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[導(dǎo)讀]【2024年6月3日,德國慕尼黑訊】人工智能(AI)的影響推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)中心能源需求的日益增長,凸顯了為服務(wù)器提供高效可靠能源供應(yīng)的必要性。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)已翻開AI系統(tǒng)能源供應(yīng)領(lǐng)域的新篇章,發(fā)布了電源裝置(PSU)產(chǎn)品路線圖。該路線圖在優(yōu)先考慮能源效率前提下,專為滿足AI數(shù)據(jù)中心當(dāng)前和未來的能源需求而設(shè)計(jì)。

?人工智能(AI)引發(fā)全球數(shù)據(jù)中心能源需求不斷增長

?基于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的新型電源裝置(PSU)鞏固了英飛凌在AI電源領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

?全球首款12 Kw PSU憑借更高的能效、功率密度和可靠性,為AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商帶來優(yōu)勢(shì)

【2024年6月3日,德國慕尼黑訊】人工智能(AI)的影響推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)中心能源需求的日益增長,凸顯了為服務(wù)器提供高效可靠能源供應(yīng)的必要性。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)已翻開AI系統(tǒng)能源供應(yīng)領(lǐng)域的新篇章,發(fā)布了電源裝置(PSU)產(chǎn)品路線圖。該路線圖在優(yōu)先考慮能源效率前提下,專為滿足AI數(shù)據(jù)中心當(dāng)前和未來的能源需求而設(shè)計(jì)。

PSU產(chǎn)品界面圖

通過實(shí)現(xiàn)更高的PSU性能等級(jí),英飛凌可幫助云數(shù)據(jù)中心和AI服務(wù)器運(yùn)營商降低系統(tǒng)冷卻能耗。這些創(chuàng)新的PSU能減少功耗和二氧化碳排放,從而降低總體運(yùn)營成本。功能強(qiáng)大的PSU不僅能用于未來數(shù)據(jù)中心,還可取代服務(wù)器中現(xiàn)有的電源裝置并提升效率。

除了已推出的輸出功率為3 kW和 3.3 kW的 PSU 外,全新8 kW和12 kW PSU也將在不久的將來進(jìn)一步提高AI數(shù)據(jù)中心的能效。借助12 kW參考板,英飛凌即將推出全球首款達(dá)到這一性能水平的電源裝置,為未來數(shù)據(jù)中心供電。

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示:“英飛凌為AI提供動(dòng)力。我們正在解決這個(gè)時(shí)代的一大關(guān)鍵問題——如何高效地滿足數(shù)據(jù)中心不斷升級(jí)的能源需求。英飛凌將硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)三種半導(dǎo)體材料集成到單一模塊中,正是這項(xiàng)專業(yè)技術(shù)使這一開發(fā)工作成為可能。因此,我們的 PSU 產(chǎn)品組合不僅體現(xiàn)了英飛凌的創(chuàng)新實(shí)力,為數(shù)據(jù)中心和AI生態(tài)系統(tǒng)帶來了一流的性能、效率和可靠性,還鞏固了英飛凌在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。”

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White

英飛凌也在響應(yīng)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商對(duì)更高系統(tǒng)效率和更短停機(jī)時(shí)間的要求。服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的上漲增加了對(duì)電源的需求,因此需要開發(fā)額定功率從 800 W 到 5.5 kW甚至更高的電源。這一增長是由于計(jì)算AI應(yīng)用的圖形處理器(GPU)對(duì)功率的要求不斷提高。

目前,高階GPU的單芯片功耗高達(dá)1 kW,到二十年代末將達(dá)到 2 kW或更高,這將增加數(shù)據(jù)中心的總能源需求。根據(jù)國際能源機(jī)構(gòu)(IEA)的預(yù)測,到2030年,數(shù)據(jù)中心的耗電量將占全球總耗電量的7%,相當(dāng)于印度目前的耗電量。

盡管能源需求快速增長,但英飛凌的新型PSU可為減少AI數(shù)據(jù)中心的二氧化碳排放量做出貢獻(xiàn)。這得益于新PSU具有極高的效率,能更大程度地減少功率損耗。英飛凌新一代PSU的效率高達(dá)97.5%,符合嚴(yán)格的性能要求。全新8 kW PSU支持最高輸出功率達(dá)300 kW或以上的AI機(jī)架。與當(dāng)前3 kW PSU的32 W/in3 相比,其效率和功率密度提升至100 W/in3,進(jìn)一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運(yùn)營商的成本。

從技術(shù)角度看,能實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的原因在于Si、SiC 和 GaN 三種半導(dǎo)體材料的獨(dú)特組合。這項(xiàng)技術(shù)有助于提升AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)的可持續(xù)性與可靠性?;赟iC 和 GaN 等寬帶隙材料的創(chuàng)新半導(dǎo)體是理性地與高效地利用能源以推動(dòng)低碳化的關(guān)鍵。

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