根據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，隨著臺(tái)積電 3nm~5nm 制程工藝的流片和排產(chǎn)，三星半導(dǎo)體在晶圓代工先進(jìn)制程壓力山大，因此準(zhǔn)備在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)第三代 4nm 制程工藝以求力壓臺(tái)積電。

據(jù)悉，三星晶圓代工的第三代 4nm 制程工藝在效能、功耗、晶片面積微縮均有提升，而且再加上三星晶圓代工一貫以來(lái)的低價(jià)位，因此三星欲借此機(jī)會(huì)爭(zhēng)取高通、AMD、輝達(dá)等臺(tái)積電大客戶(hù)訂單，掀起與臺(tái)積電的新一波搶單大戰(zhàn)。

就拿 4nm 制程工藝來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電已有的 4nm(N4) 制程工藝隸屬于自家 5nm 家族，臺(tái)積電對(duì)于自家 4nm 制程工藝技術(shù)的定位是 5nm 技術(shù)的強(qiáng)化版，去年已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，應(yīng)用橫跨消費(fèi)與非消費(fèi)等眾多領(lǐng)域，也成為了臺(tái)積電先進(jìn)制程的最大營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)源。

根據(jù)臺(tái)積電統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2022 年 Q4 季度 5nm 家族對(duì)臺(tái)積電營(yíng)收貢獻(xiàn)高達(dá) 32%，而作為來(lái)拍的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，三星半導(dǎo)體大力發(fā)展臺(tái)積電營(yíng)收占比最高的先進(jìn)制程，并且大幅改善功耗、效能等，其競(jìng)爭(zhēng)意圖是非常明顯的，而且在現(xiàn)階段市場(chǎng)收窄的時(shí)候。

據(jù)悉，2021 年的時(shí)候三星晶圓代工業(yè)務(wù)就量產(chǎn)了其第一代的 4nm 制程工藝，隨后在去年逐步擴(kuò)產(chǎn) 4nm 一度產(chǎn)能突破 2萬(wàn)片/月。與此同時(shí)，三星半導(dǎo)體同步調(diào)度旗下 NAND Flash 相關(guān)人力支援生產(chǎn)。

根據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士透露，三星本次來(lái)勢(shì)洶洶，臺(tái)積電向來(lái)不評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手與訂單動(dòng)態(tài)。三星在兩天前發(fā)布的業(yè)務(wù)報(bào)告內(nèi)容披露，將在今年上半年開(kāi)始量產(chǎn)晶圓代工第三代 4nm 制程工藝，也是三星首度明確提到 4nm 后續(xù)版本的量產(chǎn)時(shí)間表。

據(jù)悉，和三星第一代的 4nm 制程工藝的版本 SF4E 相比，后來(lái)的第二、三代版本的效能較佳、省電效率較高，使用的面積也較小，當(dāng)時(shí) SF4E 制程晶片雖已商業(yè)化，良率控管卻遇到極大瓶頸，導(dǎo)致三星最大客戶(hù)高通公司把訂單轉(zhuǎn)給臺(tái)積電。

而現(xiàn)階段三星 4nm 制程工藝的良率在過(guò)去兩年逐步提升，與此同時(shí)其產(chǎn)能也穩(wěn)定提升。業(yè)內(nèi)人士預(yù)估三星目前的 4nm 良率大約在 60%，雖然及臺(tái)積電的 70%，但三星還在不斷迭代并正大幅提升良率，后續(xù)版本也在加速量產(chǎn)，再加上其價(jià)格優(yōu)勢(shì)將會(huì)給臺(tái)積電帶來(lái)一定的壓力。

雖然現(xiàn)階段最先進(jìn)的晶圓代工制程為 3nm 制程工藝，但總體的營(yíng)收占比仍 4nm/4nm 制程工藝為大頭。截止 2022 年，全球晶圓代工營(yíng)收占比 4nm/4nm 制程工藝高達(dá) 22%，6nm/7nm 制程工藝為 16% 其次，12nm/14nm/16nm 制程為 11%。

除此之外，臺(tái)積電在亞利桑那鳳凰城建廠(chǎng)后，三星也有意在美國(guó)擴(kuò)張 4nm 制程工藝的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)三星將在德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)建立一條 4nm 生產(chǎn)線(xiàn)，和臺(tái)積電在鳳凰城的晶圓廠(chǎng)一樣，預(yù)計(jì)也將在 2024 下半年開(kāi)始量產(chǎn)。