據(jù) 21ic 近日獲悉，韓國三星電子半導(dǎo)體事業(yè)主管慶桂顯昨天表示，三星半導(dǎo)體的芯片制程工藝技術(shù)優(yōu)勢將在未來五年內(nèi)超越全球晶圓代工龍頭臺積電，預(yù)計在 2nm 制程將開始全面領(lǐng)先臺積電。

去年三星電子率先把環(huán)繞閘極電晶體(GAA)架構(gòu)用于 3nm 制程節(jié)點(diǎn)，并表示 3nm GAA 技術(shù)相比于上一代制程工藝節(jié)點(diǎn)效率提升 30%、能耗減少 50%、芯片空間減小 45%，并表示盡快根據(jù) GAA 架構(gòu)量產(chǎn) 2nm 制程芯片。

相比于三星，臺積電和其他晶圓代工廠則采用鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)，有業(yè)內(nèi)信息報道臺積電也將計劃在 2nm 制程采用 GAA 技術(shù)。三星半導(dǎo)體事業(yè)主管慶桂顯表示，“老實(shí)說，我們的晶圓代工技術(shù)落后臺積電一到兩年，但一旦臺積電加入我們的2nm 科技競賽，三星將領(lǐng)先，我們能在未來五年內(nèi)超越臺積電?！?

三星電子的主要經(jīng)營項(xiàng)目是七大事業(yè)群：半導(dǎo)體、行動通訊、數(shù)位影像、電信系統(tǒng)、IT 解決方案及數(shù)字應(yīng)用，除生產(chǎn)手機(jī)、電視、顯像屏、半導(dǎo)體及電池等，三星電子亦涉足三星旗下的子公司之業(yè)務(wù)外包，如金融、造船、免稅店、主題公園等領(lǐng)域進(jìn)行支持。

三星電子目前主要的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是 DRAM、NAND 等閃存、微控制器以及影像感測器。近年來為了擴(kuò)大市場，也進(jìn)入了微處理器以及晶圓代工。著名的美國蘋果公司 iPhone 的主要零件比如閃存、多層陶瓷電容器、電池和軟性電路板等均為三星所代工和研發(fā)制造的。

慶桂顯表示，三星電子的 4nm 制程技術(shù)落后臺積電兩年，3nm 制程落后一年左右，但在臺積電進(jìn)入 2nm 制程后，事態(tài)將會發(fā)生改變。他說：“我們的客戶較偏好我們的GAA技術(shù)，幾乎所有大客戶都在跟我們合作，但我不能透露客戶名稱，三星的晶圓代工客戶群正在擴(kuò)增”。

除此之外，三星電子也正試圖推進(jìn)其芯片封裝技術(shù)以保持領(lǐng)先對手的地位，隨著半導(dǎo)體制程細(xì)微化變得更加困難，效能最終將透過封裝改善。三星電子去年設(shè)立先進(jìn)封裝團(tuán)隊(duì)，慶桂顯表示預(yù)期未來三到四年內(nèi)將有大幅進(jìn)展。

慶桂顯認(rèn)為存儲芯片在 AI 服務(wù)器有著舉足輕重的地位，將在 2028 年之前出現(xiàn)以存儲半導(dǎo)體為核心的超級電腦。在談及美國對中國大陸的半導(dǎo)體政策時慶桂顯表示，三星電子能挺過相關(guān)沖擊，雖然三星在西安的廠投資需要批準(zhǔn)，但不會對單行的整體事業(yè)造成任何重大壓力，而且會極力化危機(jī)為轉(zhuǎn)機(jī)。