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[導(dǎo)讀]英飛凌與中國(guó)碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議,以確保獲得更多具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅來(lái)源。天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料,其供應(yīng)量占到英飛凌未來(lái)長(zhǎng)期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額。

援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息:【英飛凌公司正推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,并與中國(guó)碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議,以確保獲得更多具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅來(lái)源。天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料,其供應(yīng)量占到英飛凌未來(lái)長(zhǎng)期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額。】

英飛凌是國(guó)際著名的半導(dǎo)體公司,其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,英飛凌技術(shù)實(shí)力雄厚,在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率國(guó)際第一。近年來(lái),英飛凌公司不斷加強(qiáng)其SiC制造能力,并持續(xù)看好亞太區(qū)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)。公司制訂了遠(yuǎn)景目標(biāo),力爭(zhēng)在2030年達(dá)成30%全球SiC市場(chǎng)份額。

基于對(duì)碳化硅發(fā)展前景的充分看好,英飛凌公司在過(guò)去幾年,與全球碳化硅材料主要供應(yīng)商紛紛簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議。可能是出于對(duì)亞太市場(chǎng)尤其是中國(guó)市場(chǎng)的考慮,英飛凌公司推動(dòng)了這次與中國(guó)供應(yīng)商天科合達(dá)長(zhǎng)期合作協(xié)議的簽訂。

據(jù)業(yè)一位內(nèi)人士稱,天科合達(dá)這家碳化硅材料公司是具有深厚的中科院背景和國(guó)資背景的高科技企業(yè)。公司在2006年成立,成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所,主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來(lái)源于新疆天富集團(tuán)。近年來(lái),伴隨著“雙碳”建設(shè)的深入實(shí)施以及國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體的大力支持,以新能源汽車、光伏風(fēng)電、儲(chǔ)能設(shè)施、軌道交通、5G通訊等為主要應(yīng)用的碳化硅市場(chǎng)快速擴(kuò)容。以天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、爍科晶體等為代表的國(guó)內(nèi)碳化硅材料企業(yè)迎來(lái)快速發(fā)展的時(shí)機(jī)。天科合達(dá)在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域尤為出色,占據(jù)了國(guó)內(nèi)一半以上的市場(chǎng)份額,2021年國(guó)際市場(chǎng)占有率排名第四,在產(chǎn)品良率方面也處于行業(yè)領(lǐng)先地位。公司已經(jīng)得到國(guó)家政策基金和產(chǎn)業(yè)基金的大力支持,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時(shí)代、潤(rùn)科基金都是天科合達(dá)的股東。此次雙方合作協(xié)議的簽訂,是英飛凌公司對(duì)天科合達(dá)產(chǎn)品質(zhì)量的充分肯定,也是英飛凌完善供應(yīng)鏈建設(shè)的一次關(guān)鍵選擇。英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的碳化硅工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn),預(yù)計(jì)天科合達(dá)將會(huì)有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

記者就相關(guān)情況致電中科院物理研究所碳化硅團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人、天科合達(dá)首席科學(xué)家陳小龍研究員。

陳小龍談起就碳化硅的重要優(yōu)勢(shì)時(shí)說(shuō):

碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料,應(yīng)用前景廣闊,大大助力于“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導(dǎo)體材料相比,具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢(shì),特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。比如電動(dòng)汽車應(yīng)用碳化硅器件做逆變器、變壓器,甚至是車載充電樁,可以做得體積小,重量輕,這樣提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,同時(shí)轉(zhuǎn)換效率高,能夠有效節(jié)能。在光伏逆變器和儲(chǔ)能逆變器領(lǐng)域,提高電能利用率,大大降低能耗損失。未來(lái)碳化硅器件將會(huì)覆蓋更高電壓等級(jí)器件,可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。碳化硅功率器件導(dǎo)通電阻底,開關(guān)頻率高,能夠有效降低系統(tǒng)能耗,達(dá)到節(jié)能減排的目的,是為“雙碳”戰(zhàn)略服務(wù)的重要材料。

陳教授談起我國(guó)的碳化硅技術(shù)發(fā)展,說(shuō):

我國(guó)碳化硅技術(shù)起步較晚,天科合達(dá)是中科院物理研究所產(chǎn)學(xué)研合作成功的典型案例,一直在推動(dòng)著國(guó)內(nèi)碳化硅技術(shù)進(jìn)步。碳化硅(SiC)晶體生長(zhǎng)極其困難,上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握SiC晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù),我國(guó)起步較晚。為推動(dòng)SiC晶體國(guó)產(chǎn)化,避免我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”,我們團(tuán)隊(duì)從1999年開始,從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究,自主研發(fā)突破了從生長(zhǎng)設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)和加工等關(guān)鍵技術(shù)。我們形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線,進(jìn)而推動(dòng)國(guó)內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達(dá)成立。天科合達(dá)不斷發(fā)展壯大,取得了不錯(cuò)的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益,帶動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展,團(tuán)隊(duì)因此獲得了中國(guó)科學(xué)院2020年度科技促進(jìn)發(fā)展獎(jiǎng),成為中科院產(chǎn)學(xué)院合作的一個(gè)優(yōu)秀案例。

對(duì)于這次簽約,陳教授說(shuō):

國(guó)際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長(zhǎng)約,一直是普遍的做法,英飛凌鎖定天科合達(dá)的部分產(chǎn)能,即有利于推動(dòng)天科合達(dá)技術(shù)進(jìn)步,也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng),是一個(gè)雙贏的選擇。

另外,中科院物理所陳小龍教授還稱,目前物理所研發(fā)團(tuán)隊(duì)還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長(zhǎng)技術(shù),希望基礎(chǔ)研究上跟進(jìn)一步,為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

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