升壓芯片(Boost芯片)是一種集成控制器，用于將輸入電壓提升到較高的輸出電壓。它是一種直流-直流(DC-DC)轉換器，通過電路內部的控制和調節(jié)，將低電壓輸入轉換為高電壓輸出。升壓芯片常用于電子設備中，以提供所需的電壓供應給負載電路。

升壓芯片的工作原理基于電感和電容的存儲能量特性，通常基于脈寬調制(PWM)技術。其主要組成部分包括輸入濾波電容、續(xù)流二極管、升壓電感、開關管、輸出濾波電容等。

在升壓芯片中，輸入電壓經過濾波電容后，被輸入到開關管控制端。當開關管處于導通狀態(tài)時，電感中的電流增加，通過負載電路，從而使電荷能量儲存到電容器中。當開關管處于關閉狀態(tài)時，由于電感中的電流在短時間內不能瞬間消失，因此它會產生一個電感電動勢，在電容器上加上一個高電壓，從而使輸出電壓變高。

在應用中，升壓芯片需要根據(jù)負載電路的需求，選擇合適的電感和電容等元器件，以達到所需要的升壓倍數(shù)和輸出電壓。

總之，升壓芯片是現(xiàn)代電子設備中不可或缺的關鍵部件，其升壓轉換原理基于電感和電容的存儲能量特性，可將輸入電源電壓升高到所需要的電壓，以供負載電路使用。隨著電子設備的不斷發(fā)展，升壓芯片也在不斷地創(chuàng)新和進化，以滿足不斷增長的市場需求。

1、拓撲結構

以下為BOOST電路拓撲結構，主要器件是MOS管、電感、二極管各一顆，電容若干。一般的小功率BOOST類型DCDC芯片L1和D1外置，大功率DCDC芯片MOS管外置。使用PWM方式控制MOS管導通與關閉。

2、MOS管導通

MOS管導通后，電流流向如下圖紅色箭頭指示，電感開始充電，轉換為磁能，此時二極管反向截止，輸出能量全部由C2電容提供，如下綠色箭頭。

3、MOS管關閉

MOS管關閉后，電流流向如下圖綠色箭頭指示，電感釋放能量，這時候電感就像一個電池和Vin串聯(lián)為負載供電，同時為輸出電容C2充電。此時負載由輸出電容C2和二極管D1提供電能。D1一般選擇導通迅速，導通壓降小的肖特基二極管。

4、同步類型BOOST電路

以上電路拓撲有個缺陷，就是當電路不工作時，輸入電壓經過L1電感和D1二極管流向負載，有時候這個電壓很討厭，會產生功耗問題，不得不再加個開關電路。為了解決這個問題，我們可以選擇同步類型芯片，以下是同步BOOST升壓電路拓撲結構，和上面的異步類型拓撲的區(qū)別就是二極管換成了MOS管，這個MOS管由芯片內部的邏輯控制，在芯片不工作時，MOS管關閉輸出，因此不會產生漏電問題。MOS管導通壓降小，功率損耗小，使用它替換二極管效率更高。

4、異步BOOST芯片舉例介紹

以下是型號SGM6623升壓DCDC芯片內框圖。原理和上面一樣，MOS管導通(紅色箭頭)，電感儲能，MOS管關閉，電感向輸出供電(綠色箭頭)。芯片會采集輸出電壓以及MOS管電流，控制PWM占空比，調整輸出電壓。和其他BOOST芯片一樣，此芯片也有幾種工作模式，下面依次介紹一下。

1)Pulse-Skipping Mode

此模式出現(xiàn)在輕負載的時候，這種模式二極管只導通了很短時間，并且兩次導通之間間隔比較長，DCDC芯片工作在這種模式功耗低，但是輸出紋波較大，這一點要注意一下。

2)連續(xù)導通模式CCM(continuous-conduction-mode)

不管MOS管開通和關閉，電感中的電流都大于零，既電感中電流是連續(xù)的，沒有中斷，稱為連續(xù)導通模式，這種模式出現(xiàn)在負載較重的時候，既BOOST電路全力輸出階段。

3)斷續(xù)導通模式DCM(Discontinuous-Conduction Mode)

在MOS管關閉期間，電感電流能夠下降至零，一直持續(xù)到再次打開MOS管，電感電流出現(xiàn)斷流因此稱作斷續(xù)模式。這種模式工作電流介于前面兩種模式之間，而且SW管腳出現(xiàn)振鈴，輸出紋波也較大。

3)臨界導通模式DCM(Boundary Conduction Modee)

這種模式比較特殊，既電感電流下降到零時，恰好這時候MOS管開始導通，是一種臨界狀態(tài)。這里不做介紹了。