一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應(yīng)用，如執(zhí)行器、遠(yuǎn)程信息處理、太陽能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。

MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時間和環(huán)境變化而自動調(diào)節(jié)。

在能量采集、辦公自動化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計中，超級電容器(supercapacitor)引起了設(shè)計團隊的關(guān)注。這些超級電容器電池具有高效存儲能力，可根據(jù)需要快速釋放能量。為確保峰值性能和較長的產(chǎn)品生命周期，超級電容器的電壓必須得到平衡。如果由于電池之間的泄漏電流差異而發(fā)生不平衡，則可能觸發(fā)能量耗散，導(dǎo)致超級電容器電池過早失效。

超級電容器，也稱為超電容(ultracapacitor)，具有高功率、快速充/放電、峰值功率削減和備用電源等功能特性，適合關(guān)鍵型數(shù)據(jù)保護和電池備份應(yīng)用。對于供電需求不超過30秒的應(yīng)用，它們正成為一種流行的選擇。

超級電容器也提高了能量密度。隨著電池逐漸增加功率密度，它們可以更有效地緩沖和儲存能量，從而最大化能量收集工作。

有個問題：每個超級電容器都有電容、內(nèi)阻和漏電流方面的容差。這可能會導(dǎo)致電池電壓不平衡。必須對超級電容器進行平衡，以確保電壓不超過超級電容器的最大額定電壓。

電源系統(tǒng)設(shè)計人員應(yīng)選擇同一制造商的超級電容器，以確保初始電池電壓值在同一范圍內(nèi)。其次，必須補償由單個電池中的漏電流引起的任何電池電壓不平衡。

有兩種類型的平衡方法可用于調(diào)節(jié)超級電容器電池的電壓：主動式和被動式。被動平衡方法會用到低值電阻，這種方法有點耗能，并且不能隨溫度變化而調(diào)節(jié)。主動式平衡方法使用運算放大器(op-amp)，或使用MOSFET進行電流平衡。

以下是兩個超級電容器串聯(lián)在一起的情景。第一種場景是超級電容器具有自動平衡功能，第二種場景是超級電容器不具備自動平衡功能。這兩種設(shè)計方案之間的差異將證明，需要一種自動校正漏電流變化影響的平衡方法。

ALD提供一系列SAB集成電路(IC)以及SAB和SABOVP(過電壓保護)印刷電路板(PCB)。SAB pcb提供有源連續(xù)漏電流調(diào)節(jié)和無限數(shù)量堆疊串聯(lián)超級電容器的自平衡。SABOVP pcb通過優(yōu)越的過電壓箝位電路提供串聯(lián)超級電容器的電壓平衡。這些產(chǎn)品在適當(dāng)設(shè)計的應(yīng)用中使用時，耗散幾乎為零的泄漏電流，實際上消除了額外的功耗。串聯(lián)的超級電容器可以通過多個級聯(lián)的SABMB或SABMBOVP包的各種組合進行平衡。

ALD810030 MOSFET 為四個匹配的超級電容器自動平衡 (SAB) MOSFET 通道中的每一個通道提供一組獨特、精確的工作電壓和電流特性。Advanced Linear Devices (ALD) 推出的 MOSFET 可以平衡兩到四個電壓差非常小的超級電容器，并且不會耗散超過兩個電池之間實際漏電流差的功率。

當(dāng) V IN = 3.00 V 應(yīng)用于陣列時，I OUT為 1 μA。對于 V IN增加 100 mV至 3.10 V，I OUT增加約十倍。如果 V IN額外增加到3.24 V，I OUT增加一百倍至 100 μA。另一方面，對于 V IN降低 100 mV至 2.90 V，I OUT降低至其先前值的十分之一，即 0.1 μA。

ALD 總裁兼創(chuàng)始人 Robert Chao 表示，新的 MOSFET 始終保持開啟狀態(tài)，以平衡更大的超級電容器，并且?guī)缀醪缓碾姟Ｋ€聲稱，平衡芯片提供 3.00 V 或更高電壓的電源管理能力是一項重大突破。

ALD810030 MOSFET 采用四方封裝，采用該公司的 EPAD 生產(chǎn)技術(shù)制造。ALD810030SCLI 芯片現(xiàn)在有售，每百片單價為 3.29 美元。