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[導(dǎo)讀]1月9日消息,針對(duì)即將在1月12日召開(kāi)法說(shuō)會(huì),并且公布2022 年12 月及第四季營(yíng)收狀況的晶圓代工龍頭臺(tái)積電,根據(jù)外資的最新報(bào)告指出,因?yàn)槿虻慕?jīng)濟(jì)放緩和疫情大流行后的庫(kù)存調(diào)整等因素,造成了臺(tái)積電的訂單減少,加上臺(tái)積電當(dāng)前正在花費(fèi)大量資本來(lái)投資于產(chǎn)能擴(kuò)張,以生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體的情況下,使得該公司當(dāng)前正處于艱難的營(yíng)運(yùn)時(shí)期。

1月9日消息,針對(duì)即將在1月12日召開(kāi)法說(shuō)會(huì),并且公布2022 年12 月及第四季營(yíng)收狀況的晶圓代工龍頭臺(tái)積電,根據(jù)外資的最新報(bào)告指出,因?yàn)槿虻慕?jīng)濟(jì)放緩和疫情大流行后的庫(kù)存調(diào)整等因素,造成了臺(tái)積電的訂單減少,加上臺(tái)積電當(dāng)前正在花費(fèi)大量資本來(lái)投資于產(chǎn)能擴(kuò)張,以生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體的情況下,使得該公司當(dāng)前正處于艱難的營(yíng)運(yùn)時(shí)期。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),瑞銀、花旗集團(tuán)、摩根大通和高盛等外資投行認(rèn)為,2023 年前兩季臺(tái)積電將面臨營(yíng)收下降的情況。隨著臺(tái)積電3nm產(chǎn)能的提升和最新制程產(chǎn)品的出貨,它將在2024 年恢復(fù)成長(zhǎng)。

花旗集團(tuán)指出,2023 年第一季和第二季,臺(tái)積電的單季營(yíng)收將分別下降14% 和9%。除此之外,利潤(rùn)也將下降5% 和15%。而瑞銀方面則是指出,臺(tái)積電2023 年第一季和2023 年第二季營(yíng)收將個(gè)別下降16% 和3%~4%。

臺(tái)積電的南科晶圓18廠是5nm及3nm的生產(chǎn)基地,其中,晶圓18廠5期至9期廠房是3nm生產(chǎn)基地。

臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州廠第1期工程,預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)4nm;第2期工程開(kāi)始興建,預(yù)計(jì)2026年生產(chǎn)3nm制程,兩期工程總投資金額約400億美元,兩期工程完工后合計(jì)將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓。不過(guò),從量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)上來(lái)看,臺(tái)積電美國(guó)廠3nm量產(chǎn)時(shí)間要比臺(tái)灣晚近4年的時(shí)間。而根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃,其將于2025年量產(chǎn)2nm。也就是說(shuō),臺(tái)積電美國(guó)廠的最先進(jìn)制程將會(huì)比臺(tái)灣廠的最先進(jìn)制程晚一代以上。

相比于5nm,臺(tái)積電3nm工藝具有更好的效能、功耗,其邏輯密度將增加60%,相同速度下功耗降低30-35%,而且3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上比5nm高出5%。

另外,根據(jù)接受Business Next采訪的專門從事半導(dǎo)體的分析師和專家估計(jì),目前臺(tái)積電的3nm良率可能低至60%至70%,也可能高達(dá)75%至80%,這對(duì)于剛剛量產(chǎn)的3nm工藝來(lái)說(shuō)是相當(dāng)不錯(cuò)的。

據(jù)Semiwiki報(bào)道,臺(tái)積電在 2022 年 IEDM 上發(fā)表了兩篇關(guān)于 3nm 的論文:“關(guān)鍵工藝特性可實(shí)現(xiàn)3nm CMOS及更高技術(shù)的激進(jìn)接觸柵極間距縮放”和“3nm CMOS FinFlex為移動(dòng)SOC和高性能計(jì)算應(yīng)用提供增強(qiáng)的能效和性能的平臺(tái)技術(shù)”。

Semiwiki的編輯表示,第一篇論文描述了臺(tái)積電的 N3 工藝,第二篇論文描述了臺(tái)積電 N3E 工藝,這在第二次演講中得到了演講者的證實(shí)。

另?yè)?jù)Business Next的報(bào)道,目前臺(tái)積電的3nm良率可能高達(dá)75%至80%。

細(xì)數(shù)臺(tái)積電近年來(lái)的全球布局,它在 2015 年宣布到南京設(shè)廠、2016 年南京廠正式動(dòng)工、2018 年舉行量產(chǎn)典禮。時(shí)隔兩年,臺(tái)積電再度在 2020 年宣布將到美國(guó)亞利桑那州新建5nm的12吋先進(jìn)產(chǎn)能廠房;2021 年又再宣布在日本茨城縣筑波市設(shè)立 3D IC 材料研發(fā)中心,同年 10 月宣布將在熊本設(shè)廠。2022 年 12 月臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州舉行移機(jī)典禮上,又宣布將美國(guó)5nm晶圓廠升級(jí)為4nm,同時(shí)在美國(guó)再建一座3nm晶圓廠。同月底臺(tái)積電于南科舉行 3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮。

、據(jù)了解,臺(tái)積電位于南部科學(xué)園區(qū)晶圓18 廠為臺(tái)積電生產(chǎn)5nm及3nm制程技術(shù)的超大晶圓廠(GIGAFAB Facilities)。該廠區(qū)投資金額總計(jì)超過(guò)新臺(tái)幣18,600億元,創(chuàng)造逾23,500個(gè)營(yíng)建工作機(jī)會(huì),以及超過(guò)11,300 個(gè)直接高科技工作機(jī)會(huì)。臺(tái)積電除了臺(tái)灣持續(xù)擴(kuò)建3nm產(chǎn)能,美國(guó)第二期建廠亦同步展開(kāi)。臺(tái)積電預(yù)估3nm制程技術(shù)量產(chǎn)第一年收入優(yōu)于2020年5nm量產(chǎn)時(shí)收益,預(yù)計(jì)3nm制程技術(shù)將在量產(chǎn)5年內(nèi)釋放全世界約1.5萬(wàn)億美元終端產(chǎn)品價(jià)值。

劉德音在致詞時(shí)還透露,臺(tái)積電南科廠區(qū),包括六廠、十四廠、十八廠,同時(shí)有來(lái)自南科再生水廠的水資源供應(yīng),將逐步達(dá)成2030 年再生水替代率60% 的目標(biāo);臺(tái)積電目前使用20% 再生能源,并將達(dá)到2050 年采用100% 再生能源與凈零排放的永續(xù)目標(biāo)。

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