以下內(nèi)容中，小編將對(duì)模擬開(kāi)關(guān)的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)模擬開(kāi)關(guān)的了解，和小編一起來(lái)看看吧。

一、模擬開(kāi)關(guān)工作原理

圖1 模擬開(kāi)關(guān)工作原理

模擬開(kāi)關(guān)工作原理如圖1，當(dāng)IN端輸入低時(shí)，通過(guò)邏輯控制使得COM和NC之間的通道閉合，COM和NO之間的通道斷開(kāi)，IN端為高時(shí)，則與之相反。

圖2 傳輸門(mén)開(kāi)關(guān)原理圖

圖2為NO/NC口的FET（傳輸門(mén)）的原理圖，由一個(gè)N溝道晶體管和一個(gè)并聯(lián)的P溝道晶體管組成，當(dāng)OE端輸入為高時(shí)，經(jīng)過(guò)反相器后，P溝道導(dǎo)通，N溝道導(dǎo)通，此時(shí)A到B導(dǎo)通。與之相反，當(dāng)OE端輸出為低時(shí)，P溝道與N溝道阻斷，此時(shí)A到B關(guān)斷。

二、模擬開(kāi)關(guān)的重要參數(shù)和應(yīng)用電路

模擬開(kāi)關(guān)重要的參數(shù)：

工作電壓：即模擬開(kāi)關(guān)的供電電壓

導(dǎo)通電阻：模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通后會(huì)有導(dǎo)通電阻(和內(nèi)部工藝有關(guān)，歐姆或者幾十上百歐姆不等)，設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮。

漏電流：模擬開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)會(huì)有漏電流，并不是完全關(guān)閉，在做一些例如采樣保持器時(shí)需要評(píng)估漏電流對(duì)電路產(chǎn)生的影響。

開(kāi)關(guān)速度：例如做信號(hào)切換時(shí)，開(kāi)關(guān)速度是否滿(mǎn)足傳輸信號(hào)的頻率。

以CD4052為例介紹一下模擬開(kāi)關(guān)的管腳，以及真值表(大多數(shù)模擬開(kāi)關(guān)定義都差不多)。CD4052是一款帶有公共使能輸入控制位的2路四選一模擬開(kāi)關(guān)電路。每一個(gè)多路選擇開(kāi)關(guān)都有四個(gè)獨(dú)立的輸入/輸出(Y0到Y(jié)3)、一個(gè)公共的輸入/輸出端(Z)和選擇輸入端(A)，那么接下來(lái)介紹一下大致的管腳定義：

那么介紹完引腳說(shuō)明，在看真值表就一目了然了，例如當(dāng)使能端接到低電平時(shí)，如果A0和A1都是低電平，那么Y0A和ZA導(dǎo)通且Y0B和ZB導(dǎo)通：

那么模擬開(kāi)關(guān)可以怎么應(yīng)用呢?

采樣保持&復(fù)位電路：

下圖是把采樣與保持以及復(fù)位電路通過(guò)OP放大器與IC模擬開(kāi)關(guān)進(jìn)行總結(jié)的一個(gè)示例。預(yù)先將S2與S3設(shè)為導(dǎo)通，如果S4斷開(kāi)，S1為導(dǎo)通,就取樣。若將S2和S3設(shè)為斷開(kāi)，CT就保持之前采樣的電壓(此時(shí)要考慮模擬開(kāi)關(guān)的漏電流)。將S2與S3設(shè)為導(dǎo)通，如果S4導(dǎo)通，就復(fù)位(運(yùn)放輸出跟隨同相輸入端輸出0，給電容保持放電，復(fù)位電容)。

運(yùn)放增益調(diào)節(jié)：

雖然也有壓控增益放大器，但是它還是太貴了。那么如果例如電壓表或者什么需要調(diào)整量程的時(shí)候，需要調(diào)節(jié)運(yùn)算放大器增益的時(shí)候，就可以使用單片機(jī)的管腳控制模擬開(kāi)關(guān)來(lái)調(diào)節(jié)運(yùn)算放大器的增益。如圖所示，當(dāng)S1導(dǎo)通時(shí)，增益為1M/10k等于100倍;當(dāng)S2導(dǎo)通時(shí)倍數(shù)就為20倍，便可以實(shí)現(xiàn)增益調(diào)節(jié)。

其余的就不做舉例了，相信你心中已經(jīng)想到了應(yīng)用方法，是不是感覺(jué)模擬開(kāi)關(guān)很好用呢

以上便是小編此次帶來(lái)的全部?jī)?nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。