12月15日消息，據(jù)報導(dǎo)，韓國本土的半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商——石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 開發(fā)出了基于石墨烯制造的EUV光罩保護膜 (Pellicle) ，有望顯著提高ASML的極紫外光 (EUV) 系統(tǒng)生產(chǎn)芯片的良率。

據(jù)了解，光罩保護膜是一種薄膜，可保護光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對于 5nm或以下節(jié)點制程的先進制程技術(shù)的良率表現(xiàn)至關(guān)重要。

另外，光罩保護膜也是一種需要定期更換的消耗品，而由于EUV光刻設(shè)備的光源波長較短，因此護膜需要較薄厚度來增加透光率。

之前，硅已被用于制造光罩護膜，但石墨烯會是一種更好的材料，因為石墨烯制造的光罩保護膜比硅更薄、更透明。

報導(dǎo)還強調(diào)，EUV光罩護膜必須能夠承受曝光過程中發(fā)生的 800 度或更高的高溫，而基于石墨烯材料的光罩保護膜在高溫下的硬化特性要好，相比之下硅制產(chǎn)品非常容易破裂。