業(yè)內(nèi)消息，近日美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光計(jì)劃首先采用日本佳能的納米壓印（NIL）光刻機(jī)，旨在通過(guò)佳能的納米壓印光刻機(jī)設(shè)備來(lái)進(jìn)一步降低生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器的成本。

由于光學(xué)系統(tǒng)特性，DRAM層圖案很難用光學(xué)曝光圖案，納米壓印可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的圖案，且成本是浸潤(rùn)式光刻的20%，成為較佳的解決方案。但納米壓印并不能在存儲(chǔ)器生產(chǎn)所有階段取代傳統(tǒng)光刻，兩者并非純粹競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但至少可以降低部分技術(shù)操作成本。

此前美光科技舉辦講會(huì)，介紹納米壓印技術(shù)用于DRAM生產(chǎn)的細(xì)節(jié)。美光闡述了DRAM制程和浸潤(rùn)式曝光解析度的問(wèn)題，通過(guò)Chop層數(shù)不斷增加，必須增加更多曝光步驟，以取出密集存儲(chǔ)陣列周圍的虛置結(jié)構(gòu)。

佳能于2023年10月推出新型FPA-1200NZ2C納米壓印光刻機(jī)，可將電路圖案直接印在晶圓上，佳能強(qiáng)調(diào)了該設(shè)備的低成本和低功耗，號(hào)稱通過(guò)納米壓印光刻（NIL）技術(shù)實(shí)現(xiàn)了目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，使該設(shè)備的前景成為行業(yè)爭(zhēng)論的話題。

佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)部長(zhǎng)Iwamoto Kazunori在解釋納米壓印技術(shù)時(shí)表示，納米壓印技術(shù)就是把刻有半導(dǎo)體電路圖的掩模壓印到晶圓上。在晶圓上只壓印一次，就可以在合適的位置形成復(fù)雜的2D或3D電路。如果改進(jìn)掩模，甚至可以生產(chǎn)電路線寬達(dá)到2nm節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。目前，佳能的納米壓印技術(shù)使圖案的最小線寬對(duì)應(yīng)5nm節(jié)點(diǎn)邏輯半導(dǎo)體。