在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞵MOS基反接防護電路設計的相關報道。如果你對本文即將要講解的內容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、PMOS管原理

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。

二、PMOS基反接防護電路設計詳解

傳統(tǒng)的防反保護電路，一般采用的都是PMOS管。

將PMOS的G極接電阻到地（GND），當輸入端連接正向電壓時，電流流過PMOS的體二極管到負載端。

如果正向電壓超過 PMOS的門限閾值，主通道則導通。即PMOS的Vds壓降變低，電流都從主溝道導通，實現了低損耗和低溫升。

傳統(tǒng)PMOS防反保護

我們來看這個電路，MOS的兩端電壓，也就是體二極管壓降電壓，它大于mos管的VGS電壓，mos管導通，這時體二極管被短路，體二極管的壓降電壓不存在了。

R1是LED的分壓限流電阻，導通后LED被點亮，電源正常接入。

當電源反接時，PMOS的GS兩端電壓為正值，MOS管無法導通。

其中Rg是降低NMOS導通時的脈沖電流和分壓。

當GS兩端電壓過高，穩(wěn)壓二極管D就會進入反向擊穿工作模式，在一定反向電流范圍內，反向電壓不會隨反向電流變化。當輸入電壓過高時，穩(wěn)壓二極管D可以避免GS兩端電壓超過額定值損壞MOS管的現象。

這里要注意mos管的體二極管朝向，當體二極管朝向Vin，一旦反接，電流會從GND——體二極管——Vin，這會直接短路，便無法起到防反接的作用。

不過，用PMOS來作防反接電路有三個缺點。

一個是系統(tǒng)待機電流大：

VGS驅動和保護電路會存在暗電流損耗，兩者是由齊納二極管和的限流電阻R組成的，而限流電阻會影響整個待機功耗。如果這時提高R的取值，穩(wěn)壓管就沒辦法可靠導通，VGS也會存在過壓的風險，并且會影響PMOS的開關速度。

另一個是存在反灌電流：

在輸入電源跌落測試時，PMOS在輸入電壓跌落時依舊保持導通，此時電容電壓會讓電源極性反轉，導致系統(tǒng)電源故障并中斷。

最后就是成本問題：

我們都知道PMOS的成本較高，因此PMOS作防反保護一般適合用于電流超過3A以上的大電流的場景。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。最后的最后，祝大家有個精彩的一天。