據(jù)業(yè)內(nèi)相關(guān)人士爆料，臺(tái)積電最大的客戶蘋果公司近日再次下調(diào)了之前投產(chǎn)的晶圓數(shù)量，而且調(diào)整幅度較大共涉及 N7、N5、N4 還有部分 N3 產(chǎn)線的芯片共計(jì)大約 12 萬片。

2023 年蘋果可能將是臺(tái)積電 3nm 工藝唯一的大客戶，本次下調(diào)數(shù)量也就意味著臺(tái)積電的訂單再次下降。N3、N4、N5、N7 均為臺(tái)積電晶圓代工的工藝，分別代表3nm、4nm(第二代 5nm)、5nm、7nm。

據(jù)悉，蘋果今年為 iPhone 15 Pro / Pro Max 準(zhǔn)備的 A17 將會(huì)使用臺(tái)積電 N3 工藝，而 M2 Ultra /M3 可能也會(huì)使用，蘋果 A14/15 均基于臺(tái)積電 N5、N5P，而 A16 基于 N4，M1 系列基于 N5、N5P 工藝，M2 系列的芯片似乎也采用了 N4 工藝。

臺(tái)積電的 N7+ 是半導(dǎo)體行業(yè)第一個(gè)商用的極紫外光刻工藝，它使用紫外線圖案化，可以在硅上實(shí)現(xiàn)更敏銳的電路，N7+ 提供比以前的技術(shù)高 15~20% 的晶體管密度和 10% 的功耗優(yōu)化，N7 實(shí)現(xiàn)了有史以來最快的批量上市時(shí)間，比 10nm 和 16nm 更快。

N5 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FinFET) 技術(shù)是臺(tái)積電第二個(gè)可用的 EUV 工藝技術(shù)，擁有比 N7 技術(shù)快約 20% 的速度或約 40% 的功耗降低，進(jìn)一步擴(kuò)展了其客戶產(chǎn)品組合并擴(kuò)大了市場(chǎng)覆蓋。

N4 技術(shù)是 N5 技術(shù)的增強(qiáng)版，為下一波 N5 產(chǎn)品提供了性能、功率和密度的進(jìn)一步增強(qiáng)，N4 技術(shù)在去年量產(chǎn)。

N3 是 N5 的又一次全節(jié)點(diǎn)跨越，并在推出時(shí)提供 PPA 和晶體管技術(shù)方面最先進(jìn)的代工技術(shù)。與 N5 技術(shù)相比，N3 技術(shù)將提供高達(dá) 70% 的邏輯密度增益、在相同功率下高達(dá) 15% 的速度提升以及在相同速度下高達(dá) 30% 的功率降低。

因?yàn)樘O果計(jì)劃將整個(gè) Mac 產(chǎn)品線過渡到其基于 ARM 的處理器，2020 年臺(tái)積電是被選中生產(chǎn)蘋果公司的 5nm ARM處理器。同時(shí)英特爾也在用臺(tái)積電的 3nm N3 工藝生產(chǎn)測(cè)試其專有芯片設(shè)計(jì)。