2024年1月30日，中國北京——全球領先的連接和電源解決方案供應商Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現業(yè)界卓越的9mΩ導通電阻RDS(on)。此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產品，導通電阻值最高可達60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC轉換器和正溫度系數（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。
UJ4SC075009B7S在25°C時的典型導通電阻值為9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應用中減少傳導損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實現自動化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的750V系列產品是對Qorvo現有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補充，打造了完整的產品組合，可滿足400V和800V電池架構電動汽車的應用需求。
Qorvo電源產品線市場總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設計人員提供先進、高效解決方案的承諾，以助力其應對獨特的車輛動力挑戰(zhàn)?！?/span>
這些第四代采用Qorvo獨特的共源共柵結構電路配置，將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關技術效率優(yōu)勢和硅基MOSFET簡單柵極驅動的器件。SiC FET的效率取決于傳導損耗；得益于業(yè)界卓越的低導通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo的共源共柵結構/JFET方式帶來了更低的傳導損耗。
UJ4SC075009B7S的主要特性包括：
● 閾值電壓VG(th)：4.5V（典型值），允許0至15V驅動電壓
● 較低的體二極管VFSD：1.1V
● 最高工作溫度：175°C
● 出色的反向恢復能力：Qrr＝338nC
● 低柵極電荷：QG＝75nC
● 通過汽車電子委員會AEC-Q101認證
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