電磁干擾(Electromagnetic Interference)，簡稱EMI，有傳導干擾和輻射干擾兩種。傳導干擾主要是電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號通過導電介質(zhì)或公共電源線互相產(chǎn)生干擾;輻射干擾是指電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號通過空間耦合把干擾信號傳給另一個電網(wǎng)絡(luò)或電子設(shè)備。
為了防止一些電子產(chǎn)品產(chǎn)生的電磁干擾影響或破壞其它電子設(shè)備的正常工作，各國政府或一些國際組織都相繼提出或制定了一些對電子產(chǎn)品產(chǎn)生電磁干擾有關(guān)規(guī)章或標準，符合這些規(guī)章或標準的產(chǎn)品就可稱為具有電磁兼容性EMC(Electromagnetic Compatibility)。
電磁兼容性EMC 標準不是恒定不變的，而是天天都在改變，這也是各國政府或經(jīng)濟組織，保護自己利益經(jīng)常采取的手段。
EMC標準及測試
國際標準
1、國際電工委員為IEC
2、國際標準華組織ISO
3、電氣電子工程師學會IEEE
4、歐盟電信標準委員會ETSI
5、國際無線電通信咨詢委員CCIR
6、國際通訊聯(lián)盟ITU
6、國際電工委員會IEC有以下分會進行EMC標準研究
-CISPR：國際無線電干擾特別委員會
-TC77：電氣設(shè)備(包括電網(wǎng))內(nèi)電磁兼容技術(shù)委員會
-TC65：工業(yè)過程測量和控制
國際標準化組織
1、FCC聯(lián)邦通
2、VDE德國電氣工程師協(xié)會
3、VCCI日本民間干擾
4、BS英國標準
5、ABSI美國國家標準
6、GOSTR俄羅斯政府標準
7、GB、GB/T中國國家標準
EMI測試
1、輻射騷擾電磁場(RE)
2、騷擾功率(DP)
3、傳導騷擾(CE)
4、諧波電路(Harmonic)
5、電壓波動及閃爍(Flicker)
6、瞬態(tài)騷擾電源(TDV)
EMS測試
1、輻射敏感度試驗(RS)
2、工頻次次輻射敏感度試驗(PMS)
3、靜電放電抗擾度(ESD)
4、射頻場感應的傳導騷擾抗擾度測試(CS)
5、電壓暫降，短時中斷和電壓變化抗擾度測試(DIP)
6、浪涌(沖擊)抗擾度測試(SURGE)
7、電快速瞬變脈沖群抗擾度測試(EFT/B)
8、電力線感應/接觸(Power induction/contact)
EMC測試結(jié)果的評價
A級：實驗中技術(shù)性能指標正常
B級：試驗中性能暫時降低，功能不喪失，實驗后能自行恢復
C級：功能允許喪失，但能自恢復，或操作者干預后能恢復
R級：除保護元件外，不允許出現(xiàn)因設(shè)備(元件)或軟件損壞數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復的功能喪失或性能降低。
5、電壓暫降，短時中斷和電壓變化抗擾度測試(DIP)
6、浪涌(沖擊)抗擾度測試(SURGE)
7、電快速瞬變脈沖群抗擾度測試(EFT/B)
8、電力線感應/接觸(Power induction/contact)
EMC基礎(chǔ)理論
-電磁干擾的時域與頻域描述 ：時域特性
-電磁干擾的時域與頻域描述 ：頻域特性
-電磁干擾的時域與頻域描述 ：周期梯形波的
-電磁干擾的時域與頻域描述：寬帶噪聲
-電磁干擾的時域與頻域描述：時鐘與數(shù)據(jù)噪聲
-分貝(dB)的概念
分貝是電磁兼容中常用的基本單位。
定義為兩個功率的比：
傳導干擾耦合形式
1、共阻抗耦合
-由兩個回路經(jīng)公共阻抗耦合而產(chǎn)生，干擾量是電流i，或變化的電流di/dt。
2、容性耦合
-在干擾源與干擾對稱之間存在著耦合的分布電容而產(chǎn)生，干擾量是變化的電場，即變化的電壓du/dt。
3、感性耦合
-在干擾源與干擾對稱之間存在著互感而產(chǎn)生，干擾量是變化的磁場，即變化的電流di/dt。
-電場與磁場
電場：導體之間的電壓產(chǎn)生電場
-電場強度單位：V/m
磁場：導體上的電流產(chǎn)生磁場
-磁場強度單位：A/m
波阻抗：Zo=E/H
差模輻射與共模輻射
1、差模輻射：電流在信號環(huán)路中流動產(chǎn)生
2、共模輻射：由于導體的電位高于參考電位產(chǎn)生
3、PCB主要產(chǎn)生差模輻射
4、線纜主要產(chǎn)生共模輻射
5、差模輻射電場的計算
其中 ：
E：電場強度(V/m)
f ：電流的頻率(MHz)
A：電流的環(huán)路面積(cm2)
I ：電流的強度(mA)
r ：測試點到電流環(huán)路的距離(m)
6、共模輻射電場的計算
其中 ：
E：電場強度(V/m)
f ：電流的頻率(MHz)
L：電纜的長度(m)
I ：電流的強度(mA)
r ：測試點到電流環(huán)路的距離(m)
7、屏蔽的基本理論和設(shè)計要點
7.1屏蔽效能計算公式：
SE(dB)= R(dB)+A(dB)+B(dB)
R(dB)-reflection loss
A(dB)-absorption
B(dB)-re-reflection loss
7.2屏蔽設(shè)計的基本原則：
a、屏蔽體結(jié)構(gòu)簡潔，盡可能減少不必要的孔洞，盡可能不要增加額外的縫隙;
b、避免開細長孔，通風孔盡量采用圓孔并陣列排放。屏蔽和散熱有矛盾時盡可能開小孔，多開孔，避免開大孔;
c、足夠重視電纜的處理措施，電纜的處理往往比屏蔽本身還重要;
d、屏蔽體的電連續(xù)性是影響結(jié)構(gòu)件屏蔽效能最主要的因素，相對而言，一般材料本身屏蔽性能以及材料厚度的影響是微不足道的(低頻磁場例外); e、注意控制成本。
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