2023年10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。發(fā)布會由譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷主持，首次向行業(yè)展示了Super IDM產業(yè)集群的生態(tài)模式，帶來了氮化鎵半導體產業(yè)鏈的效率革命。實現了1.5年從建廠到中試線穩(wěn)定產能1.5萬片、7天外延至成品器件周期、量產平均良率85%、研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3的驚人成果。超過十多家媒體，多個地方政府招商團、數十個行業(yè)投資機構，幾十個上下游企業(yè)代表參與了該發(fā)布會。

發(fā)布會上，氮化鎵半導體產業(yè)奠基人之一的酒井士郎教授（譽鴻錦半導體總工）與觀眾分享氮化鎵（GaN）半導體技術的歷史沿革、現狀發(fā)展和未來機會。譽鴻錦提出“第三代化合物半導體憑借其顯著的性能特點，展示出在新能源汽車、5G通信、可再生能源等領域具有廣泛的需求前景，且其器件生產工藝和技術也日趨成熟，但目前的市場普及率仍然非常低，尤其和硅基器件相比仍有數量級差距”的行業(yè)現實問題。

在“如何實現更快、更大規(guī)模的氮化鎵應用推廣”這個關乎產業(yè)效率的問題上，譽鴻錦半導體通過回歸產業(yè)價值的本質，提出”產業(yè)價值 = 能效提升 - 替換成本 > 0“的解題思路，認為高性能是推動應用創(chuàng)新的動力，而低成本則是推動應用普及的基礎。目前行業(yè)現狀是，全球諸多廠商都在積極推進氮化鎵技術應用的普及，其中海外廠商更多的策略重心是高性能器件的應用，國內廠商則更多是通過常規(guī)器件的低成本來推廣氮化鎵應用。

從材料成本來說氮化鎵（GaN）器件并不會比硅基器件昂貴。譽鴻錦認為氮化鎵滲透率依然低的原因，并不是很多人所認為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導致成本均攤困難。因為規(guī)模是結果而并非原因，本質問題出現在產業(yè)效率上，只有把系統(tǒng)效率提升，才能用更低的成本推動器件的大規(guī)模應用。只有從第一性原理出發(fā)，搞清楚氮化物半導體的材料原理才能實現正向的研發(fā)和工藝，也就是我們俗說的KNOW HOW，這樣才能把器件研發(fā)效率提升，同時還需要掌握設備的優(yōu)化能力來配合器件的制造需求，把良率提升，生產效率提升，也減少后期分選封測的工作量，再通過對工藝制程的理解來實現核心設備的國產替代和自研，進一步降低產線的成本，并最終通過全流程IDM集成的方式減少過程中的時間成本和經濟成本的損耗。最終實現匹敵于硅器件的產業(yè)鏈效率和成本。

為此譽鴻錦半導體在創(chuàng)立之初，就組建產業(yè)奠基人級的技術團隊，其首席科學家邵春林博士為現場觀眾分享自己作為中國最早開展氮化鎵技術研發(fā)和產業(yè)化的歷史，參與開發(fā)了最早的MOCVD設備，以及參與主導了譽鴻錦半導體的規(guī)劃與建設和技術創(chuàng)新。并展示了譽鴻錦目前實現的極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準可控的載流子調控等自主關鍵技術能力。并具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術矩陣，和功率電子、激光與顯示、射頻全產品能力。體現了譽鴻錦強大的基于KNOW HOW的正向研發(fā)能力，可以根據目標需求，自由選擇甚至開拓新的技術路線，并實現快速制樣和驗證，直至導入量產。

憑借85%平均量產良率獲得高一致性器件，高集成度IDM-7天制造周期、高研發(fā)效率使時間縮短2/3，自研設備和設備國產化使成本降低2/3，終端應用產業(yè)群集成，譽鴻錦實現了“產業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM整合 x 高研發(fā)效率 x 設備降本 x 快速應用驗證”?，F場播放的工廠全線實拍視頻，展示了譽鴻錦在行業(yè)里數量最多、工序最為齊全的設備產線，并第一次提出了包括設備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術服務體系群以及終端產品應用生態(tài)鏈的Super IDM產業(yè)集群概念，即“Super IDM產業(yè)集群 = 上游設備材料 + IDM + 終端技術應用 + 零售服務生態(tài)鏈”。基于該產業(yè)集群的深度耦合，實現上游設備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應用終端快速導入和批量驗證，實現推動氮化鎵產業(yè)快速普及的產業(yè)目標。

在產品發(fā)布環(huán)節(jié)，譽鴻錦發(fā)布了從100V-650V-900~1200V的全功率段器件，能應用于多種電力電子領域。其中包括行業(yè)首個氮化鎵SBD器件，以及900V藍寶石基氮化鎵晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關注。憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規(guī)格實現全場景需求和優(yōu)勢成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動氮化鎵器件全面普及，以實現譽鴻錦“用氮化鎵半導體改變每個人的生活”的產業(yè)理想。該環(huán)節(jié)也一并發(fā)布了業(yè)務和代理招商合作意向。

在現場簽約環(huán)節(jié)，譽鴻錦半導體分享了其更多的產業(yè)理想——樹立高效率產業(yè)化標桿，為中國半導體產業(yè)引入和培養(yǎng)更多行業(yè)人才，加快推進技術產業(yè)化。現場與行業(yè)top的應用型大學“東莞理工”國際微電子學院就共建人才培養(yǎng)和產業(yè)共創(chuàng)平臺項目簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議；同時，也同“大族激光”旗下的“大族機器人”簽署了氮化鎵電機研發(fā)與應用的產業(yè)合作戰(zhàn)略協(xié)議。

最后，譽鴻錦團隊就記者所關心的各類問題接受了采訪和解答。并和意向的招商團隊、投資機構和上下游合作開展了互動。后續(xù)譽鴻錦將啟動媒體開放日活動，邀請前往撫州工廠，參觀和了解國內良率最高、效率最高的IDM產線。

從發(fā)布會現場的火爆人數和觀眾的熱烈反響可以看出，譽鴻錦半導體此次氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會取得圓滿成功。