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[導(dǎo)讀]在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)MOS管為什么還要考慮電流大小的理由予以介紹,如果MOS管、電子電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

在下述的內(nèi)容中,小編將會(huì)對(duì)MOS管" target="_blank">MOS管為什么還要考慮電流大小的理由予以介紹,如果MOS管、電子電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOS管

MOS管,即金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),是一種常用的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。 MOS管通過(guò)電壓來(lái)控制電流,具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、噪聲低等優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)代電子設(shè)備中占據(jù)重要地位。

工作原理:MOS管利用電壓控制電流,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)包括金屬柵極、氧化物層和半導(dǎo)體襯底。通過(guò)改變柵極電壓,可以控制源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能。MOS管分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型,每種類(lèi)型又可分為增強(qiáng)型和耗盡型,以滿足不同的應(yīng)用需求。

應(yīng)用領(lǐng)域:由于MOS管具有高開(kāi)關(guān)頻率、低內(nèi)阻、小噪聲系數(shù)和良好的穩(wěn)定性,因此在工業(yè)自動(dòng)化、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明等多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。例如,在高頻開(kāi)關(guān)電源、LED恒流驅(qū)動(dòng)、電源適配器等電路中,MOS管作為電子開(kāi)關(guān)使用,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)和高效能轉(zhuǎn)換。

保護(hù)措施:在實(shí)際應(yīng)用中,為了保護(hù)MOS管的安全和提高其可靠性,通常會(huì)采取一些保護(hù)措施,如在柵極充電電路中串接適當(dāng)?shù)某潆娤蘖麟娮?,或在充電限流電阻上并?lián)放電二極管,以確保MOS管在高速開(kāi)關(guān)操作中的安全性和穩(wěn)定性。

二、MOS管為什么還要考慮電流大小呢?

當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí),我們會(huì)使用推挽電路來(lái)放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?

推挽工作原理:由電源IC發(fā)出占空比信號(hào),也就是這個(gè)方波,通過(guò)電阻限流到達(dá)三極管的基極:上管是npn下管是pnp。

當(dāng)信號(hào)為高電平輸出到達(dá)三極管基極時(shí),Q1導(dǎo)通,(npn在高電平時(shí)導(dǎo)通),隨后MOS管導(dǎo)通。

當(dāng)輸出低電平時(shí),上管Q1截止,Q2導(dǎo)通(pnp是低電平導(dǎo)通),隨后MOS管通過(guò)電阻放電到地,最后截止。

也就是說(shuō),通過(guò)兩個(gè)三極管輪流工作來(lái)進(jìn)行一推一挽,來(lái)達(dá)到推挽的功能。

這里的R1的作用是用來(lái)確定開(kāi)機(jī)時(shí)候的初始電位,以防開(kāi)機(jī)誤觸發(fā)mos管,以及關(guān)機(jī)放電。

那R2呢?有沒(méi)有小伙伴知道的在評(píng)論區(qū)解答一下~

通常會(huì)使用推挽電路是因?yàn)?,有時(shí)一些IC或者CPU的電流比較小,不足以驅(qū)動(dòng)MOS管,所以加入推挽來(lái)增加驅(qū)動(dòng)能力。

那為什么MOS管是壓控性器件,還需要考慮電流大小進(jìn)行驅(qū)動(dòng)?

這是一個(gè)IC直接驅(qū)動(dòng)電路:

首先需要從IC手冊(cè)中了解它最大的峰值驅(qū)動(dòng)電流(不同IC芯片驅(qū)動(dòng)能力不同),C1、C2決定了MOS管被驅(qū)動(dòng)時(shí) 的導(dǎo)通速度。

當(dāng)IC電流比較小時(shí),C1 C2會(huì)比較大,這時(shí)MOS管的驅(qū)動(dòng)速度會(huì)變慢,在有些電路中是不適應(yīng)的。

原因很簡(jiǎn)單,這是因?yàn)镸OS管的輸入電容CGS和CGD這兩個(gè)電容和芯片的面積有一定關(guān)系,MOS管本質(zhì)上雖然是壓控型器件,但柵極電位的上升與下降本質(zhì)上是對(duì)CGS、CGD電容的充放電速度。

因此當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí),就需要利用推挽來(lái)進(jìn)行放大電流了。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的內(nèi)容,如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿意,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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