日前,2023“科創(chuàng)中國(guó)”年度會(huì)議上,中國(guó)科協(xié)正式發(fā)布了2022年“科創(chuàng)中國(guó)”系列榜單。經(jīng)初評(píng)、終評(píng),遴選公示多個(gè)環(huán)節(jié),東方晶源申報(bào)的“電子束硅片圖形缺陷檢測(cè)與關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目榮登“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜。

“科創(chuàng)中國(guó)”系列榜單由中國(guó)科協(xié)推出,是“科創(chuàng)中國(guó)”建設(shè)的一項(xiàng)引領(lǐng)性、標(biāo)志性工作,著力打造科技創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展的風(fēng)向標(biāo),圍繞服務(wù)國(guó)家重大戰(zhàn)略需求,促進(jìn)創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈深度融合,為前沿技術(shù)的轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地起到帶動(dòng)和示范作用。此次榮登“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜,再次證明東方晶源在電子束檢測(cè)領(lǐng)域具有創(chuàng)新性、戰(zhàn)略性、引領(lǐng)性、突破性,技術(shù)達(dá)到一定成熟度。

電子束缺陷檢測(cè)設(shè)備(EBI)和關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備(CD-SEM)是集成電路制造中用于良率監(jiān)控的關(guān)鍵設(shè)備,對(duì)于提高集成電路制造企業(yè)的產(chǎn)品良率具有重要意義。經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻關(guān),東方晶源突破了集成電路制造檢測(cè)設(shè)備的高速高精度硅片傳輸定位、高速圖像像差補(bǔ)償、自動(dòng)缺陷檢測(cè)和智能分類、小線寬尺寸量測(cè)等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。截至目前,旗下EBI、CD-SEM均已通過(guò)產(chǎn)線驗(yàn)證并進(jìn)入Fab量產(chǎn),同時(shí)獲得多家客戶重復(fù)訂單。

EBI設(shè)備使用高掃描速度、高束流的電子束對(duì)硅片表面進(jìn)行成像,隨后通過(guò)智能算法檢測(cè)出電性和物理缺陷。東方晶源EBI產(chǎn)品(SEpA-i515)可解決在28nm及以上制程的缺陷檢測(cè)問(wèn)題,量產(chǎn)可靠性達(dá)到90%以上,使用率達(dá)到80%以上,適用對(duì)象包括但不限于邏輯芯片、閃存存儲(chǔ)芯片制造等。

CD-SEM設(shè)備使用高分辨率、高穩(wěn)定性的電子束對(duì)硅片表面進(jìn)行成像,隨后通過(guò)豐富的量測(cè)算法得到關(guān)鍵尺寸信息。東方晶源新一代CD-SEM產(chǎn)品(SEpA-c410)量測(cè)結(jié)果和重復(fù)性可以達(dá)到國(guó)際主流設(shè)備的容差范圍,已解決28nm/40nm制程中線寬大于90nm的圖形量測(cè)需求,設(shè)備可靠性達(dá)93%。同時(shí)更小線寬量測(cè)已通過(guò)測(cè)試驗(yàn)證,持續(xù)助力幫助客戶解決更小、更高標(biāo)準(zhǔn)的圖形量測(cè)問(wèn)題。

東方晶源從創(chuàng)立伊始便聚焦于電子束檢測(cè)領(lǐng)域,經(jīng)過(guò)數(shù)年技術(shù)攻關(guān),成功解決多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白并領(lǐng)跑國(guó)內(nèi)行業(yè)發(fā)展。本次入選“科創(chuàng)中國(guó)”先導(dǎo)技術(shù)榜,是國(guó)家科技領(lǐng)域?qū)|方晶源技術(shù)實(shí)力和取得成績(jī)的高度認(rèn)可。未來(lái),東方晶源將不忘初心,充分發(fā)揮在電子束檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),不斷深耕,開(kāi)拓創(chuàng)新,向更多檢測(cè)領(lǐng)域積極布局,與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)共同攜手,加速推進(jìn)我國(guó)集成電路制造自主可控。