據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，前不久韓國三星表示投入 2300 億美元打造全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，作為直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電將計(jì)劃在臺(tái)灣新建 10 座晶圓廠來擴(kuò)產(chǎn)未來 2~3nm 先進(jìn)制程工藝，這對(duì)全球半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)來說像一場(chǎng)軍備競(jìng)賽。

之前韓國政府的一項(xiàng)計(jì)劃表示三星將在未來 20 年內(nèi)在半導(dǎo)體中會(huì)投資 大約 2300 億美元，同時(shí)要求私營部門向科技領(lǐng)域投資 4220 億美元，包括芯片、電池和顯示器，三星欲打造全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

據(jù)悉，韓國總統(tǒng)尹錫悅表示：“最近從芯片開始的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)場(chǎng)已經(jīng)擴(kuò)大，各國正在提供大規(guī)模補(bǔ)貼和稅收支持，我們必須支持私人投資以確保進(jìn)一步增長(zhǎng)，政府必須提供選址、研發(fā)、人力和稅收支持?！?

韓國政府的戰(zhàn)略旨在將芯片和其他戰(zhàn)略技術(shù)的設(shè)施投資的稅收減免率從 8% 提高到 15%。除此之外，韓國政府將在五年內(nèi)提供 200 億美元用于研發(fā)，2760 億美元用于開發(fā)芯片封裝，以及 770 億美元用于工業(yè)水電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。

或許是該信息對(duì)晶圓代工巨頭臺(tái)積電產(chǎn)生了危機(jī)感，臺(tái)積電計(jì)劃放大布局規(guī)模，對(duì)臺(tái)積電來說在先進(jìn)制程工藝方面是有優(yōu)勢(shì)的，在其擅長(zhǎng)的 3nm 制程世代將會(huì)是一個(gè)大規(guī)模且有長(zhǎng)期需求的制程技術(shù)。

據(jù)悉，日前臺(tái)積電在法說會(huì)指出，盡管庫存調(diào)整仍在持續(xù)，但已觀察到 3nm 的 N3 制程和N3E 制程皆有許多客戶參與，量產(chǎn)第一年和第二年產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案數(shù)量將是 5nm 的 N5 制程工藝的 2 倍以上。

現(xiàn)階段臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)無論在 PPA(效能、功耗及面積)及電晶體技術(shù)上，都已是全球半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)，預(yù)計(jì)未來幾年市場(chǎng)對(duì) 3nm 制程工藝的芯片有強(qiáng)勁需求，而臺(tái)積電已經(jīng)全力拉升 3nm 制程工藝的產(chǎn)能。

據(jù)悉，臺(tái)積電 3nm 生產(chǎn)重鎮(zhèn)以南科 Fab 18 廠區(qū)為主體已完成 Fab 18 廠區(qū)第五期至第八期共四座 3nm 制程工藝晶圓廠，未來將視市場(chǎng)需求決定是否興建第九期的 3nm 晶圓廠。而臺(tái)積電已宣布將會(huì)在美國亞利桑那州 Fab 21 廠區(qū)興建第二期 3nm 晶圓廠，預(yù)計(jì)2025年之后可以進(jìn)入量產(chǎn)。

同時(shí)臺(tái)積電正在準(zhǔn)備 2nm 制程晶圓廠預(yù)計(jì)會(huì)落腳在新竹與臺(tái)中科學(xué)園區(qū)，共計(jì)有的六期工程已按計(jì)劃持續(xù)進(jìn)展中。根據(jù)臺(tái)積電公布資料，臺(tái)積電在竹科寶山二期興建的 2nm 超大型晶圓廠 Fab 20 將會(huì)興建 1~4 期共四座晶圓廠，臺(tái)積電正在爭(zhēng)取中科臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建二期開發(fā)計(jì)劃的建廠用地，在取得用地后會(huì)再興建至少兩座 2nm 制程晶圓廠。

從上述一系列事件可以看到，臺(tái)積電在未來五年中已經(jīng)在臺(tái)灣規(guī)劃了 2~3nm 先進(jìn)制程工藝的晶圓廠逾十座。如果用先進(jìn)制程 3 萬片/月產(chǎn)能的晶圓廠投資金額大約為 200 億美元來計(jì)算，臺(tái)積電對(duì)此的總投資金額將超過 2000 億美元，并且?guī)?dòng)包括材料、設(shè)備等臺(tái)積電大聯(lián)盟供應(yīng)體系的生態(tài)圈。而這個(gè)數(shù)字和三星半導(dǎo)體的 2300 億美元的投資基本算是勢(shì)均力敵。