據(jù)業(yè)內(nèi)信息統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)市場(chǎng)的營(yíng)收或?qū)⒊掷m(xù)下滑，除了傳統(tǒng)的淡季影響之外，還和過(guò)去兩年的市場(chǎng)影響以及雙邊制裁等因素有關(guān)。據(jù)悉，NAND-Flash 存儲(chǔ)市場(chǎng)去年不斷下跌，最后一個(gè)季度下滑近 25%。

首先，F(xiàn)lash 稱(chēng)為閃存，是一種像電可擦寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器一樣的存儲(chǔ)器，允許對(duì)資料進(jìn)行多次的刪除、加入或改寫(xiě)。這種內(nèi)存廣泛用于儲(chǔ)存卡、U盤(pán)之中，因其可迅速改寫(xiě)的特性非常適合手機(jī)、筆記本電腦、游戲主機(jī)、掌機(jī)之間的文件轉(zhuǎn)移，也曾經(jīng)是數(shù)字相機(jī)、數(shù)字隨身聽(tīng)和PDA的主要資料轉(zhuǎn)移方式。

早期的閃存只要進(jìn)行一次刪除就會(huì)連帶清除掉所有的資料，但目前已可以精確到對(duì)指定的資料進(jìn)行單個(gè)刪除。與傳統(tǒng)的硬盤(pán)相比，閃存有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性，不會(huì)因?yàn)閯×一蝿?dòng)而造成資料丟失;閃存在被做成儲(chǔ)存卡時(shí)非常堅(jiān)固牢靠，可以浸在水中，也可抵抗高壓力和極端溫度;并且閃存屬于非易失性固態(tài)存儲(chǔ)，非易失性指的是在保存文件時(shí)不需要消耗電力?；谝陨线@些優(yōu)點(diǎn)，使得閃存非常適用于需要游歷各種場(chǎng)所并需要隨時(shí)存檔的電子設(shè)備，因此在小型的可移動(dòng)電子設(shè)備中大放異彩。

Flash 的出現(xiàn)迅速取代了造價(jià)高昂的普通 EEPROM 或需要保持供電才能保存數(shù)據(jù)的 SRAM。本來(lái) Flash 在分類(lèi)上屬于 EEPROM 的，但現(xiàn)在一般業(yè)界所講的 EEPROM 指的是非快閃式的普通 EEPROM。Flash 以“宏塊抹除”的方式改寫(xiě)其體內(nèi)的資料，因?yàn)檫@種宏塊的特性導(dǎo)致它的“寫(xiě)入速度”往往慢于“讀取速度”，但同時(shí)也使其成本遠(yuǎn)低于“以字節(jié)為單位寫(xiě)入”的普通 EEPROM。因?yàn)槠胀?EEPROM 需要逐個(gè)比特的刪除已有資料，這讓其傳輸速度極其緩慢，相較之下快閃記體直接使用“宏塊抹除”則會(huì)快得多，在會(huì)多次用到高清畫(huà)面、高質(zhì)量音樂(lè)的情況下尤為明顯。

Flash 分為 NOR 與 NAND 兩型，其最常見(jiàn)的封裝方式是 TSOP48 和 BGA，在邏輯接口上的標(biāo)準(zhǔn)則由于廠商陣營(yíng)而區(qū)分為兩種： ONFI (頁(yè)面存檔備份，存于互聯(lián)網(wǎng)檔案館)和 Toggle。手機(jī)上的閃存常常以 eMMC、UFS 和 NVME(特用于蘋(píng)果設(shè)備中的閃存)的方式存在。

我們本文的內(nèi)容說(shuō)的是 NAND-Flash 存儲(chǔ)器，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND-Flash 存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

根據(jù)知情人士透露，今年第一季度以來(lái)，美光(Micron)和鎧俠電子(Kioxia)等存儲(chǔ)大廠產(chǎn)線持續(xù)拉低負(fù)載，西部數(shù)據(jù)、SK 海力士將不斷減產(chǎn)來(lái)緩解目前供給過(guò)剩的情況，NAND-Flash 存儲(chǔ)器的均價(jià)跌幅也回到了 10~15%。

雖然各大廠商不斷減產(chǎn)對(duì)減少 NAND-Flash 存儲(chǔ)器跌價(jià)幅度有一定積極意義，但是本季度本來(lái)就是傳統(tǒng)淡季，市場(chǎng)需求并不好導(dǎo)致整體 NAND-Flash 產(chǎn)品單量受限，因此預(yù)計(jì) 2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)收仍將持續(xù)下跌。從去年下半年開(kāi)始，NAND-Flash 存儲(chǔ)市場(chǎng)就面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致去年最后一個(gè)季度的 NAND-Flash 存儲(chǔ)合約價(jià)格直接下跌 20~25%，其中 Enterprise SSD 跌幅約為 23~28%

據(jù)悉，在存儲(chǔ)廠商不斷下探價(jià)格以換取銷(xiāo)量的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)下游以及終端為避免零部件庫(kù)存再積累導(dǎo)致備貨積極性下滑，這也導(dǎo)致去年第四季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌 25.0%，達(dá) 102.9 億美元。

據(jù)悉，去年第四季度，美光存儲(chǔ)以及鎧俠電子在價(jià)格下跌的同時(shí)出貨量同步下滑，其中鎧俠營(yíng)收跌幅高達(dá) 30.5%，主要是 PC 及智能手機(jī)客戶需求疲弱，以及數(shù)據(jù)中心客戶庫(kù)存調(diào)節(jié)所致。美光營(yíng)收環(huán)比減少 34.7%，目前已大幅降低晶圓廠稼動(dòng)率，不過(guò)由于其 232 層 Client SSD 產(chǎn)品如期出貨，176 層 QLC Enterprise SSD 后續(xù)也將跟進(jìn)，預(yù)期美光位元出貨量在 2023 年會(huì)逐步改善。

除此之外，在存儲(chǔ)市場(chǎng)三星憑借成本優(yōu)勢(shì)且力推大容量產(chǎn)品并拉升位元出貨量，平均銷(xiāo)售單價(jià)則大幅降低導(dǎo)致去年第四季營(yíng)收環(huán)比減少 19.1%，但是以其龐大的體量仍然擁有者大約 34% 的市占率。雖然現(xiàn)階段三星還暫無(wú)減產(chǎn)計(jì)劃，但近年 NAND-Flash 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者技術(shù)進(jìn)展不斷威脅三星在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位，因此在同行競(jìng)對(duì)紛紛減產(chǎn)的情況下，三星傾向維持資本支出及研發(fā)投入力求拉大技術(shù)及產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。

除三星之外，韓國(guó)另一家存儲(chǔ)大廠 SK 集團(tuán)(SK hynix & Solidigm)受到客戶去化庫(kù)存持續(xù)及市場(chǎng)激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)影響，2022 年第四季度的營(yíng)收環(huán)比下滑高達(dá) 31%。因?yàn)橄M(fèi)電子占 SK 海力士的產(chǎn)品組合比重較高，智能手機(jī)新品推出有助于支撐部分需求，再加上 Enterprise SSD 出貨較預(yù)期好，其位元出貨季增達(dá) 6.7%。西部數(shù)據(jù)(WDC)第四季度的位元出貨量環(huán)比增加 20%，雖然價(jià)格也有大幅度下調(diào)，但其 NAND-Flash 部門(mén)營(yíng)收環(huán)比僅下滑不到 4%。