業(yè)內(nèi)最新消息，昨天韓國總統(tǒng)府辦公室正式宣布，允許三星電子和 SK 海力士無期限向其位于中國的工廠供應(yīng)來自美國的芯片設(shè)備，無需美國單獨批準。

也就是說，以后無需向美國當局申請豁免許可，三星電子和 SK 海力士即可以任意向其中國的任何工廠供應(yīng)含美國技術(shù)的半導體設(shè)備，而之前則是美國的設(shè)備帶入中國都需要獲得許可。

韓國總統(tǒng)經(jīng)濟首席秘書崔尚木稱：“韓國半導體企業(yè)在中國運營和投資的不確定性已經(jīng)大大緩解了，它們將能夠冷靜地尋求長期的全球經(jīng)營戰(zhàn)略?！?

據(jù)悉，美國已經(jīng)將該決定通知了三星電子和 SK 海力士，表明已經(jīng)正式生效。與此同時美國商務(wù)部正在更新其 “經(jīng)過驗證的最終用戶(VEU)” 名單，一旦列入該清單，就無需單獨獲得出口許可。

去年 10 月，美國出臺一系列出口管制措施以限制中國獲取或生產(chǎn)高端芯片，當時三星和 SK 海力士獲得了一年豁免期，本月到期。

盡管美國允許韓國芯片企業(yè)在中國的工廠進口美國半導體設(shè)備延長一年許可豁免，但是限制措施對三星電子和 SK 海力士的長期戰(zhàn)略部署產(chǎn)生了巨大沖擊，因此中美之間的貿(mào)易和科技限制引起韓國企業(yè)的擔憂。

韓國經(jīng)濟高度依賴半導體領(lǐng)域，全球第一和第二大存儲芯片制造商三星和 SK 海力士都在中國的芯片設(shè)施投入數(shù)十億巨資，中國也是韓國芯片的大客戶。

據(jù)悉，三星電子大約 40% 的 NAND 閃存芯片在其位于中國西安的工廠生產(chǎn)，SK 海力士大約 40% 的 DRAM 芯片在無錫生產(chǎn)，20% 的 NAND 閃存芯片在大連生產(chǎn)。

業(yè)內(nèi)分析機構(gòu) TrendForce 的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至今年 6 月底上述兩家半導體生產(chǎn)商合計控制著全球近 70% 的 DRAM 市場和 50% 的 NAND 閃存市場。

美國對華實施芯片出口限制后，韓國當局一直設(shè)法減輕韓國半導體產(chǎn)業(yè)受到的沖擊，而今天美國的徹底豁免許可對三星電子和 SK 海力士來說無疑是一個巨大的好消息。

SK 海力士回應(yīng)稱：“我們歡迎美國政府延長出口管制法規(guī)豁免的決定，我們相信這一決定將有助于全球半導體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定?！?

三星也在一份聲明中表示：“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導體生產(chǎn)線運營相關(guān)的不確定性已大大消除......將繼續(xù)密切與所有相關(guān)政府保持密切合作，為全球半導體產(chǎn)業(yè)維護穩(wěn)定的供應(yīng)鏈?！?

三星西安工廠

此外，上個月美國還取締了在美國建廠并獲得聯(lián)邦資金的半導體公司在中國擴張的嚴格限制，取消了在中國先進產(chǎn)能投資 10 萬美元的支出上限，這將有效阻止企業(yè)獲得聯(lián)邦資金來增加 28nm 制程以上芯片的產(chǎn)量。

值得一提的是，近日三星為提振 NAND 閃存芯片市場行情，計劃將于年底之前將 NAND 芯片價格上調(diào)至少 10%，最快將于本月開始陸續(xù)漲價。

內(nèi)分析人士認為，年底前 DRAM、NAND 的合約價將會迎來一波大漲，因為三星將會從本月新簽的訂單開始提升價格。

去年下半年開始，高通脹和全球經(jīng)濟惡化導致芯片市場需求萎靡，全球存儲芯片迎來低谷潮價格一路下跌，去年開始 SK 海力士帶頭宣布減產(chǎn)，三星隨后跟進并于 4 月宣布擴大減產(chǎn)幅度。

今年第一季度三星的 DRAM 芯片銷售 40.1 億美金，同比爆降 61.2%，NAND 芯片銷售降至 29.9 億美金，同比直接腰斬。

由于 NAND 芯片利潤比 DRAM 芯片低，因此三星近來積極推動價格正?；?。三星之前表示要在明年第二季度達成 NAND 芯片事業(yè)收支打平，因此決定在減產(chǎn)之余還要調(diào)漲芯片價格。

業(yè)內(nèi)分析人士認為，目前 DRAM 現(xiàn)貨報價以 DDR5 漲勢最為明顯，主要是庫存較少。盡管 DDR4 庫存水位偏高，但它是 DRAM 的減產(chǎn)重災區(qū)，而 DDR5 則需擴大生產(chǎn)，預計明年 DDR5 銷售比重將提升至 30%～40%。