據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日，Intel副總裁兼技術(shù)開發(fā)主管Ann·Kelleher在美國舊金山舉行的新聞發(fā)布會上透露，Intel將開始量產(chǎn)4nm制程工藝并在明年下半年進(jìn)入3nm制程，未來有望重新奪回工藝領(lǐng)先地位。

Kelleher表示，Intel已經(jīng)走上了正軌，每個(gè)季度都設(shè)定相應(yīng)的里程碑，因此將一步步進(jìn)入領(lǐng)先地位，但是不需要在所有方面都處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)階段Intel與設(shè)備制造商的合作比過去更加緊密。

Intel計(jì)劃在2027年前開發(fā)并投入生產(chǎn)5個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，目前正在量產(chǎn)7nm，目前準(zhǔn)備開始生產(chǎn)4nm，之后開始3nm，并希望在2025年憑借18A GAA工藝成為工藝領(lǐng)導(dǎo)者。

但是前不久Intel代工負(fù)責(zé)人Randhir·Thakur辭職，因此業(yè)內(nèi)認(rèn)為Intel代工可能會面臨更大的挑戰(zhàn)。14nm工藝之前Intel在制程工藝還是領(lǐng)先的，在10nm以下就被臺積電和三星甩掉了。

Intel的CEO Pat·Gelsinger一直想要奪回芯片制造技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者地位，去年第一季度宣布IDM 2.0，表示投資200億美元在亞利桑那州建設(shè)兩座晶圓廠來提升產(chǎn)能。不僅如此，Intel還組建了獨(dú)立的晶圓代工部門，決心成為全球主要芯片代工商之一。