù)的尖峰電壓持續(xù)時間高達(dá)30us。針對后者,驅(qū)動器需要具備Interlock功能,即當(dāng)DSP數(shù)字控制器或者模擬控制器給出的上下管驅(qū)動電壓同時為高時,驅(qū)動器通過自身邏輯控制,將上下管驅(qū)動電壓鎖定為低,確保氮化鎵器件不會直通并安全工作。在AC輸入動態(tài)、DC輸出動態(tài)、雷擊浪涌等情況下,DSP數(shù)字控制器或模擬控制器可能因為外部干擾,輸出誤動作信號,具有Interlock功能的驅(qū)動器可以有效的保護(hù)氮化鎵器件。

鎵未來應(yīng)用開發(fā)團(tuán)隊具有豐富的數(shù)字控制和模擬控制經(jīng)驗,已經(jīng)將半橋氮化鎵驅(qū)動電路歸一化,即統(tǒng)一采用納芯微NSi6602隔離驅(qū)動器。

NSi6602隔離驅(qū)動器系統(tǒng)框圖

根據(jù)NSi6602的邏輯表,DT腳實現(xiàn)輸出Interlock功能或者死區(qū)調(diào)節(jié)功能。同時,NSi6602輸入信號和輸出信號隔離,這樣便于PCB板布線,進(jìn)一步提升抗干擾性能。NSi6602抗共模干擾能力CMTI高達(dá)150V/ns,這個在大功率短路和過流保護(hù)的時候很重要。另外其上下驅(qū)動的差模電壓可達(dá)1500V,也適用于900V氮化鎵器件以及三相系統(tǒng)的應(yīng)用。

NSi6602邏輯表

好馬配好鞍,鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛,成雙成對出現(xiàn),隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護(hù),完美展現(xiàn)了氮化鎵在先進(jìn)應(yīng)用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。

在實際應(yīng)用中,BTPPFC采用兩顆NSi6602,分別驅(qū)動兩顆氮化鎵快管和兩顆SiMOSFET慢管。在LLC部分,如果是半橋LLC,采用一顆NSi6602,如果是全橋LLC,采用兩顆NSi6602。

NSi6602典型應(yīng)用圖

針對不用的應(yīng)用要求,NSi6602提供了不同隔離電壓等級和封裝類型的系列產(chǎn)品,具體參考下表。

NSi6602隔離驅(qū)動器產(chǎn)品選型表

第三部分:豐富的應(yīng)用案例

便攜式儲能用GaN雙向逆變器:

AC側(cè)支持全球電壓范圍,包括中歐規(guī)和美日規(guī)

DC側(cè)典型電壓為48V,可定制

功率為2kW,支持各種過載工作

BTPPFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz

全橋LLC采用四顆G1N65R070TA-H (70m?/650V, TO-220)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為120kHz

支持多機并聯(lián),提升輸出功率

峰值效率96% @ 220Vac

2.5kW高效率高功率密度全數(shù)字控制導(dǎo)冷服務(wù)器電源

AC輸入電壓:90Vac~264Vac,低壓降額

DC輸出:12.2V/205A,Vsb/2.5A

輸出功率為2.5kW,支持多機并聯(lián)

BTPPFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz

半橋LLC采用一顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為125kHz

峰值效率96.2%,滿足80+鈦金效率認(rèn)證

3.6kW高效率算力電源

AC輸入電壓:180Vac~300Vac

DC輸出電壓:11.5V-15.5V/240A, 3.6kW

BTPPFC采用兩顆G1N65R035TB-N (35m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為65kHz

LLC采用兩顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為100kHz

滿載效率96.2% @ 220Vac

大功率高效率LED驅(qū)動電源

AC輸入電壓:90Vac~264Vac

DC輸出電壓:56V/12.5A, 700W

BTPPFC采用兩顆G1N65R050TB-N (50m?/650V, TO-247-3L)氮化鎵和兩顆NSi6602B-PSDNR,工作頻率為55kHz

LLC采用兩顆G1N65R150TA-N (150m?/650V, TO-220)氮化鎵和一顆NSi6602B-PSDNR,諧振頻率為70kHz

滿載效率96.5% @ 230Vac


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