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[導(dǎo)讀]為增進(jìn)大家對(duì)晶振的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)晶振不起振的原因及其解決方案,以及晶振的一些必備知識(shí)點(diǎn)予以介紹。

晶振的全稱是晶體振蕩器,廣泛應(yīng)用于通信、電器設(shè)備中。為增進(jìn)大家對(duì)晶振的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)晶振不起振的原因及其解決方案,以及晶振的一些必備知識(shí)點(diǎn)予以介紹。如果你對(duì)晶振或是對(duì)本文內(nèi)容具有興趣,不妨一起繼續(xù)往下閱讀哦。

一、晶振不起振的原因及其解決方案

一般情況下,晶振不起振的原因歸納如下:

1、晶片斷裂

分析:晶片的化學(xué)成分為二氧化硅,與玻璃相同,屬于清脆易碎品,在承受較大沖撞、跌落、強(qiáng)震動(dòng)、溫度環(huán)境極速變化等外力作用的情況下有可能產(chǎn)生破裂、破碎等現(xiàn)象。

解決方案:

1) 晶片破裂是不可逆的物理現(xiàn)象,所以此不良是穩(wěn)定且永恒的不良現(xiàn)象,雖然可造成晶振不起振,但卻較易挑選。晶科鑫晶振在出庫前已通過全自動(dòng)機(jī)臺(tái)全檢淘汰該類晶振不良品。

2)建議客戶在晶振轉(zhuǎn)運(yùn)過程中,嚴(yán)格遵循“跌落勿用”原則。在運(yùn)輸過程中,應(yīng)對(duì)產(chǎn)品加強(qiáng)包裝防護(hù),避免產(chǎn)品遭受過強(qiáng)沖擊而損壞。

2、 導(dǎo)電膠斷裂

分析:因斷路導(dǎo)致晶振不起振或時(shí)振時(shí)不振。判定為導(dǎo)電膠品質(zhì)NG。

解決方案:晶科鑫晶振采用進(jìn)口穩(wěn)定高品質(zhì)銀膠,可避免該問題發(fā)生。

3、電阻值過大

分析:導(dǎo)致電流強(qiáng)度不足于驅(qū)動(dòng)晶片正常振動(dòng)。晶振存放時(shí)間過長(zhǎng),或內(nèi)部空間不夠潔凈,小水滴或雜質(zhì)容易附于晶片表面,會(huì)造成晶振工作不穩(wěn)定或停止工作。例如:49U密閉空間較其它封裝更大,晶片長(zhǎng)時(shí)間工作,更容易受到污染,發(fā)生頻偏及電阻增大, 造成穩(wěn)定性不夠。

解決方案:建議客戶選取體積較小晶振,避免晶振長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)。晶科鑫晶振,產(chǎn)品內(nèi)部真空,產(chǎn)品會(huì)做氣密性全檢,已充氮?dú)猓_保內(nèi)部空間潔凈。

4、 產(chǎn)品電極面存在隱性污染,導(dǎo)致上線后出現(xiàn)電氣參數(shù)變異。

分析:焊接工作臺(tái)臟污

解決方案:建議客戶各工序下班前進(jìn)行衛(wèi)生清潔,清潔方式:使用無塵布蘸酒精對(duì)機(jī)臺(tái)和工作臺(tái)進(jìn)行衛(wèi)生清潔,值班長(zhǎng)監(jiān)督檢查。

5、基座斷裂

分析:晶振基座破裂,晶振遭受破壞性物理外力從而導(dǎo)致內(nèi)部晶片因拉伸或扭曲而斷裂,造成晶振停振。

解決方案:

1) 建議客戶在晶振貼片之前,增加對(duì)板子的預(yù)熱動(dòng)作,避免板子瞬間受熱變形而造成對(duì)晶振基座破壞性的物理外力沖擊的可能性發(fā)生。

2)建議客戶在晶振運(yùn)轉(zhuǎn)中,包括倉庫及產(chǎn)線, 嚴(yán)格遵循“跌落勿用”原則。

如出現(xiàn)跌落,踩壓等情形,嚴(yán)禁使用。

6、因焊接操作不規(guī)范造成晶振損壞導(dǎo)致晶振不起振。

分析:解剖發(fā)現(xiàn),晶片已經(jīng)破損,造成晶振停振

解決方案:針對(duì)圓柱晶體停振問題,建議客戶針對(duì)晶振導(dǎo)腳焊接工序時(shí),焊接部位僅局限于導(dǎo)腳到玻璃纖部位1.0mm以上的部位,并且請(qǐng)不要對(duì)外殼進(jìn)行焊接。另外,假如利用高溫或長(zhǎng)時(shí)間對(duì)導(dǎo)腳部位進(jìn)行加熱,會(huì)導(dǎo)致晶振內(nèi)部晶片鍍銀層破壞,電阻超差等問題。因此,請(qǐng)留意對(duì)導(dǎo)腳部位的加熱溫度要控制在300°C以下,且加熱時(shí)間要控制在5秒以內(nèi)(外殼的部位的加熱溫度要掌握在150°C以下)。另外,焊接中,嚴(yán)禁用力拉扯晶振導(dǎo)腳,以防破壞基座的玻璃纖部位,造成內(nèi)部晶片碰殼受損。

二、晶振必備知識(shí)點(diǎn)

知識(shí)點(diǎn)一:5個(gè)要點(diǎn)搞定晶振電路PCB布線

位置要選對(duì):晶振內(nèi)部是石英晶體,如果不慎掉落或受不明撞擊,石英晶體易斷裂破損,所以晶振的放置遠(yuǎn)離板邊,靠近MCU的位置布局。

兩靠近:耦合電容應(yīng)盡量靠近晶振的電源管腳,如果多個(gè)耦合電容,按照電源流入方向,依次容值從大到小擺放;晶振則要盡量的靠近MCU。

走線短:在電路系統(tǒng)中,高速時(shí)鐘信號(hào)線優(yōu)先級(jí)最高,一般在布線時(shí),需要優(yōu)先考慮系統(tǒng)的主時(shí)鐘信號(hào)線。時(shí)鐘線是敏感信號(hào),頻率越高,要求走線盡量的短,保證信號(hào)的失真度最小。

高獨(dú)立:盡可能保證晶振周圍的沒有其他元件。防止器件之間的互相干擾,影響時(shí)鐘和其他信號(hào)的質(zhì)量。網(wǎng)傳是300mil內(nèi)不要布線,實(shí)際在設(shè)計(jì)中并沒有如此嚴(yán)格。

外殼要接地:晶振的外殼必須要接地,除了防止晶振向外輻射,也可以屏蔽外來的干擾。

知識(shí)點(diǎn)二:查晶振問題不可缺少的三要素

01,檢查晶振本身

在運(yùn)輸、焊接過程中,都可能會(huì)導(dǎo)致晶振內(nèi)部的水晶片的損壞。如果我們?cè)诤附泳д駮r(shí),焊錫溫度過高,或者是菜鳥級(jí)別的焊接時(shí)間長(zhǎng),都會(huì)影響到晶振本身。如果晶振損毀,直接更換一個(gè)晶振,是查找晶振不起振的問題中最簡(jiǎn)單的。

02,物料參數(shù)值錯(cuò)誤

比如STM32使用外部晶振32.768Khz晶振,電容的容值建議在5pf-15pf之間,如果我們選擇不合適的容值,就會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。

03,PCB布線問題

檢查PCB布線是否存在錯(cuò)誤,如真是這個(gè)問題,那影響就非常大了,這一版就會(huì)浪費(fèi)掉,還要投入更多成本,項(xiàng)目周期也會(huì)增加。

以上便是小編此次帶來的有關(guān)晶振的全部?jī)?nèi)容,十分感謝大家的耐心閱讀,想要了解更多相關(guān)內(nèi)容,或者更多精彩內(nèi)容,請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。

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