以下內(nèi)容中，小編將基于NMOS管和PMOS管制作一款開關(guān)控制電路，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)NMOS管和PMOS管以及開關(guān)控制電路的了解，和小編一起來看看吧。

一、NMOS管和PMOS管

NMOS管是N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子，而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí)，在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大)，溝道的導(dǎo)通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

二、基于NMOS管和PMOS管制作開關(guān)控制電路

01 MOS管導(dǎo)通截止原理

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。

PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾—>D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 -5V（S電位比G電位高）。

02 MOS管做上管和下管

1）NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。

2）NMOS當(dāng)上管，D極（漏極）接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導(dǎo)通的G極電壓，因?yàn)镾極對(duì)地的電壓有兩種狀態(tài)，NMOS關(guān)截止時(shí)為低電平，導(dǎo)通時(shí)接近高電平VCC。

3）PMOS當(dāng)上管或下管原理一樣。

4）通常使用PMOS做上管，NMOS做下管。

03 NMOS管應(yīng)用

使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地，只需將G極電壓固定值為5V即可導(dǎo)通（該5V視MOS管型號(hào)而定）

04 PMOS管應(yīng)用

使用PMOS當(dāng)上管，S極直接接電源VCC（5V），只需將G極電壓固定值為0V即可導(dǎo)通。

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