半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值，還有取其1/10或10倍的;因角標不可用，暫用當前描述)。在一般情況下， [1] 半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而降低。

凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍。反映半導(dǎo)體內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光、熱、磁、電等作用于半導(dǎo)體而引起的物理效應(yīng)和現(xiàn)象，這些可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體性質(zhì)。構(gòu)成固態(tài)電子器件的基體材料絕大多數(shù)是半導(dǎo)體，正是這些半導(dǎo)體材料的各種半導(dǎo)體性質(zhì)賦予各種不同類型半導(dǎo)體器件以不同的功能和特性。半導(dǎo)體的基本化學(xué)特征在于原子間存在飽和的共價鍵。

作為共價鍵特征的典型是在晶格結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)為四面體結(jié)構(gòu),所以典型的半導(dǎo)體材料具有金剛石或閃鋅礦(ZnS)的結(jié)構(gòu)。 由于地球的礦藏多半是化合物，所以最早得到利用的半導(dǎo)體材料都是化合物,例如方鉛礦(PbS)很早就用于無線電檢波，氧化亞銅(Cu2O)用作固體整流器，閃鋅礦(ZnS)是熟知的固體發(fā)光材料，碳化硅(SiC)的整流檢波作用也較早被利用。硒(Se)是最早發(fā)現(xiàn)并被利用的元素半導(dǎo)體，曾是固體整流器和光電池的重要材料。元素半導(dǎo)體鍺(Ge)放大作用的發(fā)現(xiàn)開辟了半導(dǎo)體歷史新的一頁，從此電子設(shè)備開始實現(xiàn)晶體管化。

中國的半導(dǎo)體研究和生產(chǎn)是從1957年首次制備出高純度(99.999999%～99.9999999%) 的鍺開始的。采用元素半導(dǎo)體硅(Si)以后，不僅使晶體管的類型和品種增加、性能提高，而且迎來了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的時代。以砷化鎵(GaAs)為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的發(fā)現(xiàn)促進了微波器件和光電器件的迅速發(fā)展。

半導(dǎo)體在20世紀中后期開始快速發(fā)展至今，是無數(shù)最具智慧的人、耗費巨量的資金、經(jīng)過漫長時間努力的結(jié)果。當今的全球芯片龍頭英特爾從1968年成立至今，都已過了五十余年。

從應(yīng)用上來說，半導(dǎo)體已經(jīng)歷過人們熟悉的PC時代、移動設(shè)備時代，而今隨著新能源電動車的快速發(fā)展，轉(zhuǎn)到了車規(guī)級芯片。

而從發(fā)展階段來說，也經(jīng)歷了第一代半導(dǎo)體、第二代半導(dǎo)體到如今的第三代半導(dǎo)體。

近來市場熱炒的功率半導(dǎo)體、IGBT等領(lǐng)域，都跟第三代半導(dǎo)體有關(guān)。

半導(dǎo)體是如何發(fā)展起來的?第三代半導(dǎo)體有何特性?新一代半導(dǎo)體往往隨著市場新增需求崛起，那么是前一代被后一代替代嗎?第三代半導(dǎo)體的行業(yè)現(xiàn)狀如何?有哪些代表的上市公司，有何投資機會?這些問題，都可以在本專題中找到。

本文是專題首篇的上集：半導(dǎo)體不是外星科技，而是一點點發(fā)展起來的。發(fā)展的過程中都經(jīng)歷了什么?有哪些標志性事件和代表人物對行業(yè)產(chǎn)生深刻的影響?筆者將和您一起回顧一代代的傳奇。

傳奇的開始：硅谷的誕生

1833年，被譽為“電學(xué)之父”的英國物理學(xué)家法拉第，在實驗中發(fā)現(xiàn)硫化銀這種材料的電阻隨著溫度上升而降低，即高溫更有助于導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體特性的首次發(fā)現(xiàn)。此后的五十年里，光生伏特效應(yīng)、整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)也先后被歐洲科學(xué)家發(fā)現(xiàn)，這就是半導(dǎo)體的四大特性。

直到1947年，半導(dǎo)體上述的四大特性由美國貝爾實驗室總結(jié)完成;同年，貝爾實驗室也研制出一種點接觸型的鍺晶體管，實驗室三名人員肖克利、巴丁、布拉頓因此在1956年同時獲得諾貝爾物理學(xué)獎，其中，肖克利更被譽為“晶體管之父”。

據(jù)外媒報道，韓國2022年初步貿(mào)易統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示貿(mào)易逆差達到472億美元，為該國過去14年來首次出現(xiàn)逆差，逆差規(guī)模也創(chuàng)下亞洲金融危機以來最高紀錄，主要為進口增速遠超出口。

按主要出口項目看，占出口總額20%的半導(dǎo)體僅增長1%，總額1292億美元，汽車增長16%至541億美元，而顯示器下降1%至211億美元。

按國家/地區(qū)劃分，對最大貿(mào)易伙伴中國的出口下降4%，至1558億美元，對東南亞國家聯(lián)盟出口增長15%至1249億美元，而對美國市場出口增長15%至1098億美元。

韓國央行(BOK)預(yù)測，2023年上半年韓國出口將下降3.7%，主要受近期半導(dǎo)體低迷的影響，但下半年或?qū)⒃鲩L4.9%，全年實現(xiàn)正增長0.7%。

KDI方面指出，半導(dǎo)體等主要品目出口持續(xù)乏力，導(dǎo)致制造業(yè)持續(xù)低迷不振，依據(jù)這些因素做出了經(jīng)濟停滯不前的判斷。服務(wù)業(yè)方面還有待繼續(xù)觀察，若目前的狀態(tài)持續(xù)下去，將會出現(xiàn)增長放緩局面。KDI同時提出，國內(nèi)外利率走高帶來的影響逐漸在實體經(jīng)濟領(lǐng)域顯現(xiàn)，今后經(jīng)濟下行壓力可能會進一步增大。