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[導(dǎo)讀]按照我的理解,對于MOS管而言,灌電流就是漏極電流 Id,正常來說MOS管的漏極電流 Id遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過4mA,但是為了滿足邏輯要求,如上圖所示,CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平,即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述,對于8路I/O口同時(shí)輸出低電平時(shí),VOL<0.4V @ IIo=8mA才能滿足邏輯0的要求,和這邊PG灌電流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA表達(dá)的是一個(gè)意思。

4. 電源良好指示


a. PG灌電流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA;

Sink Current即灌電流的意思,是數(shù)字電路的表示方式,電流方向指向芯片IO,與Souce Current 拉電流相對應(yīng)。


按照我的理解,對于MOS管而言,灌電流就是漏極電流 Id,正常來說MOS管的漏極電流 Id遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過4mA,但是為了滿足邏輯要求,如上圖所示,CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平,即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述,對于8路I/O口同時(shí)輸出低電平時(shí),VOL<0.4V @ IIo=8mA才能滿足邏輯0的要求,和這邊PG灌電流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA表達(dá)的是一個(gè)意思。


PG為OD門輸出,為了響應(yīng)芯片內(nèi)部的一些安全機(jī)制或者通過邏輯芯片連接到MCU/CPU的RESET引腳從而對系統(tǒng)進(jìn)行控制,設(shè)計(jì)時(shí)需外接上拉電阻到VCC,MP4572芯片的VCC=4.9V。

因此這個(gè)參數(shù)指的是sink current < 4mA,VCC=4.9V時(shí),外接上拉電阻R9 > VCC/sink current=1.25kΩ,典型應(yīng)用推薦是100kΩ。


b. PG上升/下降延時(shí)分別為70us/25us




c. PG漏電流典型值為10nA;


VIN=24V,EN=0時(shí),PG輸入漏電流為10nA,此參數(shù)對于低功耗應(yīng)用靜態(tài)電流的計(jì)算尤為重要。


d. PG上升閾值/下降閾值


Vref=0.8@25℃



單從表格看,確實(shí)有點(diǎn)混亂,需要去掉一個(gè)參數(shù)Vref,將PG上升和下降閾值和VFB聯(lián)系起來,而VFB又是通過電阻對VOUT分壓得到,所以PG與VOUT狀態(tài)緊密相關(guān)。


PGRISING


① VFB / Vref =90% @ VFB rising     ,VFB=0.72V

② VFB / Vref =108% @ VFB falling  ,VFB=0.864V


PGFALLING


③ VFB / Vref =84% @ VFB falling    ,VFB=0.672V

④ VFB / Vref =116% @ VFB rising   ,VFB=0.928V


因此 :

0.72V

VFB<0.672V & VFB>0.928V時(shí),PG發(fā)生下降沿跳變。


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