據(jù)韓國媒體TheElec爆料稱，三星電子、SK海力士已大幅下修半導體硅片的采購量，這也預示著這兩家存儲芯片大廠或將減產(chǎn)。

報道稱，三星、SK海力士在2022年第四季已經(jīng)分別與半導體硅片供應商討論上述議題。

目前硅晶圓有五大供應商，分別是日本的信越化學(Shin-Etsu)、勝高(Sumco)，中國臺灣的環(huán)球晶圓，德國的世創(chuàng)(Siltronic AG)以及韓國的SK Siltron。

過去兩年疫情期間，半導體硅片供應吃緊，雖然全球經(jīng)濟2022年開始下行，半導體硅片供應也依然相對吃緊。這主要是因為半導體硅片屬于最上游的半導體材料產(chǎn)業(yè)，消費類市場需求下滑最先影響的是直接賣產(chǎn)品給顧客的終端產(chǎn)業(yè)，對于最上游產(chǎn)業(yè)的沖擊較晚。去年三季度眾多芯片廠商凈利下滑的情況下，半導體硅片廠商卻仍維持了增長。

SK海力士此前已宣布，計劃在2023年將資本支出同比削減50%(估計為17.47萬億韓元)，并削減DRAM和NAND的產(chǎn)量(主要是傳統(tǒng)產(chǎn)品)。

此外，鎧俠已于今年10月宣布，旗下位于日本的兩座位NAND閃存工廠從10月開始晶圓生產(chǎn)量將減少約30%，以應對市場變化。

12月21日，美光在公布了糟糕的最新一季財報后，也宣布將2023年資本開支減少到70-75億美元，其原計劃是120億美元，投資額度大幅減少近40%。同時還將減少20%的NAND Flash和DRAM的晶圓產(chǎn)出。此外，美光還宣布全球裁員10%，預計將裁員4800人。

SK海力士此次大幅減少其內(nèi)部的團隊數(shù)量，并提拔年輕高管，似乎也是為了更好的應對接下來存儲市場的挑戰(zhàn)。

柳副社長還表示：“開發(fā)出業(yè)界速度最快的 MCR DIMM 充分彰顯了 SK 海力士 DDR5 技術的又一長足進步。我們將繼續(xù)尋求突破技術壁壘，鞏固在服務器 DRAM 市場的領導地位?！?/p>

英特爾內(nèi)存和 IO 技術副總裁 Dimitrios Ziakas 博士表示，英特爾與 SK 海力士在內(nèi)存創(chuàng)新、針對服務器的高性能、可擴展的 DDR5 領域處于領先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。

“此次采用的技術源于英特爾和關鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾 Xeon 處理器可提供的帶寬。我們期待該技術能夠應用到未來的英特爾 Xeon 處理器上，支持業(yè)界的標準化和多世代開發(fā)?！?/p>

瑞薩電子副總裁兼 Memory Interface 部門長 Sameer Kuppahalli 表示，該數(shù)據(jù)緩沖器從構思到實現(xiàn)產(chǎn)品化歷經(jīng)三年，“對于能夠攜手 SK 海力士和英特爾將該技術轉化為優(yōu)秀的產(chǎn)品，我們深感自豪?！?/p>

三星、SK海力士三季度來自美國的營收顯著增加，分別環(huán)比增加了2.0724萬億韓元、9201億韓元。SK海力士來自美國的營收占比從二季度的51.32%增長至56.16%，但三星卻從二季度的42.07%下降至39.60%，但仍比去年同期增加了3.01個百分點。

三星的半導體解決方案部門包括存儲器、邏輯和代工業(yè)務部門，預計2023年營業(yè)利潤為13.1萬億韓元。如果達到這一目標，三星半導體部門員工預計將在 2023 年獲得相當于其年薪 5% 至 11% 的獎金，該獎金將于 2024 年 1 月支付。

報導引用相關知情人士的說法，三星預計在位于韓國平澤的P3工廠增加DRAM 生產(chǎn)設備，屆時12 吋晶圓月產(chǎn)能將可達7 萬片，高于目前P3廠DRAM產(chǎn)線的每月2萬片產(chǎn)能。截至第3季，三星每月的DRAM晶圓總產(chǎn)量為66.5萬片，以增產(chǎn)5萬片計算，增幅約7.5%。三星還將使用新的設備生產(chǎn)12nm級DRAM。另外，三星還計劃把P3廠的晶圓代工產(chǎn)能提高到3 萬片，并增加4nm產(chǎn)能，強攻先進制程。截至第3季，三星的每月晶圓代工總產(chǎn)量為47.6萬片。

為應對DRAM與晶圓代工先進新產(chǎn)能需求，三星還將新增至少10臺極紫外光(EUV)光刻機，目前三星已有約40臺EUV光刻機。三星在全球DRAM市場市占率節(jié)節(jié)攀升，從2021年第4季的41.9%，今年第2季擴大到43.4%，穩(wěn)居龍頭。