HBM高帶寬存儲芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能（AI）芯片，據(jù)業(yè)界消息，英偉達(dá)的質(zhì)量測試對存儲廠商提出挑戰(zhàn)，因為相比傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品，HBM的良率明顯較低。

臺積電、三星代工等公司，此前在加工單一硅晶圓時一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰(zhàn)，但當(dāng)前這一問題蔓延到了HBM行業(yè)。消息稱美光、SK海力士等存儲廠商，在英偉達(dá)下一代AI GPU的資格測試中將進(jìn)行競爭，似乎差距不大，而良率將是廠商們的阻礙。

據(jù)悉，HBM制造過程中，多層堆疊的復(fù)雜性導(dǎo)致良率變低，小芯片之間通過硅通孔（TSV）工藝相連，這種復(fù)雜性增加了制造過程中出現(xiàn)缺陷的機(jī)會。如果HBM中的一層被證明有缺陷，那么整個堆疊都會被丟棄，因而造成良率難以提升。

消息人市場稱，目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右，其中美光、SK海力士似乎在這場競爭中處于領(lǐng)先地位。據(jù)悉，美光已開始為英偉達(dá)當(dāng)前最新的H200 AI GPU生產(chǎn)HBM3e存儲芯片，因為其已通過Team Green設(shè)定的認(rèn)證階段。

SK海力士副社長Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出，雖然外部不穩(wěn)定因素仍然存在，但今年存儲芯片市場有望逐漸回溫，PC、智能手機(jī)等應(yīng)用，不僅會提升HBM3e銷量，也能帶動DDR5、LPDDR5T等產(chǎn)品需求增加。這名高管表示，旗下HBM已全部售罄，公司已開始為2025年準(zhǔn)備。

（來源：集微網(wǎng)）