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[導讀]瀚薪擁有自主知識產權及專利的器件設計和工藝研發(fā)的能力,并另外開啟了碳化硅模塊賽道,這離不開其前期構建的技術基石和豐富的研發(fā)設計經驗。

瀚薪擁有自主知識產權及專利的器件設計和工藝研發(fā)的能力,并另外開啟了碳化硅模塊賽道,這離不開其前期構建的技術基石和豐富的研發(fā)設計經驗。

第三代半導體的“風口”已呼嘯而至?!吨腥A人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》已將推動“碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展”寫入了“科技前沿領域攻關”部分。據Yole指出,與傳統解決方案相比,采用碳化硅的解決方案可使系統效率更高、重量更輕及結構更加緊密。以碳化硅為代表的第三代半導體成本的逐漸降低,以及在5G、毫米波通信、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產業(yè)的應用需求激增,未來市場發(fā)展前景廣闊。

上海瀚薪致力于研發(fā)和生產寬禁帶半導體功率器件及功率模塊,是目前國內唯一一家能大規(guī)模量產車規(guī)級碳化硅MOSFET、二極管并規(guī)模出貨給全球知名客戶的本土公司。今年年初,瀚薪設立模塊公司,采用自有SiC MOSFET和二極管設計高功率密度模塊,以IDM模塊公司的全新形象面世。4月14日至16日,上海慕尼黑電子展在新國際博覽中心成功舉行,探索科技(techsugar)與上海瀚薪科技董事、運營總監(jiān)胡佑周博士,就第三代半導體的技術發(fā)展、碳化硅功率器件的增量市場以及企業(yè)發(fā)展規(guī)劃等問題進行了探討。

圖:上海瀚薪科技董事、運營總監(jiān)胡佑周博士

技術基石穩(wěn)固,模塊業(yè)務延長產品線

探索科技(techsugar)了解到,瀚薪在上海新國際博覽中心N3館展出碳化硅器件,同時在N2館設有展臺展出模塊產品,雙展位均有大量參會者觀覽交流。胡佑周介紹說,模塊在公司業(yè)務中重要性提高是瀚薪今年最大的變化。

瀚薪的業(yè)務集中于寬禁帶功率模塊的設計和開發(fā),SiC、GaN功率半導體的設計和開發(fā);集成電路產品的研發(fā)和銷售;車載電子產品等。其業(yè)務涉及的行業(yè)包括新能源車的OBC/DC-DC/充電樁、光伏逆變器、通信電源、高端服務器電源、儲能、工業(yè)電源、高鐵、航天工業(yè)等。瀚薪擁有碳化硅MOSFET、集成型碳化硅JMOSFET、肖特基二極管,以及全碳化硅模塊產品,產品線齊全。

瀚薪獨創(chuàng)集成型碳化硅JMOSFET(JBS integrated SiC MOSFET)結構技術,擁有自主設計、全球唯一量產的SiC JMOS產品,實現了碳化硅的DMOSFET和JBS(肖特基二極管)的芯片內集成,從而可以滿足電力電子應用中對高功率密度規(guī)格、高效率的需求,實現對芯片面積與電容特性的有效控制,提升應用系統效率同時增加功率密度。

瀚薪的部分碳化矽肖基特二極體

瀚薪的SiC DMOSFET開關器件,包括車規(guī)級650V/1200V/1700V系列碳化硅二極管和MOSFET均已規(guī)模量產;按照歐洲新能源車企要求開發(fā)的3300V系列也已量產,正在導入供應鏈。瀚薪二極管經過幾代技術更迭,Vf可以做到1.3V左右,透過集成肖特基二極管對壓降(Voltage Drop; VSD)特性帶來顯著改善,為電力電子應用提供可靠性保證。

瀚薪采用自有SiC MOSFET和二極管設計高功率密度模塊,已量產出貨650V/1200V的全碳化硅功率模塊,1200V功率模塊用于新能源電驅,是一款推向全球的HTP模塊。另外,在碳化硅MOSFET的單管電流這一重要參數上,瀚薪可根據客戶需求靈活開發(fā),比如應用于汽車電器的模塊,相同芯片的電流大小可由600A升至750A以上。

圖:瀚薪展會現場展出的高功率密度模塊

瀚薪擁有自主知識產權及專利的器件設計和工藝研發(fā)的能力,并另外開啟了碳化硅模塊賽道,這離不開其前期構建的技術基石和豐富的研發(fā)設計經驗。上海瀚薪一直以來專注于投入SiC與GaN的材料特性、制程工藝與功率半導體設計及電力電子應用的相關研究。經過多年在碳化硅領域的深耕和積累,2014年瀚薪完成了650V/1200V全系列碳化硅肖特基二極管產品的量產和車規(guī)認證,最大單管電流達到100A;2017年量產650V/1200V全系列碳化硅MOSFET并通過車規(guī)認證,最低內阻可達20毫歐。

碳化硅功率器件增長點:

新能源汽車、光伏與軌道交通

胡佑周認為,新能源汽車、光伏與軌道交通將是碳化硅功率器件市場的新增長點。

如今整個行業(yè)的應用都在向高頻化和輕薄化發(fā)展,對功率器件模塊小型化和更高功率密度需求強烈,這要求硬件具有更好的散熱性能和效率。碳化硅是第三代半導體材料,與第一、二代半導體材料相比,具有更寬禁帶寬度、更高擊穿電場、更高熱導率、更高電子飽和速率及更高抗輻射能力,更適合新能源、光伏與軌道交通等對高溫、高頻、抗輻射有要求的行業(yè)。

新能源汽車。新能源汽車給電池、OBC/DC-DC/充電樁帶來了新的增量,650V/1200V的碳化硅器件在充電樁市場的需求很大。

光伏。用于光伏逆變器的功率器件正朝著高溫、高頻、低功耗、高功率容量及智能化、系統化方向發(fā)展,新結構、新工藝硅基功率器件正不斷出現,隨著需求推動碳化硅功率半導體器件會走向另一個技術高度。

軌道交通。硅基器件的研發(fā)已逼近物理極限,化合物半導體前景廣闊,地鐵、高鐵等軌道交通過去使用拉閘式機械式開關,如今要做數字化,用固態(tài)方式來實現更可靠更穩(wěn)定可控的要求,胡佑周也看好這部分市場。

另外,胡佑周提到,雖然不如上述三個領域的需求集中,電源與醫(yī)療領域客戶數量可觀。目前碳化硅器件的成本比硅大概貴5到6倍,但還在持續(xù)下降過程中,這些領域的市場需求會逐步釋放出來。

結語

上海瀚薪團隊在碳化硅領域的深入挖掘和探索已有10年累積,其研發(fā)人員占比在70%以上,核心團隊由20多位在半導體行業(yè)耕耘多年的專家組成,研發(fā)核心人物胡佑周曾在臺積電(全球前三大半導體公司)、美國格羅方德、聯華電子(UMC)等國際半導體公司的新加坡分公司主管納米級芯片研發(fā)工作十年以上。團隊的研究項目涵蓋碳化硅材料研究、功率器件設計、晶圓制造工藝、碳化硅模塊設計以及應用開發(fā)等。

目前國內碳化硅產品主要依賴進口,汽車產業(yè)鏈對此依賴程度尤為突出。發(fā)展至今,瀚薪已擁有深厚的、具有自主知識產權的器件設計和工藝研發(fā)的能力,突破了國外大廠在碳化硅技術上的壟斷。據胡佑周描述,近兩年,隨著國內對進口替代的需求增加和碳化硅成本的下降,憑借優(yōu)異的品質、良好的性能和成本優(yōu)勢,瀚薪的全線產品在歐、美、亞一些國家已大規(guī)模使用,國內也有多家車企開始對瀚薪的產品進行驗證。胡佑周表示,性能、產品、服務、品牌是瀚薪運營過程中最看重的四個要素,瀚薪扎根于本土,將繼續(xù)以國際品牌、國際生產品質和國際技術水平來要求自己,為電力電子行業(yè)提供高質量的產品。

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