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[導(dǎo)讀]全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將參加于5月9日至11日在德國紐倫堡舉辦的2023PCIM歐洲展會(huì)。PCIM歐洲是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)。屆時(shí),羅姆將展示其推進(jìn)可持續(xù)技術(shù)的新型功率半導(dǎo)體,包括用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域及更多領(lǐng)域的高性能解決方案(展位號(hào):Booth 310, Hall 9)。

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將參加于5月9日至11日在德國紐倫堡舉辦的2023PCIM歐洲展會(huì)。PCIM歐洲是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)。屆時(shí),羅姆將展示其推進(jìn)可持續(xù)技術(shù)的新型功率半導(dǎo)體,包括用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域及更多領(lǐng)域的高性能解決方案(展位號(hào):Booth 310, Hall 9)。

羅姆展臺(tái)示意圖

半導(dǎo)體和電子元件是羅姆的核心產(chǎn)品,其重要性正在增加,特別是在實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)方面,這是為后代保障未來的緊迫問題。在此次PCIM歐洲展會(huì)上,圍繞著節(jié)能、小型化、功能安全、創(chuàng)新和可持續(xù)性,羅姆將為這個(gè)時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)提供先進(jìn)的解決方案。在“與羅姆一起成長”的口號(hào)下,展示其如何通過高質(zhì)量的技術(shù)來解決社會(huì)和生態(tài)的挑戰(zhàn)。

產(chǎn)品亮點(diǎn)包括:

第4代SiC MOSFET:羅姆先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻,充分地減少了開關(guān)損耗,并支持15V和18V的柵極-源極電壓,有助于在包括汽車逆變器和各種開關(guān)電源在內(nèi)的各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著的小型化和低功耗。

新型模制SiC功率模塊:羅姆通過“HSDIP20”和“DOT247”擴(kuò)大了其封裝組合,內(nèi)置最新的第4代SiC MOSFET。備有不同RDS(on)的750V和1200V器件。“HSDIP”具有H橋(4in1)和三相全橋(6in1)配置,內(nèi)置隔離功能,確保了應(yīng)用的緊湊性。DOT247是一種獨(dú)特的半橋(2in1)配置封裝,在功率循環(huán)應(yīng)力下具有更強(qiáng)大的性能。根據(jù)各自的條件,兩者都可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)30kW的功率應(yīng)用。

柵極驅(qū)動(dòng)器:BM611x系列是一款3.75kV隔離、AEC-Q100認(rèn)證的柵極驅(qū)動(dòng)器,專為xEV牽引逆變器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品系列有了一個(gè)新成員:BM6112專為高功率IGBT和SiC應(yīng)用而設(shè)計(jì),柵極驅(qū)動(dòng)電流20A。

智能低邊功率器件(IPD):羅姆發(fā)布了新一代單通道和雙通道40V智能低邊開關(guān)BV1LExxxEFJ-C和BM2LExxxFJ-C系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列是專為汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證,適用于車身控制、發(fā)動(dòng)機(jī)和變速器控制單元、LED照明模塊或工業(yè)PLC(可編程邏輯控制器)等系統(tǒng)。

730V集成反激式轉(zhuǎn)換器:BM2P06xMF IC系列將730V耐壓MOSFET和PWM控制器集成在一個(gè)封裝中。無需任何額外的散熱片、放電電阻器或電容器,可幫助設(shè)計(jì)者縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、簡化電路、降低成本、提高可靠性,非常適合工業(yè)輔助電源和開關(guān)電源應(yīng)用。

內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC-DC Converter IC:BM2SC12xFP2-LBZ系列是一款準(zhǔn)諧振AC-DC轉(zhuǎn)換器,為各種外接交流電源產(chǎn)品提供更佳系統(tǒng)。準(zhǔn)諧振操作可實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),并有助于保持較低的EMI。內(nèi)置1700V SiC(碳化硅)MOSFET,方便設(shè)計(jì)。有效降低輕負(fù)載時(shí)的電力消耗。具備各種保護(hù)功能。

150V GaN HEMT:羅姆的150V GaN HEMT GNE10xxTB針對工業(yè)和通信設(shè)備中的電源電路進(jìn)行了優(yōu)化,具有最高(8V)柵極耐壓技術(shù)。羅姆將在本次展會(huì)上展示IGBT和GaN產(chǎn)品組合的增強(qiáng)功能。

此外,羅姆將在展會(huì)期間參加小組討論、會(huì)議演講,并在展位內(nèi)進(jìn)行演講。羅姆專家也將在PCIM歐洲會(huì)議上舉行海報(bào)會(huì)議。

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