EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)EPC2252，為設計人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級激光雷達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感電機驅動器。

作為增強型氮化鎵 (eGaN®) FET 和 IC 的全球領導者，宜普電源轉換公司(EPC)進一步擴大已有現貨供應的車規(guī)級氮化鎵晶體管系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm 封裝內提供 75 A 脈沖電流的EPC2252，比硅MOSFET更小和更高效，適用于自動駕駛和其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應用中的車規(guī)級激光雷達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感電機驅動器。

在高頻工作時，氮化鎵晶體管具有更低的開關損耗、更低的傳導損耗、零反向恢復損耗和更低的驅動功率，可實現高效率。結合極小的占板面積，這些優(yōu)勢可實現最高功率密度。

氮化鎵晶體管具備快速開關、亞納秒級轉換和在短于3 ns 時間內可生成大電流脈沖的優(yōu)勢，使激光雷達在自動駕駛、停泊車輛和防撞方面看得更遠和分辨率更高。

EPC聯合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Alex Lidow 說:“EPC2252是車規(guī)級激光雷達、低電感電機驅動器和 48 V DC/DC轉換的理想開關。我們致力于為汽車市場擴大氮化鎵產品系列，以實現高效、低成本的汽車電氣化和自動駕駛?！?