存儲(chǔ)器是許多存儲(chǔ)單元的集合，按單元號(hào)順序排列。存儲(chǔ)器有很多具體的類(lèi)別，比如其中一種便是快閃存儲(chǔ)器。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)快閃存儲(chǔ)器予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器、快閃存儲(chǔ)器具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

從智能手機(jī)、筆記型電腦、以及與各種云端應(yīng)用相關(guān)的服務(wù)器，快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存已經(jīng)在我們的現(xiàn)實(shí)世界中無(wú)處不在?？扉W存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)如此普遍，我們大多數(shù)人甚至都沒(méi)有意識(shí)到快閃存儲(chǔ)器技術(shù)本質(zhì)上并不是一種可靠的儲(chǔ)存媒介。實(shí)際上，快閃存儲(chǔ)器單元的使用壽命有限，快閃存儲(chǔ)器的特性意味著需要強(qiáng)大的磨損平衡(Wear-Leveling)技術(shù)以便使其有更好的性能表現(xiàn)。

業(yè)界的好消息是，現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。

這對(duì)于終端用戶(hù)和設(shè)備制造商來(lái)說(shuō)是項(xiàng)重大的裨益，因?yàn)橹灰x用合適的高品質(zhì)控制器，低成本、高容量、多級(jí)單元的MLC快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器就可以大幅使用在更關(guān)鍵的應(yīng)用中。

由于當(dāng)今接觸到的所有電子設(shè)備幾乎都在使用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，我們很容易忘記這項(xiàng)技術(shù)本身其實(shí)是一種苛求完美的媒介，面臨許多可靠性的挑戰(zhàn)。

P/E次數(shù)有限為最大挑戰(zhàn)雖然快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可讀取接近無(wú)限次數(shù)，但是它們被編程或擦除(P/E)的次數(shù)卻很有限?？扉W存儲(chǔ)器被編程或擦除的耐久性取決于快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器的類(lèi)型，一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于SSD或eMMC等大多數(shù)采用NAND快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存設(shè)備而言，其中所使用的是商用MLC型快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器，通常每個(gè)單元只有數(shù)千個(gè)編程或擦除周期。

盡管快閃存儲(chǔ)器在讀取時(shí)沒(méi)有太多問(wèn)題，但快閃存儲(chǔ)器寫(xiě)入過(guò)程的涉入程度更高。快閃存儲(chǔ)器可以在頁(yè)面級(jí)寫(xiě)入，大小以千位元為單位。數(shù)據(jù)在正確寫(xiě)入之前，頁(yè)面必須要維持凈空。不幸的是，快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器每次只能擦除一個(gè)區(qū)塊，其大小為百萬(wàn)位元。因此，寫(xiě)入快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器之前首先需要擦除包含頁(yè)面在內(nèi)的大區(qū)塊存儲(chǔ)器。由于更新快閃存儲(chǔ)器某個(gè)單元就必須更新區(qū)塊中的所有單元，如此將縮短總體使用壽命。此過(guò)程通常被稱(chēng)為寫(xiě)入擴(kuò)增(Write Amplification)。

為了減少快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器單元的磨損，所有快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存設(shè)備必須使用磨損平衡技術(shù)。這些技術(shù)旨在驅(qū)動(dòng)器上均勻地分散磨損，以最大幅度提高系統(tǒng)的耐久性。在DRAM、SRAM或未使用的快閃存儲(chǔ)器單元中的臨時(shí)緩沖區(qū)都可用來(lái)跟蹤驅(qū)動(dòng)器下一步要寫(xiě)入的位置以及需要擦除的舊位置。

快閃存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器的另一個(gè)主要問(wèn)題是電源故障保護(hù)。臨時(shí)緩沖區(qū)包含驅(qū)動(dòng)器下一步應(yīng)該寫(xiě)入的數(shù)據(jù)以及必須擦除的舊位置等訊息，這些訊息儲(chǔ)存在容易流失的存儲(chǔ)器中，在此情況下，突然斷電會(huì)導(dǎo)致緩沖區(qū)被擦除，使得傳送數(shù)據(jù)失敗造成災(zāi)難性的損失。

隨著光刻制程尺寸的降低以及快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器密度和性能的提高，影響快閃存儲(chǔ)器可靠性的最后一個(gè)問(wèn)題是不斷增加的錯(cuò)誤數(shù)量。最初的快閃存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器使用單級(jí)單元(SLC)快閃存儲(chǔ)器，其中每個(gè)單元儲(chǔ)存一位元，但現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器通常將一個(gè)快閃存儲(chǔ)器單元分成多個(gè)位元，即MLC/TLC快閃存儲(chǔ)器。每個(gè)物理單元支持更多字節(jié)以增大儲(chǔ)存密度，但是會(huì)降低每個(gè)字節(jié)開(kāi)/關(guān)狀態(tài)之間的閾值。這不僅會(huì)增大誤碼率，而且降低使用壽命。隨著光刻制程尺寸的減小，快閃存儲(chǔ)器密度會(huì)進(jìn)一步提高，錯(cuò)誤率也會(huì)增大。

高級(jí)控制器技術(shù)提升可靠度盡管快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存可靠性面臨著上述挑戰(zhàn)，但我們?nèi)匀荒軌驅(qū)⑵溆糜谌粘５南M(fèi)類(lèi)、商業(yè)類(lèi)甚至關(guān)鍵任務(wù)性的應(yīng)用，這方面主要得益于先進(jìn)的快閃存儲(chǔ)器控制器技術(shù)。這些控制器結(jié)合了在磨損平衡、電源故障管理和糾錯(cuò)等方面的先進(jìn)技術(shù)，使我們能夠安全可靠地使用當(dāng)今的高密度快閃存儲(chǔ)器。

以上就是小編這次想要和大家分享的有關(guān)存儲(chǔ)器的內(nèi)容，希望大家對(duì)本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類(lèi)別的文章，可以在網(wǎng)頁(yè)頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。