SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非?？?，像CPU內部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內存單元需要的晶體管數量多，因而價格昂貴，容量不大。

DRAM： 動態(tài)RAM，需要刷新，容量大。

SDRAM ：同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。

DDR SDRAM： 雙通道同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。

具體解釋一：

什么是DRAM

DRAM 的英文全稱是'Dynamic RAM'，翻譯成中文就是'動態(tài)隨機存儲器'。DRAM用于通常的數據存取。我們常說內存有多大，主要是指DRAM的容量。

什么是SRAM

SRAM 的英文全稱是'Static RAM'，翻譯成中文就是'靜態(tài)隨機存儲器'。SRAM主要用于制造Cache。

什么是SDRAM

SDRAM 的英文全稱是'Synchronous DRAM'，翻譯成中文就是'擴充數據輸出內存'，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已經逐漸成為PC機的標準內存配置。

什么是Cache

Cache 的英文原意是'儲藏'，它一般使用SRAM制造，它與CPU之間交換數據的速度高于DRAM，所以被稱作'高速緩沖存儲器'，簡稱為'高速緩存'。由于CPU的信息處理速度常常超過其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來作為信息存儲器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費。Cache就是為了解決這個問題而誕生的。在操作系統(tǒng)啟動以后，CPU就把DRAM中經常被調用的一些系統(tǒng)信息暫時儲存在Cache里面，以后當CPU需要調用這些信息時，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接從Cache里讀取，這樣利用Cache的高速性能就可以節(jié)省很多時間。大多數CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱作'一級緩存'或'內置Cache'。這部分存儲器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。大多數主板上也集成了Cache，一般被稱作'二級緩存'或'外置Cache'，比內置Cache容量大些，一般可達到256K，現(xiàn)在有的主板已經使用了512K～2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內部，已經集成了一級緩存和二級緩存，那時主板上的Cache就只能叫作'三級緩存'了。

什么是閃存

閃存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是'閃動的存儲器'，通常把它稱作'快閃存儲器'，簡稱'閃存'。這種存儲器可以直接通過調節(jié)主板上的電壓來對BIOS進行升級操作。

解釋為什么dram要刷新，sram不需要：

這個是由于ram的設計類型決定的，dram用了一個t和一個rc電路，導致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經常的刷新來保持數據

具體解釋二：

DRAM，動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。 而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。

SRAM，靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。

SDRAM，同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鐘來同步。

DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經很快了，時鐘好像已經有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作(當然除去刷新操作)。其實現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM(同步SRAM)和SDRAM(同步DRAM)。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz;可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器?！办o態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然后，我們不應將SRAM與只讀存儲器(ROM)和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應的情況下才能夠保持數據?！半S機訪問”是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。

1.sdram和sram的區(qū)別

SDRAM是同步動態(tài)隨機存取存儲器的縮寫，而SRAM是同步隨機存取存儲器的縮寫。它們的最大區(qū)別在于，SDRAM必須被外部時鐘同步刷新，而SRAM則不需要刷新。

雖然SRAM速度更快，讀寫時間也更短，但SRAM的成本較高，所以在存儲器容量較小的情況下，通常使用SRAM，而對于大容量存儲器，則使用SDRAM。

2.sdram和dram的主要區(qū)別

DRAM是動態(tài)隨機存取存儲器的縮寫，與SDRAM的最大區(qū)別在于，在DRAM中必須定期刷新電容，否則數據就會丟失。而SDRAM擁有內置的刷新機制，無需外部干預。

此外，由于DRAM的內部結構不同，訪問速度比SDRAM慢得多。盡管如此，DRAM仍然是一種流行的內存類型，主要是因為它的成本比SDRAM更低，而且能夠滿足許多基本應用程序的需求。

RAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保存的信息需要電力支持，一旦丟失供電即數據消失，所以又叫易失性存儲器，還有一種很有趣的叫法是"揮發(fā)性存儲器"，當然這里"揮發(fā)"掉的是數據而不是物理上的芯片。

RAM又分動態(tài)存儲器(DRAM，DYNAMIC RAM)和靜態(tài)存儲器(SRAM，STATIC RAM)。SRAM是利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息的，只要不斷電，信息是不會丟失的，所以謂之靜態(tài);DRAM利用MOS (金屬氧化物半導體)電容存儲電荷來儲存信息，大家都知道，電容是會漏電的，所以必須通過不停的給電容充電來維持信息，這個充電的過程叫再生或刷新(REFRESH)。由于電容的充放電是需要相對較長的時間的，DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的優(yōu)點需要較復雜的電路支持，如一個典型的SRAM的存儲單元需要六個晶體管(三極管)構成，而DRAM的一個存儲單元最初需要三個晶體管和一個電容，后來經過改進，就只需要一個晶體管和一個電容了。由此可見，DRAM的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。

(一) DRAM

DRAM就是我們常說的內存，這顯然就是狹義的內存概念了。后面我們說的內存也是這個狹義的概念--DRAM。常見的DRAM有許多規(guī)格，如FPM DRAM 、EDO DRAM、BEDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、SLDRAM、RDRAM、DIRECT RDRAM等。

1. FPM DRAM(FAST PAGE MODE DRAM，快速頁模式DRAM)

傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。FRM DRAM對此做了改進，在觸發(fā)了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數據。因此FPM DRAM的設計可以提高內存的傳輸速率。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，F(xiàn)PM DRAM被大量使用。

2. EDO DRAM(EXTENDED DATA OUT DRAM，擴充數據輸出DRAM)

傳統(tǒng)的DRAM和FPM DRAM 在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時間，然后才能讀寫有效的數據。而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM對FPM DRAM 的改進主要是縮短等待輸出地址的時間。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規(guī)定的有效時間一到就可以準備輸出下一個地址，由此可以減小等待時間。從另一個角度說，EDO DRAM 在讀寫數據的同時進行下一地址的準備工作，提高了工作效率。后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開始執(zhí)行。

3. BEDO DRAM (BURST EDO DRAM ，突發(fā)式EDO DRAM)

BEDO DRAM是突發(fā)式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出后，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取。BEDO 的主要加強之處是在芯片上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。BEDO DRAM可以一次存取一批數據而EDO DRAM只能存取一組數據，所以BEDO DRAM比EDO DRAM更快。但BEDO DRAM 在內存市場上只是曇花一現(xiàn)，只有很少的主板支持(如VIA APOLLO VP2)，很快就被DRAM替代了。

4. SDRAM(SYNCHRONOUS DRAM)

SDRAM 的最大特點就是可以與CPU的外頻同步，可以取消等待周期，減少了數據傳輸的延遲。而此前的DRAM 都使用異步方式工作，由于沒有與系統(tǒng)的外頻同步，在存取數據時，系統(tǒng)必須等待若干時序才能接受和送出數據，如SDRAM可以使存儲器控制器知道在哪一個時鐘脈沖周期使數據請求使能，因此數據可在脈沖沿來到之前便開始傳輸，而EDO DRAM每隔2時鐘才開始傳輸，F(xiàn)PM DRAM每隔3個時鐘脈沖周期才開始傳輸，從而制約了傳輸率。當CPU的頻率越來越高后，異步DRAM的數據傳輸率就成為系統(tǒng)的瓶頸，而且，隨著頻率的提高，異步DRAM與SDRAM的性能差距會越來越大。

對DRAM而言，除了容量，最重要的指標就是速度了。一般FPM DRAM和EDO DRAM的速度在0~70ns之間，SDRAM的速度在10 ns左右。由于SDRAM的工作速度與系統(tǒng)的外頻保持一致，所以SDRAM的速度標識可以換算成工作頻率，如100 ns的SDRAM的頻率是1 s/10 ns=100 MHz，同理，8 ns的SDRAM的工作頻率是125 MHz，12 ns的SDRAM 的工作頻率是83 MHz，15ns的SDRAM的工作頻率是66 MHz。由于目前流行的是PC100的SDRAM，讀者在采購內存時絕大多數希望選購符合PC100規(guī)范的SDRAM。PC100規(guī)格非常復雜，我們應該了解的部分主要是內存條上應帶SPD，內存工作頻率為100 MHz時，CL應為2或3個clk，最好為2 clk，tAC必須不超過6 ns等。

除了以上PC100規(guī)范要求的一些性能指標外，一個真正的發(fā)燒友還應該關心一下SDRAM芯片其他幾個很重要的指標：如芯片的輸出位寬、功耗(電壓)等，因為這些指標也決定了內存的超頻潛力--給內存超頻的時候還是很多的，即使不超頻，性能好的內存也意味著更高的穩(wěn)定裕度和更好的升級潛力。

(二) SRAM

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存(cache).SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,管道突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。