前言

半導體產(chǎn)品老化是一個自然現(xiàn)象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經(jīng)過一段時間連續(xù)工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進行了分析。

1、 背景

從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子產(chǎn)品的普及，電子產(chǎn)品失效率越來越高，質(zhì)量變差，新產(chǎn)品不耐用。

由于產(chǎn)品失效率的提高，許多學者參與到半導體失效分析的研究中。經(jīng)過大量研究分析和仿真，學者總結(jié)出：由于電流的作用，導致導線中的金屬原子與電子通過摩擦產(chǎn)生電遷移位移現(xiàn)象所引發(fā)的失效是電子產(chǎn)品失效模式的主要因素之一。電遷移滿足失效分布函數(shù)曲線，產(chǎn)品失效模式與產(chǎn)品工藝、工作溫度關(guān)系密切。

2、 相關(guān)理論

電遷移現(xiàn)象主要發(fā)生在半導體在通電狀態(tài)下，由于電場作用，原子在與電子流的帶動下，由于摩擦，產(chǎn)生移位現(xiàn)象，這一現(xiàn)象被稱為電遷移。

圖 1. 電遷移作用力引發(fā)半導體失效原理

如圖所示，在電場作用下，半導體在導通過程中，正電荷會同時受到靜電場力和電子高速運動沖擊所產(chǎn)生的風力作用。

由于電流密度增大，電子產(chǎn)生的風力會大于靜電場力，從而導致正電荷——也就是金屬原子，產(chǎn)生移位，這一現(xiàn)象稱為電遷移效應或電遷移現(xiàn)象。經(jīng)過長期積累，半導體的部分連接就會形成不連貫的晶須(Hillock)或空洞(Void)，最終導致半導體元器件失效。

圖 2.電遷移作用失效示意圖

James R.Black最早在1967年提出基于電遷移引起平均失效時間(MTTF)的數(shù)據(jù)擬合經(jīng)驗模型，為失效分析具有里程碑的意義。

按照Black模型公式：

半導體元器件的失效機理與材料、電子碰撞間隔平均自由時間、有效散射橫截面積的因素常量A，電流密度j，絕對溫度T等因素相關(guān)。Blench和Korhonen等人進一步對電遷移物理模型進行完善。半導體元器件的失效機理單元模型壽命可靠度函數(shù)符合歐拉公式。

根據(jù)以上公式，電流密度越大，半導體元器件的響應速度就快，元件壽命就會越短，反之，元件的壽命就會增長。要滿足半導體元器件的響應速度，則半導體就需要較高的參雜度，另一方面，通過摻雜不同的材料、調(diào)整有效散射橫截面積等因素也會對芯片的壽命產(chǎn)生影響。

3、 常規(guī)解決方案

(1) 報廢機制

企業(yè)通常利用產(chǎn)品生命周期管理方式，通過對產(chǎn)品生命周期進行分析，為產(chǎn)品設(shè)計一個報廢界定時間。在汽車、水電氣表等行業(yè)采用這種方式比較常見。

(2) 系統(tǒng)冗余

在保障性系統(tǒng)設(shè)計中，企業(yè)一般在報廢機制的基礎(chǔ)之上，還會通過采用雙備份冗余設(shè)計、或者K/N表決冗余，并加上系統(tǒng)修復的方式進行系統(tǒng)設(shè)計。

4、技術(shù)源頭控制

(1) 工藝控制理論

根據(jù)Black模型理論，當半導體采用寬線徑工藝，橫截面積較大時，其芯片壽命會變長，產(chǎn)品平均失效時間MTTF會相對拉得更長。這也從側(cè)面解釋了為什么傳統(tǒng)工藝設(shè)計出來的產(chǎn)品可靠性更高。

(2) 差異化技術(shù)控制方法

在芯片原理設(shè)計中，采用不同的拓撲架構(gòu)模型，通過差異化技術(shù)實現(xiàn)不同的控制方法也很常見，比如采用CMOS基本單元替代TTL基本單元、采用恒流源替代恒壓源來完成不同的產(chǎn)品拓撲模型。在ADC、DAC、運算放大器、比較器等模型設(shè)計中十分常見。

在一些設(shè)計場合，通過調(diào)整芯片輸入閾值，降低芯片靈敏度，或通過控制芯片切換頻率，降低電流密度，達到提高產(chǎn)品可靠性的目的。

在核心處理芯片模型設(shè)計中，根據(jù)不同的應用場景，為了追求產(chǎn)品處理速度和可靠性，通常會采用不同的工藝模型進行芯片架構(gòu)設(shè)計，比如從CMOS衍生出來的SRAM、DRAM、ROM、EEPROM、Flash等工藝用于不同的處理器產(chǎn)品架構(gòu)中，會達到出不同的可靠性效果。

圖 3.不同工藝模型芯片單元架構(gòu)

ROM工藝的處理器是一種非常古老的工藝產(chǎn)品，只能燒錄一次，雖然在某些應用場景還依然被大量使用。但在目前主流的產(chǎn)品方案應用中，基于SRAM和Flash工藝的MCU、MPU或FPGA處理器占據(jù)了絕大多數(shù)應用場景。

5、Microchip高可靠性Flash FPGA介紹

SRAM工藝的處理器是通過CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作，其產(chǎn)品處理速度較高，被眾多用戶接受。但是，CMOS工藝有一個致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMOS工藝制成芯片產(chǎn)生米勒效應極其容易受到外界干擾，產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)。另外，CMOS在翻轉(zhuǎn)過程中，內(nèi)阻變小，電流密度過大，芯片長期在高電流密度下工作，會加速產(chǎn)品老化時間。

除了基于傳統(tǒng)CMOS的SRAM處理器之外，Microchip推出了一種基于疊柵MOS工藝的Flash架構(gòu)FPGA處理器。

圖4.Flash架構(gòu)FPGA與SRAM架構(gòu)FPGA的差別

Microchip的FPGA 產(chǎn)品范圍覆蓋從低端到中端應用，其產(chǎn)品特點以抗單粒子翻轉(zhuǎn)、安全、低功耗和上電即工作著稱，廣泛應用于通信、國防和航空、工業(yè)嵌入式產(chǎn)品。Microchip 目前主推三大系列 FPGA：

·支持5K-150K LE(Logic Elements)具有大量資源的低密度器件的IGLOO®2 系列;

·支持5K-150K LE具有大量資源和 32 位硬核處理器內(nèi)核(ARM Cortex-M3)的SmartFusion®2 SoC系列;

·以及采用 28 納米工藝技術(shù)實現(xiàn), 支持25K - 480K LE的高性能PolarFire? FPGA 和 PolarFire? SoC系列(Hard 5-Core RISC-V 600MHZ CPU)。

這三大系列FPGA除了具有抗干擾、低功耗、上電啟動的特征外，還具有強大的DSP/數(shù)學模塊(18x18乘法器)，可用于當前熱門的AI市場。

Microchip的這款Flash架構(gòu)的FPGA最大的一個特點是電流密度小、抗干擾能力強、動態(tài)切換不會出現(xiàn)電流波動，基于其低功耗的特點，可大大延長產(chǎn)品使用壽命。非常適合應用在高可靠性、低失效率應用場合，能高效改善因電遷移引發(fā)的半導體失效問題。其授權(quán)代理商Excelpoint世健可提供技術(shù)支持和指導。