根據(jù)業(yè)內(nèi)信息報道，隨著臺積電 3nm~5nm 制程工藝的流片和排產(chǎn)，三星半導(dǎo)體在晶圓代工先進制程壓力山大，因此準備在今年上半年開始量產(chǎn)第三代 4nm 制程工藝以求力壓臺積電。

據(jù)悉，三星晶圓代工的第三代 4nm 制程工藝在效能、功耗、晶片面積微縮均有提升，而且再加上三星晶圓代工一貫以來的低價位，因此三星欲借此機會爭取高通、AMD、輝達等臺積電大客戶訂單，掀起與臺積電的新一波搶單大戰(zhàn)。

就拿 4nm 制程工藝來說，臺積電已有的 4nm(N4) 制程工藝隸屬于自家 5nm 家族，臺積電對于自家 4nm 制程工藝技術(shù)的定位是 5nm 技術(shù)的強化版，去年已經(jīng)開始量產(chǎn)，應(yīng)用橫跨消費與非消費等眾多領(lǐng)域，也成為了臺積電先進制程的最大營收貢獻來源。

根據(jù)臺積電統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2022 年 Q4 季度 5nm 家族對臺積電營收貢獻高達 32%，而作為來拍的競爭對手，三星半導(dǎo)體大力發(fā)展臺積電營收占比最高的先進制程，并且大幅改善功耗、效能等，其競爭意圖是非常明顯的，而且在現(xiàn)階段市場收窄的時候。

據(jù)悉，2021 年的時候三星晶圓代工業(yè)務(wù)就量產(chǎn)了其第一代的 4nm 制程工藝，隨后在去年逐步擴產(chǎn) 4nm 一度產(chǎn)能突破 2萬片/月。與此同時，三星半導(dǎo)體同步調(diào)度旗下 NAND Flash 相關(guān)人力支援生產(chǎn)。

根據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士透露，三星本次來勢洶洶，臺積電向來不評論競爭對手與訂單動態(tài)。三星在兩天前發(fā)布的業(yè)務(wù)報告內(nèi)容披露，將在今年上半年開始量產(chǎn)晶圓代工第三代 4nm 制程工藝，也是三星首度明確提到 4nm 后續(xù)版本的量產(chǎn)時間表。

據(jù)悉，和三星第一代的 4nm 制程工藝的版本 SF4E 相比，后來的第二、三代版本的效能較佳、省電效率較高，使用的面積也較小，當(dāng)時 SF4E 制程晶片雖已商業(yè)化，良率控管卻遇到極大瓶頸，導(dǎo)致三星最大客戶高通公司把訂單轉(zhuǎn)給臺積電。

而現(xiàn)階段三星 4nm 制程工藝的良率在過去兩年逐步提升，與此同時其產(chǎn)能也穩(wěn)定提升。業(yè)內(nèi)人士預(yù)估三星目前的 4nm 良率大約在 60%，雖然及臺積電的 70%，但三星還在不斷迭代并正大幅提升良率，后續(xù)版本也在加速量產(chǎn)，再加上其價格優(yōu)勢將會給臺積電帶來一定的壓力。

雖然現(xiàn)階段最先進的晶圓代工制程為 3nm 制程工藝，但總體的營收占比仍 4nm/4nm 制程工藝為大頭。截止 2022 年，全球晶圓代工營收占比 4nm/4nm 制程工藝高達 22%，6nm/7nm 制程工藝為 16% 其次，12nm/14nm/16nm 制程為 11%。

除此之外，臺積電在亞利桑那鳳凰城建廠后，三星也有意在美國擴張 4nm 制程工藝的產(chǎn)能，預(yù)計三星將在德州泰勒市的晶圓廠建立一條 4nm 生產(chǎn)線，和臺積電在鳳凰城的晶圓廠一樣，預(yù)計也將在 2024 下半年開始量產(chǎn)。