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[導(dǎo)讀]電動汽車技術(shù)是汽車行業(yè)的未來,電池和快速充電系統(tǒng)的不斷快速發(fā)展。在不犧牲充電時間的情況下,研發(fā)工作正在進(jìn)行中,以確保電池的尺寸更小,并且在充電時間內(nèi)的功耗最小。

電動汽車技術(shù)是汽車行業(yè)的未來,電池和快速充電系統(tǒng)的不斷快速發(fā)展。在不犧牲充電時間的情況下,研發(fā)工作正在進(jìn)行中,以確保電池的尺寸更小,并且在充電時間內(nèi)的功耗最小。

太陽能光伏、風(fēng)力渦輪機(jī)和儲能系統(tǒng)具有三相逆變器,用作主動配電網(wǎng)絡(luò)和分布式能源 (DER) 之間的接口。如今,帶有更緊湊固態(tài)變壓器 (SST) 的傳統(tǒng)笨重變壓器也需要三相逆變器來為負(fù)載供電。DER和SST給不平衡負(fù)載供電時,通常需要三相四線逆變器,為負(fù)載的零序電流提供額外的通路。

與傳統(tǒng)電動汽車充電器相比,碳化硅半導(dǎo)體器件的技術(shù)由于具有各種優(yōu)勢而具有優(yōu)勢。傳統(tǒng)上,50千瓦的電動汽車充電器有一個重1000公斤的配電變壓器和一個重200至600公斤的單獨(dú)充電單元。此外,該重量(變壓器和充電系統(tǒng))需要安裝在混凝土板上。每個模塊由一個三級升壓PFC級和1600v到400v的隔離直流/DC級組成。這些模塊被設(shè)計(jì)為是可堆疊的,并支持高達(dá)450 kW和未來的800 V的電動汽車。

與傳統(tǒng)充電器相比,使用碳化硅,50千瓦充電器重量只有100公斤,可以安裝在墻上,使用相同的系統(tǒng)占用提供約4×的電力,降低了安裝成本。

控制設(shè)計(jì)

顯示了三相四線制逆變器的控制策略。第一部分顯示了建議的中性點(diǎn)支腿,第二部分顯示了三相四線制逆變器的閉環(huán)控制。

提出的中性腿只需要兩個額外的控制器:功率解耦控制器GR2(s),用于解耦二階母線的波紋,以及諧波補(bǔ)償器(HC),用于補(bǔ)償負(fù)載電流中的諧波。下一節(jié)解釋了基于sic的中性腿的控制。

控制建議的中性支腿

中性腿控制中存在中性電流控制器和功率解耦控制器。

中性電流控制器

該控制器的工作原理與傳統(tǒng)中性支路的控制器類似。因此,對于傳統(tǒng)的中性支路,所提出的中性支路可以直接采用相同的控制器。這里,假設(shè)中性線電流僅包含基波分量,則應(yīng)用一個與諧振控制器并聯(lián)的簡單 PI 控制器。這里,采用低通濾波器 (LPF) 來獲取 C –的平均電壓并提取 V –的直流分量。

這里,ωc是LPF的截止頻率。100 Hz及以上的諧波分量應(yīng)該被濾掉,所以ωc被設(shè)置為50 rad/s。一個PI控制器可以調(diào)節(jié)V-到Vdc/2的平均值。由上式可知,kp為比例增益,ki為積分增益ki。

為了確保中性電流通過中性電感器Ln而不是電容器C-提供,采用諧振控制器GR1(s):

這里,ω為基角頻率,ξ1為諧振控制器的截止頻率,KR1為控制器的諧振增益。所有地方的增益GR1(s)幾乎為零,但諧振頻率ω不是零。V-將被測量為GR1(s)的反饋,以調(diào)節(jié)其基本成分為零。

功率解耦控制器

在功率解耦控制器中應(yīng)用了另一個諧振控制器GR2(s)。

由上式可知,ξ2定義了截止頻率,KR2是控制器的諧振增益,GR2(s)的諧振峰為100 Hz。直流總線電流為,GR2(s)的反饋,二階分量控制為零。

該中性腿可以提供中性電流,并能同時減少直流母線波紋,中性電流控制器和功率解耦控制器同時并聯(lián)。

三相逆變器的控制

三相四線逆變器獨(dú)立工作,為不平衡負(fù)載提供平衡的三相電壓。因此,交流電壓閉環(huán)控制采用內(nèi)環(huán)控制。三相由比例諧振電流和電壓控制器獨(dú)立控制。

由上式可知,K p_v 為電壓比例增益,K p_i 為電流控制器;K R_v 為電壓諧振增益,K R_i為電流控制器;并且ξ v 和ξ i 是截止頻率的系數(shù)。另外,由于功率解耦控制器G R2 (s)引起的中性點(diǎn)電壓變化,二次諧波需要電流控制器進(jìn)行補(bǔ)償。因此,如上圖,HC與G P R_i (s)并聯(lián),用于補(bǔ)償100Hz處的諧波:

直流母線電壓要求

由上式可知,Vdc_avg,con為平均直流總線電壓,Vdc_max,con為與常規(guī)中性腿不平衡二級功率紋波引起的最大直流總線電壓,Ceq為等效直流總線電容。直流電容

對于提供230 Vrms交流電壓的三相逆變器,選擇1200v半導(dǎo)體開關(guān)(Si IGBTs或碳化硅MOSFETs)。因此,直流母線電壓不應(yīng)超過1,200 V。直流母線電容必須設(shè)計(jì)為直流母線電壓不超過750 V。

如圖第一個所示,Cdc是放置在開關(guān)附近的小薄膜電容器的總和,減少了電壓超調(diào)和開關(guān)諧波。由于Cdc的值可以忽略不計(jì)(10μF),總線電容的主要部分是中性腿的電容。然而,由于電容器的串聯(lián)連接,等效的直流母線電容降低了。

· 由上式可知,Ctotal、pro和Ctotal分別為建議腿和常規(guī)腿所需的總電容。結(jié)論

· 與傳統(tǒng)的中性腿相比,基于sic的中性腿提供了中性電流,并減少了二階直流母線的波紋。利用基于SiC的中性支腿可以實(shí)現(xiàn)以下參數(shù):

· 輸出功率:50 kW

· 輸入電壓:2400VAC

· 輸出電壓:200~500VDC

· 峰值效率:97.6%

· 功率因數(shù):≥98

· 輸入電流THD:≤5%


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